基于硅基光電子工藝平臺(tái)的低串?dāng)_光波導(dǎo)用于將激光傳遞給多個(gè)量子比特

逍遙設(shè)計(jì)自動(dòng)化

引言
許多量子計(jì)算系統(tǒng)的核心是基于物質(zhì)的量子比特，如trapped ions、中性原子和氮空位中心。這些量子比特需要使用激光進(jìn)行精確控制，以完成初始化、操控和讀取等各種操作。然而，隨著量子系統(tǒng)規(guī)模的擴(kuò)大，將激光傳遞給多個(gè)量子比特并同時(shí)最小化串?dāng)_變得越來越具有挑戰(zhàn)性。

, y3 \9 y% |$ e' j本文將探討這個(gè)問題的創(chuàng)新解決方案：由CMOS代工廠生產(chǎn)的、微制造的氮化硅（Si3N4）光波導(dǎo)系統(tǒng)。這種技術(shù)能夠?qū)⒓す饩�確地傳遞到多個(gè)量子比特，同時(shí)保持最小的串?dāng)_[1]。

6 K" V  D; E! v. s( p7 h光電子芯片設(shè)計(jì)和制造
3 o' B! y- e- h實(shí)現(xiàn)低串?dāng)_激光傳遞的關(guān)鍵在于光電子芯片的精心設(shè)計(jì)和制造。讓我們來研究這個(gè)過程的關(guān)鍵方面。

7 s8 U9 @8 t9 d3 I) K+ L, i
6 D6 J4 D4 `' \6 d; _: I  \6 W, k圖1展示了光電子芯片平臺(tái)的設(shè)計(jì)和仿真。(a) 芯片的顯微鏡圖像，包含多個(gè)設(shè)備變體。(b) 波導(dǎo)輸出的橫截面視圖，展示了分層結(jié)構(gòu)。

代工廠平臺(tái)
光電子芯片是在300毫米的絕緣體上硅（SOI）晶圓上使用商業(yè)CMOS代工廠制造的，確保了與標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝的兼容性，實(shí)現(xiàn)了可擴(kuò)展的生產(chǎn)。

代工廠平臺(tái)的主要特點(diǎn)包括：

通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）沉積的150納米厚的Si3N4波導(dǎo)

5微米的埋氧層（BOX），用于將波導(dǎo)模式與硅襯底隔離

5微米的二氧化硅頂部包覆層
[/ol]
Si3N4波導(dǎo)使用193納米深紫外氬氟（DUV ArF）準(zhǔn)分子激光浸沒光刻進(jìn)行圖形化，然后進(jìn)行蝕刻。這個(gè)過程允許精確控制波導(dǎo)尺寸和間距。
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波導(dǎo)設(shè)計(jì)
波導(dǎo)設(shè)計(jì)對(duì)于實(shí)現(xiàn)低串?dāng)_和高效光傳遞很重要。
3 C7 t4 a8 E# A4 _
圖2顯示了(a)片上路由的仿真波導(dǎo)模式，以及(b)經(jīng)過點(diǎn)尺寸轉(zhuǎn)換后的輸出邊緣耦合器，插圖顯示了輸出端面的掃描電子顯微鏡圖像。

關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮包括：

最佳波導(dǎo)寬度（例如，650納米光的500納米寬度）以確保單模操作和高限制

緊湊的10微米半徑彎曲，損耗低（每90°彎曲低于0.1 dB）

反向錐形點(diǎn)尺寸轉(zhuǎn)換器（SSCs）以擴(kuò)展高度限制的波導(dǎo)模式，實(shí)現(xiàn)與自由空間的高效耦合

6 }$ N( ?, a8 |! E5 S$ C9 U光電子線路架構(gòu)
5 g6 {7 a+ E/ _光電子芯片的整體架構(gòu)在抑制不需要的光和最小化串?dāng)_方面起著關(guān)鍵作用。

