|
引言
L; M0 B5 a% `$ {& K, ~/ C可編程光電子集成線路(PPICs)正在成為一項(xiàng)具有巨大創(chuàng)新潛力的新興技術(shù),在量子光學(xué)、通信和機(jī)器學(xué)習(xí)等多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這些線路可以被編程執(zhí)行各種功能,無(wú)需定制設(shè)計(jì),有望徹底改變我們?cè)谛酒喜倏v光的方式。本文將探討PPICs的不同架構(gòu),重點(diǎn)關(guān)注其路由能力以及各種因素對(duì)性能的影響。
4 A) J+ ~0 X, M$ y% |; c n1 Q: E# I. I* ]$ T$ T4 ]& H$ w
5vyxtxmpa2v6403225552.png (365.31 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
5vyxtxmpa2v6403225552.png
7 天前 上傳
) }* [* W: B" e. k6 j; O; s) L" `' ^1 H' O6 m9 u% @' F
Mesh架構(gòu)
! H4 a7 I/ `- X1 H1 w' U1 EPPIC的核心是由波導(dǎo)和可調(diào)諧耦合器組成的mesh結(jié)構(gòu)。這些耦合器可以被編程為不同的狀態(tài)(直通、交叉或耦合),從而靈活控制線路中的光流。這些組件的排列形成了mesh架構(gòu),對(duì)線路的路由能力有顯著影響。+ E9 @ h/ g- u
: O1 C; T D, ]5 K: ?2 l9 }" U
讓我們來(lái)檢視四種主要的mesh架構(gòu):三角形tile方形tile六邊形tile環(huán)連接直線(RCSL)8 I$ W- k# Q+ c X
[/ol]3 x( w& g6 x& o( p7 u
6 G- \' E: `. ]" Q! y- w
c3d4blilch46403225653.png (265.82 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
c3d4blilch46403225653.png
7 天前 上傳
3 B( f; C5 f3 q
圖1展示了這四種架構(gòu)。
- {9 ?2 F. p: l! X/ I每種架構(gòu)都有其獨(dú)特的特征,影響路由性能:
F3 a% q; J+ `/ T3 c2 k$ z8 n) m+ T3 q1 K3 Y' U
1. 三角形tile(圖1a):這種架構(gòu)使用最小的規(guī)則形狀進(jìn)行鋪設(shè)。然而,它傾向于為光信號(hào)創(chuàng)建低效的之字形路徑。
7 B' r2 S$ H8 n# R+ J' b. S
6 B1 k) A( ~& \, J* b4 C2. 方形tile(圖1b):一種常見(jiàn)且簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì),但在某些路由情況下可能導(dǎo)致不必要的長(zhǎng)路徑。* n' L$ y/ D9 ] z- m
- @( Q9 v1 W' Z- A2 D; T1 k
3. 六邊形tile(圖1c):這種架構(gòu)在路由方面提供了更多的靈活性,通常被認(rèn)為是最有潛力的設(shè)計(jì)。% ~, W: N) x! P: u" K, e
4 R( ?; Q. h: k6 _4 x: a# L( q! l
4. 環(huán)連接直線(圖1d):這項(xiàng)研究中引入的一種新型設(shè)計(jì),旨在提供高效的直線路由選項(xiàng)。: {2 i% R/ |) H( @
, U4 D" b, V+ |1 L8 s
1 o# k+ H. n7 j
光電子Mesh中的路由
p4 n0 \& v7 {/ x5 qPPICs中的路由涉及通過(guò)mesh將光從源端口引導(dǎo)到目標(biāo)端口。每個(gè)可能的連接都可以表示為一個(gè)圖,外部端口作為將光耦合進(jìn)出mesh的接口。
# `- `8 y) E4 e/ s k
4 o3 M, S" s, o; v9 R
2aalc4qhniz6403225753.png (95.73 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
2aalc4qhniz6403225753.png
7 天前 上傳
( n/ ^4 b3 K+ N
圖2顯示了六邊形波導(dǎo)mesh中可能連接的圖形表示。彩色節(jié)點(diǎn)代表外部端口,而內(nèi)部連接說(shuō)明了光在mesh中可能采取的路徑。8 E- I! |+ m7 a% e& e7 x* q
7 l% n* F x# I A比較Mesh架構(gòu)( ?4 I5 I9 K0 |, ?& q. q N8 r+ j
為了評(píng)估不同mesh架構(gòu)的性能,我們需要考慮幾個(gè)因素:
- e- v# n, u2 K7 f! P
$ Y; x$ x: |* k. ^* N+ }0 j1. 最大可路由commodities數(shù):這個(gè)指標(biāo)表示mesh可以支持多少個(gè)同時(shí)連接。) m/ g8 N0 J- r9 ^8 ~- D6 I
5cxeovcojmg6403225853.png (59.59 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
5cxeovcojmg6403225853.png
7 天前 上傳
1 X8 \. z% @1 C+ Y- Y( K圖3顯示了不同mesh架構(gòu)的平均最大可路由commodities數(shù)。六邊形tile和RCSL設(shè)計(jì)始終優(yōu)于三角形和方形tile。0 a# O7 N3 Z/ V5 _6 ~& z
) R1 L, t; n3 ^
2. 平均路徑長(zhǎng)度:這個(gè)指標(biāo)通過(guò)考慮信號(hào)必須通過(guò)的耦合器數(shù)量來(lái)衡量路由效率。
