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Physical Review X | 在納米光子線路上捕獲原子:量子科學(xué)的新前沿

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發(fā)表于 2024-9-17 08:05:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言
  |1 q$ f+ F: d9 _4 `" v8 K; B% [將冷原子與納米光子器件集成為量子傳感、計(jì)量和信息處理帶來了新的機(jī)遇。然而,在集成光電子線路上高效捕獲大量原子一直是重大挑戰(zhàn)。在本文中將探討Zhou等人展示的突破性技術(shù),可以直接在納米光電子微環(huán)諧振器上裝載和捕獲冷原子團(tuán)[1]。
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關(guān)鍵創(chuàng)新:簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻0 L, ~: y4 z+ |* Z9 F& V3 \
研究人員通過在硅氮化物微環(huán)諧振器上方形成的微陷阱中采用簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻(dRSC)實(shí)現(xiàn)了高效的原子捕獲。一個(gè)關(guān)鍵的洞見是,微環(huán)的回廊模式(WGM)的倏逝場(chǎng)為原子創(chuàng)造了內(nèi)置的自旋-運(yùn)動(dòng)耦合。
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' ^4 H7 @( ^  H6 g
圖1. 這幅圖說明了在納米光子微環(huán)電路上捕獲原子的過程。冷原子通過光學(xué)微陷阱和虛擬磁場(chǎng)被捕獲。虛擬磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了自旋-運(yùn)動(dòng)耦合,并通過簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻(dRSC)進(jìn)行冷卻。原子陷阱的配置影響探測(cè)光的透射信號(hào)。8 D# E  d: _" y; B9 x; k
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如圖1所示,該裝置包括:
  • 一個(gè)從底部照射的光學(xué)引導(dǎo)(OG)束,創(chuàng)造一個(gè)漏斗狀的吸引勢(shì)。
  • 在微環(huán)中激發(fā)的藍(lán)失諧回廊模式 (WGM) 創(chuàng)造一個(gè)排斥性的倏逝場(chǎng)勢(shì)壘。
  • 一個(gè)偏置磁場(chǎng),定義量子化軸。
  • 一個(gè)用于冷卻的光學(xué)泵浦束。7 U9 x! H3 X: g/ [: K% F
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    冷卻機(jī)制- o* q( [7 F! k0 F6 L5 }
    WGM的倏逝場(chǎng)在波導(dǎo)上方約98%是圓偏振的。這造成了一個(gè)相當(dāng)于作用在原子上的虛擬磁場(chǎng)的位置依賴性矢量光移。場(chǎng)振幅沿z軸(垂直于芯片表面)呈指數(shù)衰減,導(dǎo)致顯著的自旋-運(yùn)動(dòng)耦合。+ |- d9 G$ m( Q6 k& Y
    * a3 M  M1 C; {1 H  W  A# ^
    這種耦合允許簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻:
    7 C  Y' k8 ~! O6 S
  • 虛擬場(chǎng)在相鄰磁能級(jí)的簡(jiǎn)并陷阱態(tài)之間創(chuàng)造拉曼耦合。
  • 在蘭姆-迪克區(qū)域進(jìn)行σ+躍遷的光學(xué)泵浦允許被捕獲的原子被泵浦到能量降低的暗態(tài)。
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    & U0 T7 w! T3 H. W8 k  _& l5 j/ I實(shí)驗(yàn)流程
  • 在距離電路較遠(yuǎn)的光學(xué)漏斗中使用磁光陷阱(MOT)預(yù)冷銫原子。
  • 引導(dǎo)原子向表面微陷阱移動(dòng)。
  • 執(zhí)行dRSC以冷卻靠近表面的引導(dǎo)原子。
  • 通過原子引起的微環(huán)透射譜中的透明度來檢測(cè)被捕獲的原子。
    , z" O$ ]2 I, }, z- R: Y[/ol]
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    2 W% S/ G$ O, L; W7 D- R6 K) ^
    結(jié)果和分析
    2 b: }0 ^! V# L0 g& J) J% o3 ~7 ~0 v. T研究人員使用這種技術(shù)取得了顯著的結(jié)果:
  • 陷阱壽命:他們展示了在|F=3, mF=3?態(tài)極化的被捕獲原子的單體壽命約為230毫秒。通過連續(xù)冷卻,壽命延長到接近一秒。
  • 被捕獲原子數(shù)量:該技術(shù)允許在約10立方微米的小微陷阱體積中捕獲多達(dá)N≈70個(gè)原子。
  • 溫度:被捕獲的原子達(dá)到了低溫Ttrap≈23μK,對(duì)應(yīng)的平均振動(dòng)量子數(shù)ν?≈14。
  • 協(xié)同耦合:被捕獲的原子表現(xiàn)出大的協(xié)同耦合和向微環(huán)的WGM的超輻射衰減。6 P4 W3 P3 c' \# i7 q: N( K
    [/ol]
      ^: g$ G1 N$ f$ Q' Q4 }! u. j6 t9 |% J, ]1 U  i4 V  N
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    圖2. 這幅圖展示了被捕獲原子中觀察到的協(xié)同耦合和超輻射衰減。通過控制陷阱中的原子數(shù)量,測(cè)量了穩(wěn)態(tài)透射譜和脈沖激發(fā)衰減率。結(jié)果顯示了協(xié)同度與衰減率之間的關(guān)系,衰減率隨著協(xié)同度的增加而增加。觀察到的衰減率略低于理論預(yù)期,這可能是由于探測(cè)回廊模式(WGM)的反向散射造成的。! C' t2 n) k3 a' C" W  B' x
    / k6 b6 ?' P; Y2 y  k
    圖2展示了一些關(guān)鍵的實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
    % k$ a3 i  I2 e(b) 不同數(shù)量被捕獲原子的穩(wěn)態(tài)透射譜。2 M% _7 _4 Z! c/ q1 K
    (c) 通過脈沖激發(fā)測(cè)量觀察到的超輻射衰減。1 d* w- C' E" o2 h9 ^2 ]
    (d) 歸一化衰減率與協(xié)同度的關(guān)系,顯示了原子-光子耦合的集體增強(qiáng)。# s  ~- o: M; J  X9 l- t6 v

