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IEEE ECTC2024|Broadcom用于51.2T CPO的高密度集成硅基光電子技術(shù)Chiplet

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發(fā)表于 2024-8-30 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
簡(jiǎn)介3 }  B8 Q/ l$ @* @; x3 ^
在當(dāng)今數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的世界中,對(duì)高帶寬、低延遲的數(shù)據(jù)中心連接需求急劇增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的光學(xué)收發(fā)器模塊難以跟上網(wǎng)絡(luò)中硅技術(shù)的快速發(fā)展。本文探討了創(chuàng)新解決方案:用于Co-Packaged Optics (CPO)的硅基光電子技術(shù)Chiplet的高密度集成,重點(diǎn)介紹了突破性的51.2Tb/s CPO交換機(jī)解決方案 [1]。
1 Q# ^9 j" a0 Z! d& R& D( C
& N9 \6 Q& Z# v8 g理解CPO的必要性數(shù)據(jù)中心是數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的核心,每秒處理和傳輸大量數(shù)據(jù)。如圖1所示,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心需要數(shù)百萬個(gè)光學(xué)互連才能高效運(yùn)行。
4 A4 u% n( K" W. M 8 ?$ a* \+ f7 I: L) A. X
圖1:數(shù)據(jù)中心擴(kuò)展和光學(xué)互連需求的增加傳統(tǒng)的交換機(jī)盒使用可插拔的光學(xué)收發(fā)器模塊,帶來了幾個(gè)挑戰(zhàn):1.與交換芯片相比,密度擴(kuò)展受限2.由于電互連損耗導(dǎo)致高功耗3.復(fù)雜性增加帶來的可靠性問題4.成本效率低下3 g. o9 w; J- O! @: u$ \/ N9 n
Co-Packaged Optics通過將光學(xué)引擎直接與交換芯片集成來解決這些問題,如圖2所示。
- t3 t1 B+ E5 y2 ]0 B 0 V9 d# ]6 S4 F; L8 H- c
圖2:帶有外部激光源的集成光學(xué)引擎Co-Packaged Optics的關(guān)鍵組件硅基光電子技術(shù)Chiplet硅基光電子技術(shù)Chiplet是CPO系統(tǒng)的核心。結(jié)合了:
  • 光電子集成芯片(PIC)
  • CMOS電子集成電路(EIC)
  • 光學(xué)復(fù)用器/解復(fù)用器* P. z0 X6 q! q% U
    這些組件使用先進(jìn)的封裝技術(shù)堆疊,特別是帶嵌入式芯片的雙面扇出。/ @2 y" R* f) A' ~0 K) C
    遠(yuǎn)程激光模塊(RLMs)RLMs為光引擎提供光源。在所描述的51.2Tb/s系統(tǒng)中,每個(gè)光引擎需要兩個(gè)RLMs,每個(gè)RLM包含八個(gè)激光器。& {. L! N! _4 S1 j& Q
    交換芯片交換芯片與光學(xué)引擎在同一基板上協(xié)同封裝。這種近距離顯著減少了高速信號(hào)的布線距離。5 K# f& r. j' \, _' T+ M: |+ k, r' @
    可拆卸光學(xué)連接器該系統(tǒng)的重要?jiǎng)?chuàng)新是可拆卸光學(xué)連接器,它提供:
  • 光纖間127μm的間距
  • 可現(xiàn)場(chǎng)更換的光纖連接
  • 與現(xiàn)有玻璃光纖陣列制造技術(shù)兼容
  • 防塵設(shè)計(jì),確?煽窟\(yùn)行5 _" U+ K/ f) p6 d* A+ ?% N
    組裝過程CPO系統(tǒng)的組裝涉及幾個(gè)復(fù)雜的步驟:1. 硅基光電子技術(shù)Chiplet制造:
  • 將光學(xué)復(fù)用器/解復(fù)用器堆疊在光電子集成芯片上
  • 使用銅柱連接CMOS EIC
  • 進(jìn)行晶圓級(jí)處理,包括模塑、研磨和重分布層(RDL)形成
    1 K" j9 \5 \2 P2. 光引擎組裝:
  • 將光電子集成芯片鍵合到扇出晶圓上
  • 將架子和I/O透鏡安裝到光電子集成芯片上
  • 測(cè)試并選擇已知良好的光學(xué)引擎
    ; M1 q+ ?, W- P5 G1 G" y3. 與交換芯片協(xié)同封裝:
  • 使用批量回流工藝將8個(gè)光學(xué)引擎鍵合到基板上
  • 匹配交換芯片凸點(diǎn)和硅基光電子技術(shù)Chiplet的間距,以實(shí)現(xiàn)高岸線帶寬密度
