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先進(jìn)封裝中的低損耗介電材料在高速和高頻應(yīng)用中的應(yīng)用

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引言$ z8 \/ {9 H& y0 A. j1 Y( \: [& E
在5G及更高頻率應(yīng)用的時(shí)代,對(duì)高速和高頻應(yīng)用的需求急劇增長(zhǎng)。這些應(yīng)用中的關(guān)鍵組件之一是印刷電路板(PCB)和封裝中使用的介電材料。本文將探討低損耗介電材料的重要性、特性以及各制造商的最新發(fā)展。9 {& ~3 |/ Q0 C* i

- D& V1 \+ r% C  c% F9 V% j為什么需要低損耗介電材料?
9 f( W4 B$ v1 ~: W8 W, P高速和高頻線路的主要目標(biāo)是減少傳輸損耗。傳輸損耗是導(dǎo)體損耗和介電損耗的總和。導(dǎo)體損耗可以通過(guò)使用高附著力技術(shù)制造的極低表面粗糙度銅箔來(lái)解決,而介電損耗則通過(guò)使用具有優(yōu)異介電特性的材料來(lái)緩解,特別是在寬頻率、溫度和濕度范圍內(nèi)具有低且穩(wěn)定的介電常數(shù)(Dk)和損耗因子(Df)。1 y' X+ D9 ]& A% U% s

8 k( P- @1 @" o- g
* Q& Z/ J  y  z& ^1 J1 Y  m. N圖1:傳輸損耗組成3 [$ X4 m4 J$ V0 \% ~' [

( i; n8 S( ?% t$ Q- m低損耗介電材料的關(guān)鍵特性" I/ T& U- a8 S/ r3 |2 P% m. y6 ^
對(duì)于5G等高速和高頻應(yīng)用,介電材料應(yīng)具備以下特性:0 V3 }0 z- `/ v; O
  • 低且穩(wěn)定的Dk和Df值
  • 低熱膨脹系數(shù)(CTE)
  • 低固化溫度
  • 低楊氏模量(
  • 低吸濕率(
  • 固化過(guò)程中低收縮率(
  • 高延伸率
  • 高抗拉強(qiáng)度
  • 長(zhǎng)保質(zhì)期
  • 易于制造
  • 適合組裝
    " L" l0 g! a$ _# [" {0 @

    3 e- e0 g! E9 b& Q低損耗介電材料的最新發(fā)展# J; r' x9 f; n8 D9 r) k& r0 D
    多家公司正在開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的低損耗介電材料。讓我們探討這些發(fā)展:. J7 E5 r4 ?, W+ d$ K& A
    1. NAMICS
    - h* t" a% W& B1 L* ?8 R+ u. XNAMICS開(kāi)發(fā)了一種具有低Df和Dk以及良好附著力的穩(wěn)定介電材料。通過(guò)添加球形二氧化硅(SiO2)填料,保持了充分的柔韌性,同時(shí)具有低CTE。
    ; {: \* `5 d& K. d9 K5 t# B& x1 l/ k0 ^- @% J; {) r6 b
    ; `6 ]8 t1 P4 J2 r+ L
    圖2:NAMICS薄膜的外觀和材料特性' [& N( I% y+ u) o) V
    " T+ d8 R: m% g
    該材料展現(xiàn)出優(yōu)異的特性:, C  D8 N6 D# |$ u5 o
  • 2 GHz時(shí):Dk = 3,Df = 0.0025
  • CTE = 25 × 10^-6 /°C
  • 抗拉強(qiáng)度 = 630 MPa
  • 銅粗糙面(Ra = 1.8 μm)的附著力 = 7 N/cm
  • 銅光滑面(Ra = 0.25 μm)的附著力 = 5.5 N/cm
    0 q: J( A+ v' ]/ R

    ! D0 X  Q- C+ v2. 杜邦3 N2 p$ g( O4 F/ O: I
    杜邦開(kāi)發(fā)了用于5G光電介質(zhì)應(yīng)用的XP-Formulation A和XP-Formulation B。XP-Formulation B使用非丙烯酸酯基新型光系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度光刻,同時(shí)獲得優(yōu)異的電氣特性。
    + P, k" b  H, s* x# u) j
    1 ?8 l/ K) O5 P5 @表1:XP-Formulation A和XP-Formulation B的材料特性
    : o& H& n+ n) t: U# R8 X% E! `' \5 F) R+ V9 a) Q5 q
    XP-Formulation B的主要特性:7 {! t! Y6 V& _: L3 I
  • Df = 0.0022(28 GHz)和0.0029(77 GHz)
  • Dk = 2.5(10-40 GHz)
  • Tg = 170°C
  • 吸水率 = 0.13%' p- i7 U; g; M) M9 m5 @