    ' X# S  r7 T' F- b) Y; H- C

    1 l5 N7 ?- q9 E4 ~8 J意義和未來方向
    ; {: F; ?4 q! m; v5 v$ Y" f/ S這項(xiàng)工作代表了冷原子與集成納米光子電路接口的重大進(jìn)展。潛在的應(yīng)用和未來方向包括:
  • 量子非線性光學(xué):實(shí)現(xiàn)的強(qiáng)集體耦合可能使少光子水平的光子-光子相互作用進(jìn)入新的領(lǐng)域。
  • 量子模擬:該平臺(tái)可用于設(shè)計(jì)原子之間的長程相互作用,以模擬量子多體系統(tǒng)。
  • 量子傳感和計(jì)量:芯片上大量集體耦合的原子可能提高原子干涉儀和原子鐘的靈敏度。
  • 量子化學(xué):該技術(shù)可能擴(kuò)展到捕獲和研究超冷分子,為量子水平的可控化學(xué)開辟新途徑。
  • 可擴(kuò)展性:研究人員表示,通過將微陷阱擴(kuò)展到覆蓋整個(gè)微環(huán)周長,被捕獲的原子數(shù)量可能至少增加10倍。
  • 進(jìn)一步冷卻:通過實(shí)施更緊密的束縛(例如,使用雙色倏逝場(chǎng)陷阱),可能將原子冷卻到接近振動(dòng)基態(tài),并抑制非彈性碰撞。
  • 增加耦合:將原子轉(zhuǎn)移到更靠近表面的更緊密陷阱(z_c≈100 nm)可能顯著增加單原子協(xié)同度到C_1?10。
    % T4 F* P' c  }" z3 j3 t) f) a[/ol]
    ' U+ m9 X: j% T9 G結(jié)論
    $ D, S" e2 j. ~8 W8 W4 A& @Zhou等人展示的在納米光子電路上捕獲原子的技術(shù)代表了量子光學(xué)和原子物理領(lǐng)域的重大進(jìn)步。通過利用倏逝場(chǎng)的獨(dú)特性質(zhì)并采用巧妙的冷卻策略,他們?yōu)樵诩晒庾有酒蟿?chuàng)建大量集體耦合的原子開辟了新的機(jī)遇。這項(xiàng)工作為量子信息處理、傳感和基礎(chǔ)物理研究的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。7 y3 y2 c& c3 c7 ^  S
    ' d2 U# c& z+ b4 Q/ W2 Y8 Y# C' o. a
    隨著該領(lǐng)域研究的進(jìn)展,可以期待看到更加復(fù)雜的原子-納米光子接口,可能導(dǎo)致緊湊、可擴(kuò)展的量子器件,結(jié)合原子系統(tǒng)和集成光子學(xué)的最佳特性。這項(xiàng)開創(chuàng)性研究展示的創(chuàng)新為芯片上的量子技術(shù)未來帶來了新的可能性。9 c$ i0 Z% P9 p$ e

    + u- V% y: p7 G
    + p8 p, t. o5 |7 A& S9 s
    參考文獻(xiàn)
      `/ v% R. ^0 z2 q- C& t% X[1] X. Zhou, H. Tamura, T.-H. Chang, and C.-L. Hung, "Trapped Atoms and Superradiance on an Integrated Nanophotonic Microring Circuit," Phys. Rev. X, vol. 14, no. 3, p. 031004, Jul. 2024.
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