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引言; C8 Q( L$ P1 W7 u. z. [
硅基光電子已成為多種光學(xué)應(yīng)用的變革性技術(shù),包括傳感領(lǐng)域。本文探討創(chuàng)新的硅基光電子折射率(RI)傳感器,該傳感器利用亞波長光柵(SWGs)實現(xiàn)的零串?dāng)_響應(yīng),相比傳統(tǒng)傳感方法具有獨特優(yōu)勢,在小型化的同時提供了高靈敏度[1]。5 x2 f5 J! E! B2 c8 H; x. ]
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零串?dāng)_傳感的概念, T+ W6 A) n# L8 c2 Z8 N* k
該傳感器的核心理念是利用SWGs的各向異性特性,在兩個耦合波導(dǎo)之間實現(xiàn)零串?dāng)_條件。與傳統(tǒng)的定向耦合器不同,該傳感器在光譜中呈現(xiàn)單一的傳輸凹陷,對周圍折射率變化高度敏感。3 B, @" m0 s* b( ]$ p1 T- H9 d/ a
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圖1:基于SWG輔助的零串?dāng)_RI傳感器示意圖,展示了器件結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵組件。
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傳感器由兩個平行的硅波導(dǎo)組成,SWGs垂直于傳播方向排列。通過精心設(shè)計SWG參數(shù),可以在特定波長創(chuàng)造波導(dǎo)間串?dāng)_為零的條件。這個零串?dāng)_點對包層折射率變化高度敏感,構(gòu)成了傳感機(jī)制的基礎(chǔ)。5 h! q1 ~3 R( W4 x2 r0 U
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設(shè)計與優(yōu)化$ |* A) B' ^& Q; `. p+ Q
為實現(xiàn)最佳傳感性能,需要考慮幾個關(guān)鍵參數(shù):) v% B2 q8 m' x; x
1. SWG設(shè)計:亞波長光柵對創(chuàng)造零串?dāng)_所需的各向異性環(huán)境至為關(guān)鍵。光柵周期、占空比和寬度經(jīng)過精心優(yōu)化以實現(xiàn)預(yù)期效果。
2 a1 d( M" k3 U- [2. 波導(dǎo)幾何:耦合波導(dǎo)的寬度和間隔影響導(dǎo)波模式與傳感介質(zhì)的相互作用。
9 x* p6 f. U5 X; o2 ?3. 工作波長:傳感器設(shè)計為在電信C波段約1550 nm處工作,以兼容標(biāo)準(zhǔn)光子組件。
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圖2:3D弗洛凱模態(tài)仿真的設(shè)計優(yōu)化結(jié)果,展示了不同包層折射率下的耦合長度和功率比。2 U. ]! `' X. r- h/ V2 Q% ]2 Z
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使用3D弗洛凱模態(tài)分析的數(shù)值仿真有助于優(yōu)化這些參數(shù)。目標(biāo)是最大化零串?dāng)_點對包層折射率變化的敏感性,同時保持清晰明確的光譜特征。+ O4 [9 Y4 M3 R- t- Q. d; t
3 E( |. A$ H2 K/ B$ ~4 s
SWGs增強(qiáng)靈敏度2 W% h0 A4 s# m1 p
在此傳感器設(shè)計中使用SWGs的一個關(guān)鍵優(yōu)勢是相比傳統(tǒng)條形波導(dǎo)靈敏度得到提高。SWG結(jié)構(gòu)允許光學(xué)模式與傳感介質(zhì)有更大的相互作用。! R8 t. a+ S* R S$ W, t
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, B3 x3 `/ S' e* D' \; |8 k圖3:比較SWG和條形波導(dǎo)配置的靈敏度分析,展示了基于SWG的傳感器性能提升。
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外部限制因子代表與包層相互作用的光場分量,在SWG波導(dǎo)中顯著更高。這導(dǎo)致耦合波導(dǎo)的對稱和反對稱模式之間的模態(tài)靈敏度差異更大,最終提高了器件靈敏度。% a3 E7 v' |* A0 E9 k7 |
. [1 }5 J V: d
實驗驗證
, }1 y Q" K+ B1 V/ ]% \% F$ I' c為驗證概念,在硅絕緣體(SOI)平臺上使用電子束光刻和反應(yīng)離子刻蝕制造了傳感器。用于表征傳感器性能的實驗裝置如下所示:6 i% J! ]1 V' E3 Z# P6 z