關(guān)鍵架構(gòu)特征包括：

戰(zhàn)略性放置90°徑向彎曲，將雜散光重定向遠(yuǎn)離輸出

輸出波導(dǎo)之間深刻蝕的空氣溝槽，用于消除平板模式

控制波導(dǎo)輸出通道的間距，以匹配量子比特陣列間距

在輸出端面進(jìn)行點(diǎn)尺寸轉(zhuǎn)換，以優(yōu)化與量子比特陣列的模式匹配
- j  L1 i1 D1 N! v  C# O
直接光學(xué)表征
1 U5 X3 j) h) c$ V為了評(píng)估制造的光電子芯片的性能，直接光學(xué)表征是必不可少的。這個(gè)過程涉及測(cè)量輸出強(qiáng)度和波導(dǎo)通道之間的串?dāng)_。

$ M( X1 O5 U) p6 G" B
圖3說明了表征波導(dǎo)輸出和串?dāng)_的光學(xué)設(shè)置，包括光纖耦合的聲光調(diào)制器、顯微物鏡和掃描狹縫機(jī)制。

1. 表征技術(shù)
表征設(shè)置包括：

光纖耦合的聲光調(diào)制器（AOM）用于調(diào)制輸入激光幅度

高數(shù)值孔徑物鏡和管透鏡用于形成波導(dǎo)輸出的放大圖像

安裝在線性定位臺(tái)上的窄狹縫（5微米寬度）

可變?cè)鲆婀怆姸�極管用于檢測(cè)透射光

信號(hào)分析儀用于隔離幅度調(diào)制分量
& q2 b" T+ J7 I  m: d5 v
這個(gè)設(shè)置允許對(duì)波導(dǎo)輸出輪廓進(jìn)行高分辨率掃描，并準(zhǔn)確測(cè)量通道之間的串?dāng)_。
  P, p+ M; B" s$ [) ~& n
  y) H  d+ w0 }5 o" A8 P2. 表征結(jié)果

: W" b; T3 e- ^! ?- v圖4顯示了使用50倍成像系統(tǒng)測(cè)量的光電子芯片輸出輪廓，展示了解卷積后的相對(duì)橫向積分強(qiáng)度輪廓。
" H3 v  \( b5 Q- k
表征結(jié)果揭示：
9 `/ F. h2 g) H) x8 `% r! C2 v

由于溝槽的存在，波導(dǎo)通道之間的強(qiáng)度急劇下降

在沒有溝槽的外邊緣，強(qiáng)度下降較慢

展示了溝槽對(duì)串?dāng)_緩解的影響


/ D) z! D2 K1 {圖5顯示了波導(dǎo)輸出的串?dāng)_測(cè)量，包括(a)兩個(gè)緊密間隔波導(dǎo)的相對(duì)強(qiáng)度，(b)為不同波長(zhǎng)設(shè)計(jì)的設(shè)備的強(qiáng)度分布，(c)溝槽波導(dǎo)輸出的2D輪廓，以及(d)通過2D輪廓的線切割的相對(duì)強(qiáng)度。

串?dāng)_測(cè)量的關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)：

相鄰波導(dǎo)輸出之間測(cè)得的串?dāng)_為-50.8(1.3) dB

為493納米、585納米和650納米波長(zhǎng)設(shè)計(jì)的設(shè)備具有相似的串?dāng)_性能

直接光纖掃描方法顯示峰值強(qiáng)度和背景之間的串?dāng)_為-60.6(2.5) dB

演示：激光冷卻trapped ions
為了展示光電子芯片的實(shí)際應(yīng)用，進(jìn)行了涉及激光冷卻trapped barium ions的演示。


6 H8 @; K" p; B: g圖6呈現(xiàn)了trapped-ion和光電子芯片設(shè)置的示意圖，插圖顯示了由全局冷卻光束和光電子芯片輸出照明的八離子鏈的熒光圖像。
' A; d( |7 q' M) L* {
1. 演示技術(shù)
& I7 k2 K$ J4 P9 _演示設(shè)置包括：
& B: f$ r8 _1 ~

