AD 2層 SYS60板 板評(píng)審報(bào)告20190119

凡億劉老師

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; Y: k6 o8 e- i' ~( a/ w; C$ p% i一．布局問(wèn)題：
1.【問(wèn)題分析】：器件的擺放有點(diǎn)亂，既不美觀，且對(duì)后期的扇孔和布線存在不好的影響。（特別是一些高密度板子）
【問(wèn)題改善建議】：建議布局時(shí)，多使用對(duì)齊和等間距命令。

$ R/ G0 F7 y+ f( K2 `% x二．布線問(wèn)題：
1.【問(wèn)題分析】：如圖所示，板中還存在開(kāi)路，分別是5V和GND以及 SIP
5 Y% F- u0 ~# H% s8 d2 l% q【問(wèn)題改善建議】：建議畫(huà)完板后進(jìn)行DRC檢查。將開(kāi)路連接上。
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2.【問(wèn)題分析】：整個(gè)pcb的地網(wǎng)絡(luò)都沒(méi)連接上。
【問(wèn)題改善建議】：建議對(duì)地網(wǎng)絡(luò)焊盤(pán)可以扇孔時(shí)打孔引出，留好位置，最后使用整版地銅連接，且可以在空閑處打上回流過(guò)孔。

3.【問(wèn)題分析】：pcb中走線多處出現(xiàn)直角和銳角，這樣會(huì)產(chǎn)生不良的信號(hào)反射，影響信號(hào)。
) ^+ c  o) J# G$ b. A【問(wèn)題改善建議】：建議使用fill修改成鈍角，或者添加淚滴。
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4.【問(wèn)題分析】：晶振的走線存在問(wèn)題，進(jìn)入晶振后再反回到濾波電容，這樣濾波電容就沒(méi)意義了，且晶振下方穿線了。
1 j3 z6 M: y1 M【問(wèn)題改善建議】：晶振的走線考慮π型濾波，如下圖。晶振是個(gè)干擾源，下方不能穿線。
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' G( q- m; M0 R4 G5.【問(wèn)題分析】：如下圖所示，板中還存在stub線，這會(huì)產(chǎn)生天線效應(yīng)影響信號(hào)。
& ^$ _1 ?0 `, r. h4 p* c【問(wèn)題改善建議】：建議DRC檢查時(shí)，把stub線也選上，檢查出來(lái)后，將stub線刪除。
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6.【問(wèn)題分析】：光耦中間穿線了，這樣會(huì)影響重要的信號(hào)。
【問(wèn)題改善建議】：光耦中間的線移開(kāi)，且鋪銅時(shí)光耦中間挖空處理。
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- y+ w- }2 |3 r8 c9 I6 R3 l- l7.【問(wèn)題分析】：電源線換層導(dǎo)線變細(xì)了，可能會(huì)出現(xiàn)瓶頸，且1個(gè)過(guò)孔是否足夠。
' ]- Q& C* `* Q【問(wèn)題改善建議】：非必要情況下，盡量保持線寬一致，0.5mm過(guò)孔過(guò)1A的經(jīng)驗(yàn)值來(lái)增加過(guò)孔的數(shù)量。
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8.【問(wèn)題分析】：如下圖所示，走線形成環(huán)路了。
8 h6 F. `! `5 \0 O3 n【問(wèn)題改善建議】：建議將多余的線刪掉，增加載流的話，建議增加導(dǎo)線寬度或敷銅。
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9.【問(wèn)題分析】：過(guò)孔的尺寸樣式太多，增加生產(chǎn)成本。
【問(wèn)題改善建議】：通常過(guò)孔的尺寸樣式不能超過(guò)3種。
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0 s# l  M* X+ s; t! e& e10.【問(wèn)題分析】：如下圖所示，3.3V的走線存在回路。
【問(wèn)題改善建議】：建議下圖那樣修改。
  

! U8 x% P2 y: w" {! n* B三．生產(chǎn)工藝：
+ Q; U. S4 y/ c. I1.【問(wèn)題分析】：絲印這樣調(diào) 不美觀。
! J" u2 n  i1 ~( L/ p+ {4 D$ F: `【問(wèn)題改善建議】：常規(guī)的絲印和器件方向一致。

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大河海

學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)，

yilanlan

6 v0 g1 a8 c  H) m0 m8 T+ J學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)，

zhidai

積累學(xué)習(xí)，積累學(xué)習(xí)