0 z- a1 A- W/ `- c) p9 S
panwcbro4dy6403225953.png (71.93 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
panwcbro4dy6403225953.png
7 天前 上傳
* q& ~0 y. o( w0 [1 ?' ]# A
圖4顯示了不同架構(gòu)的平均路徑長(zhǎng)度。RCSL設(shè)計(jì)平均提供更短的路徑,而三角形tile導(dǎo)致顯著更長(zhǎng)的路徑。# P- P# U- ?- x% l) {
/ \. i I% f8 F: y4 }6 ^( e$ t+ {
3. 路由效率:這可以表示為實(shí)際路徑長(zhǎng)度與端口之間理想直線距離的比率。
) J. \6 J* q R5 d' A4 F1 l3 E
csdz2hzjma06403226053.png (64.2 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
csdz2hzjma06403226053.png
7 天前 上傳
& B, p, a" K- S: S( Z( q1 d
圖5說(shuō)明了不同架構(gòu)的這種效率比率。較低的值表示更高的路由效率。RCSL和六邊形tile的表現(xiàn)通常優(yōu)于方形或三角形tile。
5 z3 _( ~3 Y8 I
0 Z% w; [* |; [3 i* t特定路由場(chǎng)景中的性能
2 o, s1 ]/ W G% M0 V6 O雖然隨機(jī)路由模式提供了一般性能概覽,但特定路由場(chǎng)景可以突出不同架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。6 r; Y- Z. k) L
ceevq4xamns6403226153.png (38.51 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
ceevq4xamns6403226153.png
7 天前 上傳
6 r1 Q: A& S# K) R& b, P# b7 r圖6; n% R8 A# w4 S8 d m/ M
" d" \6 d9 m5 k4 M) D3 ^7 t
圖6顯示了三種預(yù)定義的路由模式:
% D# Z* t f; x' i類型I:平行的南北和東西連接類型II:交叉對(duì)角線連接類型III:只有南北連接. f6 ]( x+ h* ^
I) V: k. N& f% I- ?, [2 ~% w9 A9 C) i' K& I
dla014djsav6403226253.png (177.04 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
dla014djsav6403226253.png
7 天前 上傳
( F% w8 g3 E8 U# B! O2 A
圖7展示了不同架構(gòu)在這些特定場(chǎng)景中的表現(xiàn)。值得注意的是,RCSL在類型I模式中表現(xiàn)出色,而方形tile在類型III模式中表現(xiàn)出人意料的好。
; p% e# X, Q1 `+ ]8 O
) S+ d* m' y- j; u損壞對(duì)Mesh性能的影響
' W& p0 }7 y% I在實(shí)際應(yīng)用中,PPICs可能會(huì)受到制造缺陷或運(yùn)行過(guò)程中的損壞。了解這些問(wèn)題如何影響路由能力對(duì)設(shè)計(jì)穩(wěn)健系統(tǒng)非常重要。
6 x/ H; W; O1 @
4 {9 B* b3 G. q9 `考慮了三種主要的耦合器故障類型:完全故障(100%衰減)卡在交叉模式卡在直通模式
/ R7 @9 ?3 H" c5 B3 {" o9 z[/ol] S0 G/ a, P q
3 H b+ F$ I. D2 I3 W6 E- J
od1jvrwb1l26403226353.png (33.93 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
od1jvrwb1l26403226353.png
7 天前 上傳
& C3 X/ A( Y4 i+ k+ n
圖8說(shuō)明了這些不同的故障模式與正常功能的耦合器的比較。
( z0 ~- N6 y* `" K5 M% S; H: w. o8 d2 _: z8 {
這些故障對(duì)路由性能的影響差異很大:/ S$ L* F8 P) h: a0 E& Z
$ u2 F K, ~$ @% h; B+ i/ a
uixtoqpmxtp6403226453.png (197.14 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
uixtoqpmxtp6403226453.png
7 天前 上傳
/ w7 f9 d3 _: g( f3 }1 ^7 U圖9顯示了不同類型和程度的損壞如何影響路由能力。5 V+ t9 H0 P- q8 b5 j) o
/ g, f7 O" B/ }( {一些關(guān)鍵觀察:+ J' l2 R3 C3 E p
卡在交叉模式的耦合器(圖14a)在約50%的耦合器受影響之前影響相對(duì)較小。卡在直通模式的耦合器(圖14b)導(dǎo)致性能更快下降。完全耦合器故障(圖14c)影響最嚴(yán)重,僅15%的故障耦合器就導(dǎo)致50%的路由能力損失。" u" R9 u- b: ^3 W7 q
3 z+ c M- D+ S& e! p3 @) Q
0 Y& R$ }6 o9 O" ?" F) [+ E6 Y可靠性設(shè)計(jì)
' b1 d( n- t7 o% M了解損壞的影響使設(shè)計(jì)者能夠在其PPIC設(shè)計(jì)中加入適當(dāng)?shù)娜哂。例如,如果已知制造過(guò)程的良率為90%(10%的耦合器不完美),其中一半的不完美導(dǎo)致完全故障,另一半卡在交叉模式,則應(yīng)將mesh大小增加約25%以保持所需的性能水平。
& Z/ c1 t6 q a0 v; p" F/ N; L5 c$ M9 J3 u
