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IMEC更新|Chiplet互連技術(shù)

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發(fā)表于 2024-9-2 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言半導(dǎo)體行業(yè)長期以來一直依靠摩爾定律推動創(chuàng)新,但隨著我們接近晶體管縮放的物理極限,需要新的方法來繼續(xù)推進芯片性能和功能。Chiplet互連技術(shù)應(yīng)運而生,正在重塑半導(dǎo)體設(shè)計和制造的格局。( U$ e5 I% `9 {0 r, y
本文將探討Chiplet的世界、其優(yōu)勢以及使其成為可能的前沿互連技術(shù)。研究Chiplet集成的各種方法,包括2.5D和3D技術(shù),并探討未來面臨的挑戰(zhàn)和機遇[1]。. h" X" X" ?9 |; M4 t7 E

4 v" ]' `, ]/ t4 G  }2 g: \, _, B0 G
了解Chiplet2 V" O; X& h4 E! n8 A) M
Chiplet是具有特定功能的小型模塊化芯片,可以組合成單個封裝或系統(tǒng)?梢詫⑵湟暈榘雽(dǎo)體世界的樂高積木——可以混合搭配以創(chuàng)建針對特定應(yīng)用的復(fù)雜系統(tǒng)的獨立部件。+ O8 G7 E/ p/ j6 a1 p" b4 m6 n

4 W+ V  D3 [6 s4 e6 f1 ^% [. k圖1:此圖說明了Chiplet如何提供模塊化系統(tǒng),將來自不同供應(yīng)商和技術(shù)節(jié)點的單獨芯片組合在一起,與傳統(tǒng)的單片系統(tǒng)芯片設(shè)計形成對比。
% J. Y$ I. v& k) GChiplet技術(shù)的興起隨著摩爾定律放緩,業(yè)界一直在尋找替代方案,以應(yīng)對單片系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)計日益增加的復(fù)雜性和成本。Chiplet通過允許制造商執(zhí)行以下操作提供了解決方案:
  • 優(yōu)化技術(shù)節(jié)點:不同功能可以使用適當(dāng)?shù)墓に嚰夹g(shù),平衡性能和成本。
  • 增加靈活性:通過更換單個Chiplet,可以更頻繁地更新設(shè)計。
  • 提高良率:較小、較簡單的設(shè)計通常具有較高的良率。
  • 降低成本:新芯片設(shè)計的入門成本降低,生產(chǎn)效率提高。[/ol]+ k+ Q# b+ h" K! e8 H/ [: ^
    Chiplet技術(shù)的應(yīng)用雖然最初在高性能計算領(lǐng)域獲得關(guān)注,但Chiplet正在進入各種應(yīng)用領(lǐng)域:
  • 汽車行業(yè):提供可輕松更新或修改的靈活電子架構(gòu)。
  • 移動設(shè)備:結(jié)合計算、無線通信和顯示驅(qū)動器等各種功能。
  • 成像系統(tǒng):更高效地集成傳感器和處理單元。
  • 內(nèi)存解決方案:允許模塊化和可擴展的內(nèi)存配置。
  • 量子計算:促進量子處理單元與經(jīng)典控制電子線路的集成。[/ol]( g* h- Q' @, ~
    Chiplet互連技術(shù)基于Chiplet的設(shè)計的成功取決于在各個Chiplet之間創(chuàng)建密集、高帶寬連接的能力。兩種主要方法已經(jīng)出現(xiàn):
  • 2.5D集成
  • 3D系統(tǒng)芯片(3D-SoC)
    " ~5 p  Y! {! Z3 |( Q$ T+ @# V4 l! j9 y[/ol]讓我們詳細(xì)探討每種方法。/ d3 x7 ?9 q6 Y7 l
    2.5D集成:中間層方法在2.5D集成中,Chiplet通過公共基板(稱為中間層)并排連接。這種方法允許高密度連接,同時保持相對簡單的制造過程。8 W4 v6 ]$ D. A& _  w
    3 m9 |3 x( u; z+ m; K! o% V
    圖2:此圖展示了不同的2.5D集成方法,包括硅中間層、硅橋接和有機重分布層(RDL)。: ^) C+ k& a1 O3 N) ~# Y  k6 f