四桿射頻Paul trap用于限制晶化的barium ions

493納米和650納米波長(zhǎng)的全局冷卻光束

光電子芯片提供650納米光用于D3/2 ? P1/2回泵躍遷

0.6數(shù)值孔徑透鏡系統(tǒng)用于收集離子散射的光

emcCD相機(jī)用于熒光成像

2. 演示結(jié)果
4 A& J4 U1 |/ x% U演示成功顯示：

當(dāng)被光電子芯片輸出照射時(shí)，離子鏈的熒光和晶化

當(dāng)芯片輸出沿著鏈移動(dòng)時(shí)，單個(gè)離子的尋址

僅使用光電子芯片的回泵光維持冷卻的離子鏈
" F: w, {" ^, y
結(jié)論和未來展望
CMOS代工廠兼容、低串?dāng)_的光電子波導(dǎo)陣列的開發(fā)代表了物質(zhì)基量子比特激光傳遞的重大進(jìn)展。
主要成就包括：
1. 激光輸出的精確、不規(guī)則定位
' y: w; E2 c4 c) t; m* F) s& p8 D2. 實(shí)施雜散光減少技術(shù)
3. 測(cè)得的串?dāng)_為-50.8(1.3) dB，比先前報(bào)道改善了一個(gè)數(shù)量級(jí)
4. 成功演示了trapped Ba+ ions的激光冷卻和晶化
' w3 U( {- E- P6 L
模塊化和可重復(fù)性為未來的量子信息處理系統(tǒng)帶來的好處：
# ^% g' o! e2 R) G1. 可擴(kuò)展的量子網(wǎng)絡(luò)：通過提供量子比特和光纖之間的接口，這些光電子芯片實(shí)現(xiàn)了量子網(wǎng)絡(luò)的創(chuàng)建。
2. 可定制設(shè)計(jì)：制造過程的精確性和靈活性允許為特定量子比特平臺(tái)和應(yīng)用量身定制解決方案。
3. 主動(dòng)設(shè)備集成：雖然演示的設(shè)備是被動(dòng)的，但代工工藝支持實(shí)現(xiàn)主動(dòng)組件，用于更高級(jí)的量子比特控制和操縱。
0 f; d+ [' y2 M: Z( ]4. 增強(qiáng)光收集：本工作中的模式匹配考慮可應(yīng)用于優(yōu)化從量子比特收集光，提高量子態(tài)讀取的效率。
% ~8 G9 r: D7 q3 p: e6 R& m% E- h' m5. 多量子比特尋址：通過添加主動(dòng)組件，這些設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)trapping區(qū)域內(nèi)多個(gè)量子比特的獨(dú)立尋址。
6. 與其他量子技術(shù)集成：這個(gè)平臺(tái)的多功能性使其適用于與各種類型的量子比特接口，包括trapped ions、中性原子和固態(tài)量子比特。

' p& |. K# R2 D& B2 y3 M隨著量子計(jì)算的不斷進(jìn)步，精確控制和操縱大量量子比特的能力將變得越來越關(guān)鍵。本文介紹的光電子波導(dǎo)技術(shù)為這一挑戰(zhàn)提供了有前景的解決方案，為更強(qiáng)大和可擴(kuò)展的量子系統(tǒng)創(chuàng)造了條件。
5 G4 _% d; R) f( L( V4 t- \
通過結(jié)合CMOS制造技術(shù)的精確性和創(chuàng)新的光學(xué)設(shè)計(jì)，這些光電子芯片代表了實(shí)現(xiàn)實(shí)用量子計(jì)算機(jī)和量子網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵一步�？梢云诖�看到串?dāng)_減少的進(jìn)一步改進(jìn)、主動(dòng)組件集成的增加，以及更復(fù)雜的量子比特控制技術(shù)的發(fā)展。
6 @8 F& [4 _7 y3 d- t0 l7 Q7 m9 Z
參考文獻(xiàn)
& F: d) X& M9 Y0 u) V: N[1] C. L. Craft et al., "Low-Crosstalk, Silicon-Fabricated Optical Waveguides for Laser Delivery to Matter Qubits," arXiv:2406.17607v2 [quant-ph], Jun. 2024.
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