Nanophotonics|硅基光電子技術(shù)在高速通信中應(yīng)用的最新進(jìn)展與未來展望

逍遙設(shè)計(jì)自動(dòng)化

引言硅基光電子技術(shù)憑借成熟的硅微電子加工基礎(chǔ)設(shè)施，已成為高速通信領(lǐng)域的重要技術(shù)。本文將探討硅基光電子集成芯片關(guān)鍵組件的最新進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注波導(dǎo)光柵耦合器、光信號(hào)處理器和高速調(diào)制器[1]。


波導(dǎo)光柵耦合器波導(dǎo)光柵耦合器（WGC）是硅基光電子技術(shù)中的基礎(chǔ)元件，用于光纖和光電子集成芯片之間的接口。最近的研究在耦合效率、帶寬和偏振處理方面取得了顯著進(jìn)展。

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圖1：優(yōu)化移位圖案覆蓋光柵耦合器的橫截面視圖。
圖1展示了使用多晶硅覆蓋層的高效率光柵耦合器設(shè)計(jì)。這種方法可實(shí)現(xiàn)亞分貝耦合損耗，同時(shí)保持與標(biāo)準(zhǔn)硅基光電子代工工藝的兼容性。多晶硅覆蓋層相對(duì)于下層硅光柵的移位位置可以精確控制光柵強(qiáng)度和方向性，從而提高耦合效率。
( `& o6 Q. q3 `最近的進(jìn)展還開發(fā)出了1-dB帶寬超過100 nm的寬帶光柵耦合器。這比傳統(tǒng)設(shè)計(jì)（通常約30 nm）有顯著改進(jìn)，主要通過使用諧振腔增強(qiáng)結(jié)構(gòu)和鏡像對(duì)稱性實(shí)現(xiàn)。

圖2：寬帶波導(dǎo)光柵耦合器。（a） 橫截面視圖，（b） 顯微鏡圖像，（c） 寬帶光柵耦合器的模擬和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。（PDF中的圖7）
" Q% X. e* ]/ E圖2展示了寬帶光柵耦合器的設(shè)計(jì)和性能。諧振腔增強(qiáng)結(jié)構(gòu)和鏡像對(duì)稱性顯著擴(kuò)大了帶寬，使這些耦合器適用于粗波分復(fù)用（CWDM）通信。
另一項(xiàng)重要進(jìn)展是多模波導(dǎo)光柵耦合器（MWGC），能夠在多模光纖中選擇性地激發(fā)不同模式通道，用于模分復(fù)用（MDM）通信。

6 ^5 v, ^1 c: _圖3：多模波導(dǎo)光柵耦合器（MWGC）。（a） 用于少模光纖的高效MWGC示意圖。（b） 優(yōu)化移位圖案覆蓋MWGC的橫截面視圖。（c） 光柵亞波長結(jié)構(gòu)的有效折射率與上層多晶硅覆蓋層相對(duì)下層的移位關(guān)系。（PDF中的圖8）
" g! u- Y( [% f圖3所示的MWGC設(shè)計(jì)允許多模硅波導(dǎo)與少模光纖之間多個(gè)空間模式的高效耦合。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)未來高容量光通信系統(tǒng)中的模分復(fù)用非常重要。
光信號(hào)處理器光信號(hào)處理器在先進(jìn)的光通信中發(fā)揮重要作用，可在光域中執(zhí)行矩陣運(yùn)算。與傳統(tǒng)的數(shù)字信號(hào)處理器相比，這些處理器在速度和能效方面具有優(yōu)勢。

, u4 H( p" K3 J9 ]圖4：用于矩陣變換的集成處理器。（a） 典型MZI。（b） 具有平衡相移器的MZI。（c） 作為可變分束器的可調(diào)諧方向耦合器。（d） 基于微環(huán)諧振器的單元用于單一變換。（e） 使用雙模慢光波導(dǎo)的可調(diào)諧單元。（f， g） 使用（a）-（e）中基本單元的單一變換通用架構(gòu)。（h） 使用多平面光轉(zhuǎn)換的單一變換。
6 A' F6 u# A6 x  R# E圖4展示了能夠執(zhí)行矩陣變換的各種集成光學(xué)處理器設(shè)計(jì)。這包括傳統(tǒng)的馬赫-曾德干涉儀（MZI）設(shè)計(jì)，以及使用微環(huán)諧振器和慢光增強(qiáng)周期性雙模波導(dǎo)的替代方法。
最近在光信號(hào)處理器方面的進(jìn)展使多模光場的生成和控制成為可能，這對(duì)MDM系統(tǒng)中的模式解擾非常重要。