( {! ]8 E! Z2 P7 a結(jié)論" N& Z" ?1 F' z8 Z( t5 c
本文提供了可編程光電子集成線路中路由的概述,重點(diǎn)關(guān)注mesh架構(gòu)對(duì)性能的影響。主要要點(diǎn)包括:# L/ X2 ^ R' Q
六邊形tile mesh提供了最佳的整體路由能力,尤其是對(duì)于復(fù)雜的路由場(chǎng)景。新型的環(huán)連接直線(RCSL)架構(gòu)在需要較短路徑長(zhǎng)度的場(chǎng)景中顯示出潛力,特別是當(dāng)mesh預(yù)期不會(huì)被密集使用時(shí)。不同類型的耦合器故障對(duì)mesh性能的影響各不相同,完全故障的影響最為嚴(yán)重。設(shè)計(jì)者可以利用這些信息選擇適當(dāng)?shù)募軜?gòu),并根據(jù)預(yù)期的制造良率和故障模式加入必要的冗余。
& v- X1 f" _/ h1 @1 }1 s+ Z0 s* L' J
隨著PPICs的不斷發(fā)展,理解路由和mesh設(shè)計(jì)的這些基本方面對(duì)于為廣泛的應(yīng)用開(kāi)發(fā)高效可靠的光電子系統(tǒng)將非常重要。: K* E0 e2 D/ v
9 S( c1 V. ?. d& P) E+ W7 X4 K* V
# |9 m* V6 ~ Q$ v5 D/ X4 K參考文獻(xiàn)
7 S: \8 @5 h% W X# O+ { e+ b: R[1] F. Vanden Kerchove, D. Colle, W. Tavernier, W. Bogaerts and M. Pickavet, "Routing impact of architecture and damage in programmable photonic meshes," Photonics Research, vol. 12, no. 9, pp. 1999-2011, Sep. 2024.
7 L' E5 v$ L f% y* ?0 W# M7 K
3 {) ]( H; w) T5 D0 _0 j2 c$ G, a- END -
, O6 K: L3 t, ^4 ^+ m: X6 c% N3 M7 b- o
軟件申請(qǐng)我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請(qǐng)?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無(wú)論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。8 K0 z7 g0 ]& L5 K% g
點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請(qǐng)
N/ m: d1 |+ T
" x5 O- G" m, T$ l: z# `5 \+ ]歡迎轉(zhuǎn)載. f( @5 L' {7 E3 h
; t; x0 W- j, z) J* p5 A! }
轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!3 X0 F# b+ G. m6 T; A) w% h, c
6 C% ?: W$ P1 T% c2 k
. q! X1 k) p# ^0 t' I# e
+ `# {% G# n. Q5 N% w5 f
ezkop4m1tru6403226553.gif (16.04 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
ezkop4m1tru6403226553.gif
7 天前 上傳
# _9 E; F! g( L! H# e0 W6 s
, F$ \, }7 o4 l5 l3 y' c關(guān)注我們3 w8 F9 [( k7 P
9 B6 x/ y. Z1 Q. x3 ?, E7 h8 Q# M
2 l l! D! A$ C, c( N
etfbubc2ztl6403226653.png (31.33 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
etfbubc2ztl6403226653.png
7 天前 上傳
) d/ F& E# R& Z5 @( C |
4 V5 v( r2 a) `
0vklv3l4nyn6403226753.png (82.79 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
0vklv3l4nyn6403226753.png
7 天前 上傳
! J. K4 H8 h$ h% u# b5 Z! J- W
| , b! |& v3 B: G4 z
nkqgs41uc0v6403226853.png (21.52 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
nkqgs41uc0v6403226853.png
7 天前 上傳
, c" A1 S# X2 \* ]( {3 V' @2 z | ! K) Z/ x. N6 i1 A3 M$ i, ?$ a& S
; Y" X1 @5 J+ L+ d' K4 s. g8 [
. J5 L" w: e/ t5 a7 w0 S
* \! w# M5 U: {. r* r7 r關(guān)于我們:
6 ]" ~' O5 N6 G3 }$ A深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開(kāi)發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國(guó)內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
5 n; q7 _5 d- {# a; B; g$ X7 u& j. W2 Z* E1 P
http://www.latitudeda.com/
; M; @) L' m! p1 W7 k: C. l(點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容) |
|