    & b4 D8 ]& L1 S( P5 g1 v3. 日立/杜邦微系統(tǒng)
    % T4 ]- O+ r, S) ?- C日立/杜邦微系統(tǒng)開(kāi)發(fā)了具有優(yōu)異電氣和機(jī)械特性的非光敏和光敏聚酰亞胺。2 r5 W8 i1 o4 k+ @8 I
    8 g' Z2 Q5 S. m; h5 g4 H# P
    圖3:非光敏和光敏聚酰亞胺的Dk和Df隨固化溫度的變化9 r$ ^7 P2 Y- {% z2 c1 j, u

    2 Y8 N* }3 ~" X/ r新型光敏聚酰亞胺在320°C固化后顯示:. V6 R5 Z9 h# E) ]) j% `/ Y7 b
  • Dk = 3.0(20 GHz)
  • Df = 0.006(20 GHz)
    8 }% `  f3 k+ x0 |5 I
    $ i8 V& Y, J+ M9 P& N) n
    4. JSR* G2 y+ ?% Z! p6 ?# K1 U# a
    JSR利用獨(dú)特的聚合物合成技術(shù)開(kāi)發(fā)了基于芳香族聚醚的HC聚合物。
    5 e# V+ J9 |, A
    9 P( u! N& r, |  k% H; ^9 w# Z' x圖4:HC聚合物在10 GHz時(shí)的Df與Tg關(guān)系9 }/ a9 Q$ W+ Z7 W4 S

    % j2 }$ w- D0 y5 J7 |6 tHC聚合物的特性:
    & q* ]1 l$ v# o$ v
  • Dk = 2.46(10 GHz)
  • Df = 0.0027(10 GHz)
  • 模量 = 3 GPa
  • 抗拉強(qiáng)度 = 62 MPa
  • 延伸率 = 34%
  • Tg = 206°C$ v5 r3 U$ h4 Z; {. g8 c

    0 S5 `2 Z/ R, ?8 k3 j  r; F, t% M; k1 m/ z5. 東麗
    ( J4 c  F# q) V0 \東麗基于分子設(shè)計(jì)方法開(kāi)發(fā)了三種低Dk和Df聚酰亞胺(PI-A、PI-B和PI-C)。! U+ r/ n& ^/ v. g

    6 X+ b4 [% ~. X0 t. p表2:東麗聚酰亞胺的材料特性% c4 @9 j  |5 Q& S
    $ E, n) ?: I& u: l% L2 N
    PI-B聚酰亞胺顯示最佳電氣特性:* Y- {* k4 j7 c" t6 a/ z; K
  • Dk = 2.7(20 GHz)
  • Df = 0.002(20 GHz)
    : x0 ?& n/ R' K" s

    % q& g# d5 f5 N6. 佳能化學(xué)/ C7 F8 Q5 K2 P& b& C" Z- B7 ~+ u
    佳能化學(xué)高級(jí)材料和日本佳能化學(xué)聯(lián)合合成了一種新型嵌段共聚物PRL-29,可作為光刻層應(yīng)用的負(fù)性光刻膠。
    ( h, T: l4 f4 P6 t. C& L: c8 N* m " l7 \7 c& j$ B5 U$ r0 F2 h; N
    圖5:PRL-29的Df和Dk隨頻率的變化
    9 i# @  H2 l6 _7 t" }% ~8 o' T$ ?3 f0 b. r3 D9 N  q
    PRL-29的主要特性:
    % z- Y- x: G) G  W# D) C
  • Dk = 2.5(20-85 GHz平均值)
  • Df = 0.004(20-85 GHz平均值)
  • Tg = 220°C
  • 楊氏模量 = 1.8 GPa
  • 延伸率 = 35%& ~6 S7 Y4 G: |) Q  V6 R

    + z- w2 Y3 N, e; S7. 三菱
    + D& T: Z" ^9 }) I5 B$ [  _" v2 F: \三菱為BT(雙馬來(lái)酰亞胺三嗪)樹(shù)脂開(kāi)發(fā)了新的低極性組分,并使用新開(kāi)發(fā)的聚合物共混技術(shù)將其與主要成分結(jié)合。
    / O  [$ S5 H( k4 O5 q( n / v3 I3 N! [* N( S. \, A; ~& e
    圖6:Df和Dk隨低極性組分含量的變化7 h9 H9 h; c" p2 H