    6 s5 K7 q6 V6 h  m/ y; u4. 光學(xué)連接器組裝:
  • 安裝可拆卸光學(xué)連接器
  • 連接遠(yuǎn)程激光模塊(RLMs)5 t" @7 `" ?# r+ n4 C
    圖3顯示了帶有shelf和透鏡的光引擎。
    , l' x: I- ^5 X1 n7 d7 d) @6 K
    + F6 L/ C. ?* L% \% h圖3:帶shelf和透鏡的光引擎圖4顯示了最終組裝的CPO及其封裝。
    . O' E; n3 k) C5 ?2 @+ X; f1 ^ $ R/ f6 i6 H6 q: @( _8 J
    圖4:裝在SVK盒中的完全組裝CPO,帶有可拆卸光纖連接器組件系統(tǒng)性能51.2Tb/s CPO交換機(jī)解決方案包括八個(gè)光學(xué)引擎,每個(gè)能夠處理6.4Tb/s(64個(gè)發(fā)送和64個(gè)接收通道,每個(gè)100Gb/s)。關(guān)鍵性能指標(biāo)包括:1. 發(fā)射器性能:
  • TDECQ(PAM4的發(fā)射機(jī)和色散眼圖閉合):?jiǎn)瓮ǖ?.2dB,全64通道1.6dB(最大2.28dB)
  • 消光比(ER):通常4.3dB(最小3.6dB)
  • 平均輸出功率:通常3dBm
    7 J" S3 H  T) i5 p; ?1 j- L圖5和6分別顯示了單通道和全通道操作的眼圖。
    1 t, ]* [/ n- F# Q4 } & a' F. R$ J( p# m4 N, d* ?0 E
    圖5:?jiǎn)瓮ǖ繲x性能
    ) W2 g( h. y; e) `- \$ R$ L9 J
    , {! K5 D: \0 |1 o% g+ C圖6:64通道Tx性能2. 接收器性能:
  • 接收輸入功率有10dB的動(dòng)態(tài)余量
  • 接收器靈敏度:約-6dBm* c& g# g6 k5 V2 W7 c
    圖7說明了接收器的誤碼率(BER)性能。
    : W( D8 e" L$ R6 n
    # i8 Q" ^) g5 d, Q! G( V) y5 y" F圖7:CPO的接收器BER測(cè)試CPO方法的優(yōu)勢(shì)1.增加帶寬密度: 通過將光引擎與交換芯片協(xié)同封裝,該解決方案將標(biāo)準(zhǔn)25.6Tb/s解決方案的帶寬翻倍,而不增加系統(tǒng)功耗。2.提高能源效率: 交換芯片和光引擎之間的短互連長(zhǎng)度導(dǎo)致非常低的插入損耗,將能源效率提高到3.可擴(kuò)展性: 這種方法允許獨(dú)立優(yōu)化封裝密度、每通道速度和每通道波長(zhǎng)數(shù)。4.成本效益高的制造: 利用成熟的半導(dǎo)體制造和封裝工藝,實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和提高可靠性。5.靈活性: 可拆卸光學(xué)連接器允許輕松的現(xiàn)場(chǎng)更換和維護(hù)。
    ; |) q4 Y1 f# [2 g8 c" @4 ?未來展望隨著數(shù)據(jù)中心需求的持續(xù)增長(zhǎng),CPO技術(shù)有望進(jìn)一步發(fā)展:1.更高密度: 改進(jìn)的封裝技術(shù)可以導(dǎo)致更短的互連長(zhǎng)度,進(jìn)一步提高性能。2.增加數(shù)據(jù)速率: 使用先進(jìn)的CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的串行線路速率,如200Gb/s,在最小化所需電路面積的同時(shí)增加總吞吐量。3.新興技術(shù)的集成: 未來的迭代可能會(huì)結(jié)合新材料或結(jié)構(gòu),推動(dòng)光通信性能的邊界。. ]4 I8 A2 S! \2 k( M
    用于Co-Packaged Optics的硅基光電子技術(shù)Chiplet的高密度集成代表了數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的重大進(jìn)展。通過解決傳統(tǒng)光學(xué)收發(fā)器的局限性并利用硅基光電子技術(shù)的優(yōu)勢(shì),這種方法為更高效、推進(jìn)了可擴(kuò)展和強(qiáng)大的數(shù)據(jù)中心架構(gòu),以滿足數(shù)字世界不斷增長(zhǎng)的需求。
    6 L; |8 Q' [* F0 M' e8 y: v參考文獻(xiàn)[1]S. Kannan et al., "High Density Integration of Silicon Photonic Chiplets for 51.2T Co-packaged Optics," 2024 IEEE 74th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2024, pp. 81-84, doi: 10.1109/ECTC51529.2024.00022.6 t. I0 y6 U$ K5 ?% {' R
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