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現(xiàn)代半導體先進封裝技術(shù)

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發(fā)表于 2024-11-21 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
先進封裝簡介! K9 y9 {/ y  ?+ N) T& }0 I
先進封裝技術(shù)已成為半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術(shù)手段。本文探討先進封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢[1]。
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圖1展示了硅通孔(TSV)技術(shù)的示意圖和實物照片,顯示了垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)。* {5 D6 H4 U! S; T

; m$ e( y/ e, mXY平面和Z軸延伸的關(guān)鍵技術(shù)/ _9 i  z/ O; S1 Z* o, X) t
現(xiàn)代先進封裝可分為兩種主要方式:XY平面延伸Z軸延伸。XY平面延伸主要利用重布線層(RDL)技術(shù)進行信號布線,而Z軸延伸則采用硅通孔(TSV)技術(shù)實現(xiàn)垂直連接。
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- E. g, H6 k' U: |圖2展示了扇入和扇出重布線的示意圖,說明了重新分布芯片連接的不同方法。
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扇出技術(shù)及演進
3 ~; i9 U/ T' J2 `扇出晶圓級封裝(FOWLP)是先進封裝的重要發(fā)展之一。該技術(shù)將重布線層擴展到芯片區(qū)域之外,在保持緊湊外形的同時增加輸入/輸出連接數(shù)量。該技術(shù)已發(fā)展出集成扇出(InFO)面板級扇出封裝(FOPLP)等變體。
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5 Z6 H+ z( `( J4 \: ?8 H: g5 |- I圖3對比了FIWLP、FOWLP和InFO技術(shù),展示其結(jié)構(gòu)差異和演進過程。
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TSV集成與實現(xiàn)
/ z5 m6 ~  I& C& j- s$ L! qTSV技術(shù)實現(xiàn)了先進封裝中的真正3D集成。TSV可以采用3D或2.5D配置實現(xiàn),每種方法都具有不同應用場景的優(yōu)勢。  n9 P: S6 F' M2 n2 I
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圖4展示了3D TSV和2.5D TSV的示意圖,說明這兩種方法的根本區(qū)別。( f0 C+ t' W8 |+ k) F4 N# x* L
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行業(yè)領導者及解決方案# `- I; ^9 E7 J. W0 D) W- V
主要半導體公司都開發(fā)了自己的先進封裝技術(shù)。臺積電的晶圓級芯片堆疊(CoWoS)技術(shù)在高性能計算應用中得到廣泛應用。
7 Y; c7 N( M) v3 S. r& ~. A
2 M( w4 @; i5 J圖5顯示了CoWoS結(jié)構(gòu)示意圖,展示了芯片在硅中介層和基板上的集成方式。
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2 {  |4 t( U: i先進內(nèi)存集成
; @8 `/ G6 n1 ?* z高帶寬內(nèi)存(HBM)是先進封裝領域的重要突破,特別適用于圖形處理和高性能計算應用。HBM將3D堆疊與高速接口相結(jié)合,實現(xiàn)了極高的內(nèi)存帶寬。8 p/ t& j, \* w$ L; x

' @/ e2 m1 y3 p% ^! Q0 i圖6展示了HBM技術(shù)示意圖和實物剖面,顯示了堆疊內(nèi)存結(jié)構(gòu)和互連方式。# }/ G4 C' E5 ~8 H% d) Q
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英特爾的先進封裝方案
' R) {) N) ^/ H5 F9 ^7 @+ m英特爾推出了嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)Foveros等創(chuàng)新技術(shù)。這些方法提供了實現(xiàn)高密度集成的不同途徑。: Z9 ]6 r4 T2 X/ g6 ~) P, Y5 d
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圖7對比了EMIB、Foveros和CO-EMIB的技術(shù)示意圖和產(chǎn)品剖面,展示了英特爾各種先進封裝解決方案。
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先進封裝的基本要素. _$ A: Y' P! _+ z
先進封裝的基礎建立在四個關(guān)鍵要素之上:RDL、TSV、凸點和晶圓。這些要素共同支持各種集成方法和技術(shù)。* G! S/ V$ b, @
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圖8展示了先進封裝的四個要素:RDL、TSV、凸點和晶圓,說明各要素間的相互關(guān)系。& X9 z: e) Z6 {" z: N. N0 V

6 w( B% \" f, _技術(shù)趨勢與演進
! J6 z- O9 a" j- ^. h9 |9 d+ u隨著技術(shù)進步,這些要素出現(xiàn)了新的發(fā)展趨勢,特別是凸點技術(shù)逐漸向更細間距發(fā)展,在硅對硅接口中可能最終被淘汰。
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6 C% d5 J, K0 T& h圖9顯示了凸點技術(shù)的發(fā)展趨勢,描述了向更細間距演進并最終在硅接口中消失的過程。
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先進封裝與SiP的關(guān)系# x- {3 q5 l1 V) J; ?# D* O# l
先進封裝與系統(tǒng)級封裝(SiP)的關(guān)系復雜,既有重疊又有區(qū)別。雖然所有先進封裝解決方案都旨在提高系統(tǒng)密度和性能,但采用的方法和技術(shù)可能不同。  e+ A7 e2 ]& X5 X* ]

3 j* H% u! J  E0 _" W0 |圖10描述了HDAP和SiP的關(guān)系,展示重疊區(qū)域和獨特特征。  _& }) U) C/ ~" L; V
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未來展望與行業(yè)影響, E" p% t6 ^* [3 t* L( @- _, [4 u" O
先進封裝技術(shù)持續(xù)發(fā)展,新技術(shù)不斷涌現(xiàn),以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品日益增長的需求。從移動設備到高性能計算,先進封裝在推動下一代電子系統(tǒng)發(fā)展中發(fā)揮重要作用。
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近年來,行業(yè)出現(xiàn)了許多重要創(chuàng)新,如臺積電的SoIC和三星的X-Cube等技術(shù),推動了先進封裝技術(shù)的發(fā)展。這些進展表明,先進封裝將繼續(xù)推動半導體創(chuàng)新,提供提升系統(tǒng)性能、降低功耗的新方法。; C+ z: z5 B1 y6 t& Z) {( j3 c4 e

/ V/ o) R4 R7 O: A& M9 x# A  P先進封裝代表了半導體技術(shù)從傳統(tǒng)的"重外部"封裝轉(zhuǎn)向"重內(nèi)部"集成。轉(zhuǎn)變促進了芯片設計團隊和封裝團隊的緊密合作,為現(xiàn)代電子系統(tǒng)提供了更優(yōu)化、更高效的解決方案。# h+ M( ^: U" Z

7 `* |6 z' C' r) j* S6 n% c! b3 m參考文獻
5 Y5 d# d! j! \* X[1] S. Li, "SiP and Advanced Packaging Technology," in MicroSystem Based on SiP Technology. Beijing, China: Publishing House of Electronics Industry, 2022, ch. 5, pp. 117-154.: W7 {( }7 [% ?0 J2 W2 r
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; z% m9 J, p, Y' d$ E: w深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務。
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