    5 W# S% i! ^1 W: o( `% Y研究發(fā)現(xiàn),25%的低極性組分對(duì)BT復(fù)合材料在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中最為理想。
    ' D2 R2 e# e# c+ _% _; I( p! Q
    ' N5 \* h4 ]0 F% E% O9 }' |7 n8. TAITO INK
    5 z1 h$ b6 ^$ eTAITO INK通過(guò)優(yōu)化環(huán)氧樹(shù)脂和硅膠的混合,開(kāi)發(fā)了一種新型干膜疊層材料(Material A),以實(shí)現(xiàn)下一代基板的低傳輸損耗。! e8 W* r9 A  i! m, |% c6 i

    ) G1 K5 L' ]; D/ E圖7:Material A和傳統(tǒng)材料的Df隨頻率的變化* s' f' U7 e1 k1 A5 e$ }
    ! ^' c+ M7 u) \$ w7 Y$ }, q$ p
    Material A的特性:+ m& c. U/ B7 z6 c" T8 H9 p; _4 l
  • Df = 0.0025(10 GHz)
  • Dk = 3.2(10 GHz)
  • 適用于10至80 GHz的頻率范圍
    ( g* a/ ~- {$ a: Z8 Y/ H- _: K
    / b! H9 G% W; z+ |( o6 E. N1 A1 U
    未來(lái)展望/ U! P, ~5 U6 ^1 C( ~
    根據(jù)各制造商報(bào)告的Df和Dk值,對(duì)未來(lái)進(jìn)行了預(yù)測(cè)。
    / s' o$ I! C' n6 \! L; w3 \( h
    # |  S7 U5 Y# b1 N0 M圖8:未來(lái)5年Df的發(fā)展路線圖5 T3 z' q* s4 c3 U
    2 d1 W# p9 d2 e4 {8 z& s6 m
    , C1 l+ n1 j8 H' c
    圖9:未來(lái)Dk的發(fā)展路線圖
    % T  L4 `! T9 _9 m( ]# |- g2 [9 S
    : Z6 _% r7 e! i( D0 S9 Y5 q2 j2 u這些路線圖顯示,在未來(lái)幾年,Df和Dk值將呈現(xiàn)更低的趨勢(shì),這對(duì)支持高速和高頻應(yīng)用的不斷增長(zhǎng)的需求很重要。2 x* G6 I. |( }" E

    ' w2 A2 r* j2 Z0 W結(jié)論
    . I' ~6 N( |+ ^' z' A1 `低損耗介電材料在實(shí)現(xiàn)高速和高頻應(yīng)用方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,特別是在5G時(shí)代及以后。正如我們所見(jiàn),各制造商正在開(kāi)發(fā)具有越來(lái)越低的Df和Dk值的創(chuàng)新材料,同時(shí)具備其他理想特性,如低CTE、高耐溫性和良好的機(jī)械強(qiáng)度。該領(lǐng)域持續(xù)的研究和開(kāi)發(fā)將繼續(xù)推動(dòng)高頻電子技術(shù)的可能性邊界,為更快速、更高效的通信系統(tǒng)奠定基礎(chǔ)。0 ^* V8 Q0 M5 R, K
    2 o4 v5 `; i( l
    參考文獻(xiàn)# o9 c$ ?  [  t: ^: e& H4 o
    [1] J. H. Lau, "Semiconductor Advanced Packaging," Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2021.: a& @1 o5 X. T: T
    https://www.latitudeds.com/
    2 p  H: w) ]) `7 [8 G1 V9 @$ x6 @/ d  k' W
    - END -
    3 O/ c) R* n; \% w; I6 k2 `5 ]' j
    ' K3 c' p- Q3 Q" v% {- h
    3 a. J/ V( }1 R4 V- q, `6 i軟件申請(qǐng)我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請(qǐng)?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無(wú)論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。8 e. f: K$ s* b
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    1 ?) O8 o: j2 s. Y" ?3 |1 y2 A
    ! `1 f  M( E* C$ T+ T9 \關(guān)于我們:
    ! ^1 c! ~/ D9 m1 c深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開(kāi)發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶(hù)。逍遙科技與國(guó)內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶(hù)提供前沿技術(shù)與服務(wù)。0 Y& T. x+ F6 b, B/ D- w; l
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