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圖4:實驗表征裝置,包括器件的光學(xué)圖像和SWG結(jié)構(gòu)的SEM圖像。 Q& }; U7 Z/ P! a- A0 g( e) {
- P3 Q0 O1 ]/ l4 J- H7 K使用可調(diào)諧激光源和功率計監(jiān)測直通和耦合端口輸出,測量了傳感器對不同包層折射率的響應(yīng)。結(jié)果顯示隨著包層折射率增加,光譜凹陷明顯藍(lán)移。$ R$ V- X! q( @* s
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) ]; C6 C1 [. L9 _. c8 I6 s圖5:不同包層液體折射率下測得的功率比光譜,顯示零串?dāng)_點的藍(lán)移。
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1 V6 m2 G0 [+ C+ ~" s* {# L性能指標(biāo), _7 e) Q/ t/ s! v
實驗結(jié)果揭示了這種新型傳感器設(shè)計的優(yōu)異性能指標(biāo):8 @$ a f; I8 N) k% g4 ]3 m
波長靈敏度:約-410 nm/RIU(折射率單位)強(qiáng)度靈敏度:395 dB/RIU器件占用面積:82.8 μm2系統(tǒng)檢測限:2.4 × 10?? RIU(波長),5.2 × 10?? RIU(強(qiáng)度)
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+ K* P! Q; P4 c: B這些數(shù)據(jù)展示了傳感器的高靈敏度和緊湊尺寸,使其能與其他最先進(jìn)的硅基光電子RI傳感器競爭。
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實時傳感能力
5 u% F, G) o/ H$ P: _- \; l該傳感器的一個重要特性是能夠?qū)崟r監(jiān)測折射率變化。這通過使用不同濃度的水中異丙醇(IPA)溶液得到了驗證。
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圖6:時域響應(yīng)演變,顯示不同IPA濃度水溶液的實時傳感。5 G+ c7 g" h X$ F
7 y) c) q$ X9 s/ j6 r通過固定輸入激光波長并持續(xù)監(jiān)測輸出功率比,傳感器可以檢測到引入傳感區(qū)域的不同IPA濃度所造成的微小折射率變化。7 N: R; x) W9 d
, c { F- g. q5 @8 E# B
相比傳統(tǒng)傳感器的優(yōu)勢# n7 c( D2 g9 z3 L2 ~# ^7 z3 ^
這種基于零串?dāng)_SWG的傳感器相比傳統(tǒng)方法具有幾個優(yōu)勢:無自由光譜范圍(FSR)操作:不同于環(huán)形諧振器或馬赫-曾德干涉儀,該傳感器沒有自由光譜范圍限制,允許更寬的檢測范圍。緊湊占用面積:器件在極小面積內(nèi)實現(xiàn)高靈敏度,適合密集集成。簡單讀出:光譜響應(yīng)的切線性質(zhì)允許在固定波長進(jìn)行簡單的基于強(qiáng)度的讀出。多功能性:傳感器適用于波長和強(qiáng)度兩種詢問方案,提供了測量方法的靈活性。
' [3 M* D( Q# p# O r4 }: O[/ol]
$ o0 I1 i; l& t+ R4 P2 Q3 u結(jié)論
) B$ R i; |2 e& b本文介紹的零串?dāng)_硅基光電子RI傳感器代表了片上傳感技術(shù)的進(jìn)展。通過利用亞波長光柵的獨特特性,該器件實現(xiàn)了高靈敏度、小型化和多功能操作。潛在應(yīng)用范圍從生化傳感到氣體檢測,為未來集成光子傳感解決方案提供了很好的平臺。9 [( ~& k& K$ X: V5 m5 C0 {
6 X# c& J3 c2 p1 o% _6 |參考文獻(xiàn)
3 [9 `+ R6 x# F" W) _# X[1] S. Z. Ahmed, M. Hasan, K. Kim and S. Kim, "Zero-crosstalk silicon photonic refractive index sensor with subwavelength gratings," Nano Convergence, vol. 11, no. 39, pp. 1-10, 2024, doi: 10.1186/s40580-024-00446-1.9 r) v- T. u/ G/ t) l6 a. B9 \
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深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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