    ) X; X/ p8 A; y& S0 h8 C$ A$ B
    中間層類型:
  • 硅中間層:高性能應(yīng)用的成熟技術(shù),提供最精細(xì)的間距以及出色的熱學(xué)和電學(xué)性能。但成本和復(fù)雜性較高。
  • 有機基板:正在獲得關(guān)注的更具成本效益的替代方案。研究人員正在努力實現(xiàn)與硅中間層相當(dāng)?shù)幕ミB密度。
  • 硅橋接:使用小型硅中間層在邊緣連接Chiplet的混合方法,可能在性能和成本之間取得平衡。[/ol], I. s. T2 ]0 a6 K6 {( x
    2.5D集成中的互連間距:
  • 硅中間層:可實現(xiàn)亞微米間距
  • 有機RDL:目前目標(biāo)為2μm間距,未來有望實現(xiàn)亞微米間距
    6 `- z, O6 k, t1 @2.5D集成中的微凸點:Chiplet通常使用稱為微凸點的小型焊料凸點連接到中間層。行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微凸點間距范圍為30μm至50μm,研究正在推動實現(xiàn)10μm甚至5μm的間距。! E' I* \* l1 Q6 V
    3D系統(tǒng)芯片:堆疊實現(xiàn)終極集成對于需要最高性能、最小形狀因子或最大系統(tǒng)集成水平的應(yīng)用,3D-SoC提供了一個引人注目的解決方案。這種方法涉及垂直堆疊Chiplet,創(chuàng)建真正的三維結(jié)構(gòu)。
    8 ~$ z; a  @; b 4 {8 n& `. x% }3 T3 d
    圖3:此圖展示了晶圓對晶圓混合鍵合,這是3D-SoC集成的關(guān)鍵技術(shù),顯示互連間距縮小到400nm。- z& l" b0 S9 y3 S
    3D-SoC的關(guān)鍵技術(shù):
  • 晶圓對晶圓混合鍵合:該技術(shù)允許在堆疊層之間創(chuàng)建極細(xì)間距的連接。IMEC使用SiCN作為鍵合介電質(zhì)的方法已經(jīng)實現(xiàn)了700nm的間距,未來有望實現(xiàn)400nm甚至200nm的間距。
  • 芯片對晶圓鍵合:雖然無法達到與晶圓對晶圓鍵合相同的間距密度,但這種方法在組合不同Chiplet方面提供了更大的靈活性。[/ol]
    ) Y: ~5 Y7 K6 x# x# _3D-SoC的優(yōu)勢:
  • 超高密度互連
  • 縮小形狀因子
  • 可能降低功耗并提高性能
  • 能夠?qū)hiplet集成為單個芯片' P. s8 V( m' g$ v2 G# }1 u
    Chiplet互連技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)Chiplet提供了許多優(yōu)勢,但仍需解決幾個挑戰(zhàn):
  • 熱管理:堆疊Chiplet可能導(dǎo)致熱密度增加,需要創(chuàng)新的散熱解決方案。
  • 供電:確?缍鄠Chiplet的充分電力分配,尤其是在3D堆疊中,這一點尤為重要。
  • 測試和已知良品(KGD):開發(fā)有效的測試策略對單個Chiplet和組裝系統(tǒng)的良率和可靠性來說很重要。
  • 標(biāo)準(zhǔn)化:確保來自不同供應(yīng)商的Chiplet之間的兼容性和通信需要全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。[/ol]
    8 G8 z1 U# l( b; Q4 {
    . P2 |. V1 V8 d# s7 u% [圖4:此圖展示了IMEC的3D互連路線圖,總結(jié)了連接Chiplet的不同方法以及預(yù)計的互連密度和間距。
      b$ S, C# T" Y2 o9 Z4 ]& {- R+ G( G+ _; w& ?# }% M
    Chiplet互連技術(shù)的未來隨著半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,Chiplet互連技術(shù)有望在保持創(chuàng)新步伐方面發(fā)揮重要作用。幾個趨勢正在塑造這項技術(shù)的未來:
  • 間距縮。撼掷m(xù)努力減小互連間距將實現(xiàn)更高的帶寬和更緊湊的設(shè)計。
  • 先進封裝:開發(fā)新的材料和工藝用于中間層和混合鍵合將提高性能并降低成本。
  • 異構(gòu)集成:結(jié)合來自不同工藝節(jié)點甚至不同材料(例如硅和III-V族半導(dǎo)體)的Chiplet將實現(xiàn)新的應(yīng)用和提高性能。
  • 人工智能和機器學(xué)習(xí):基于Chiplet的設(shè)計非常適合AI加速器,允許模塊化和可擴展的架構(gòu)。
  • 量子-經(jīng)典集成:Chiplet可能會縮小量子處理單元和經(jīng)典控制電子線路之間的差距,加速實用量子計算機的發(fā)展。
    # G1 Z- z9 @! _7 N" Z[/ol]結(jié)論Chiplet互連技術(shù)代表了半導(dǎo)體設(shè)計和制造的范式轉(zhuǎn)變。通過將復(fù)雜系統(tǒng)分解為模塊化、可重用的組件,Chiplet為面對晶體管縮放放緩的情況下繼續(xù)創(chuàng)新提供了途徑。2.5D和3D集成技術(shù)的結(jié)合,以及互連技術(shù)的進步,正在實現(xiàn)芯片設(shè)計中新水平的性能、效率和靈活性。. f- a5 p# B/ B  x4 [# Z
    隨著業(yè)界繼續(xù)投資Chiplet技術(shù),可以期待在互連密度、熱管理和系統(tǒng)集成方面取得更加令人印象深刻的成就。半導(dǎo)體的未來是模塊化的,Chiplet互連技術(shù)正在為下一代電子系統(tǒng)開辟新的機遇。% m6 Z6 q$ ?' ?8 c  k. ~3 P% a
    參考來源[1] F. Author, "Chiplet Interconnect Technology: Piecing Together the Next Generation of Chips," 3D InCites, Jul. 2024. [Online]. Available: https://www.3dincites.com/2024/07/chiplet-interconnect-technology-piecing-together-the-next-generation-of-chips/. [Accessed: Aug. 25, 2024].+ N/ F# y+ j, P
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    7 _, M5 L8 ]: _9 D關(guān)于我們:
    ' O: t1 a/ l+ D. [6 `- V( C深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。- }3 i( d- \; R" V& L

    7 v+ }0 p- l( a8 E% W% q$ v8 F. X6 |http://www.latitudeda.com/& t  o; x5 M5 [* Z3 |
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