圖5：用于模式操控的可編程光電子技術(shù)。（a） 理論示意圖。（b） 用于生成和控制自由空間結(jié)構(gòu)光束的光子處理器。（c） 用于動(dòng)態(tài)控制多模光纖遠(yuǎn)端模場分布的光子處理器。
" d1 G5 N& H1 ^  ~0 O8 K圖5展示了可編程光子處理器在操控光學(xué)模式方面的多功能性。這些處理器可以生成和控制結(jié)構(gòu)光束，并動(dòng)態(tài)調(diào)整多模光纖輸出端的模場分布。
% k0 O. b2 K, N% n5 B高速調(diào)制器硅基光電子調(diào)制器是高速光通信的重要組件。最近的發(fā)展將這些調(diào)制器的性能推向了新的極限，使單個(gè)通道的數(shù)據(jù)速率超過300 Gb/s。

0 o% G, p* k+ J" M9 k- S0 ~圖6：330 Gb/s微環(huán)調(diào)制器（MRM）。（a） 制造的器件，（b） 電光S21，（c） 光學(xué)傳輸，（d） PAM-8誤碼率。
圖6展示了最先進(jìn)的硅微環(huán)調(diào)制器（MRM），能夠使用PAM-8調(diào)制實(shí)現(xiàn)高達(dá)330 Gb/s的數(shù)據(jù)速率。MRM的緊湊尺寸和高調(diào)制效率使其非常適合集成到多通道光收發(fā)器中。
9 L' o$ c; Q6 s( {/ Q# i1 f另一種有前途的高速調(diào)制技術(shù)是GeSi電吸收調(diào)制器（EAM）。這些調(diào)制器具有高帶寬、緊湊尺寸和低驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)點(diǎn)。
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: x' ^9 c  O& y  e0 P& g圖7：用于緊湊型硅基光電子收發(fā)器的GeSi-EAM和GeSi-光電二極管。（a） 制造的收發(fā)器，（b） GeSi-EAM的電光S21，（c） GeSi-PD的光電S21。
: X- d& ?1 ]6 d# G! g9 m8 v" I5 y圖7展示使用GeSi-EAM和GeSi-光電二極管技術(shù)的集成收發(fā)器。緊湊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高速操作，已證明可在112 Gbaud PAM-4調(diào)制下工作。
7 j- `- V+ n2 V- L$ }9 X  Q$ F結(jié)論硅基光電子技術(shù)的最新進(jìn)展顯著提高了高速光通信關(guān)鍵組件的性能。波導(dǎo)光柵耦合器現(xiàn)在可以實(shí)現(xiàn)亞分貝耦合損耗、更寬的帶寬，并支持多種模式和偏振。光信號(hào)處理器能夠在光域中高效執(zhí)行矩陣運(yùn)算和模式解擾，為先進(jìn)調(diào)制格式和模分復(fù)用技術(shù)提供了基礎(chǔ)�；�于微環(huán)諧振器和電吸收效應(yīng)的高速調(diào)制器已經(jīng)展示了超過300 Gb/s每通道的數(shù)據(jù)速率。
6 E1 E4 C2 q9 `這些發(fā)展對(duì)滿足數(shù)據(jù)中心和電信網(wǎng)絡(luò)日益增長的高數(shù)據(jù)速率需求非常重要。隨著研究的繼續(xù)，我們可以期待在集成密度、能效和整體系統(tǒng)性能方面取得進(jìn)一步的改進(jìn)，從而鞏固硅基光電子技術(shù)在下一代光通信系統(tǒng)中的地位。
( V1 x! \" q% [" g: ?( {6 E7 a硅基光電子技術(shù)的未來發(fā)展方向可能包括：

進(jìn)一步提高器件的集成度和性能，如開發(fā)更高效的光源和探測器。

擴(kuò)展波長范圍，探索中紅外和遠(yuǎn)紅外波段的應(yīng)用。

改進(jìn)制造工藝，提高良品率和一致性，降低成本。

開發(fā)新的光電子集成芯片架構(gòu)，如三維集成和異質(zhì)集成。

探索硅基光電子技術(shù)在量子通信和光計(jì)算等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

研究光電共封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更緊密的光電集成。

開發(fā)適用于5G及未來6G網(wǎng)絡(luò)的硅基光電子解決方案。

改進(jìn)設(shè)計(jì)工具和仿真軟件，加速硅基光電子器件和系統(tǒng)的開發(fā)周期。[/ol]
這些進(jìn)展將推動(dòng)硅基光電子技術(shù)在高速通信、數(shù)據(jù)中心互連、傳感器、光計(jì)算和其他領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，為未來的信息技術(shù)發(fā)展提供強(qiáng)大支持。
參考文獻(xiàn)[1]X. Zhou, D. Yi, D. W. U Chan and H. K. Tsang, "Silicon photonics for high-speed communications and photonic signal processing," npj Nanophotonics, vol. 1, no. 27, pp. 1-14, 2024.
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