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基于硅基光電子技術(shù)的零串?dāng)_亞波長光柵折射率傳感器

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發(fā)表于 2024-11-22 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言; C8 Q( L$ P1 W7 u. z. [
硅基光電子已成為多種光學(xué)應(yīng)用的變革性技術(shù),包括傳感領(lǐng)域。本文探討創(chuàng)新的硅基光電子折射率(RI)傳感器,該傳感器利用亞波長光柵(SWGs)實現(xiàn)的零串?dāng)_響應(yīng),相比傳統(tǒng)傳感方法具有獨特優(yōu)勢,在小型化的同時提供了高靈敏度[1]。5 x2 f5 J! E! B2 c8 H; x. ]
/ F6 l6 o0 f5 A2 [0 V+ t
# M& `* D! F7 ~. U. y7 Y( U
零串?dāng)_傳感的概念, T+ W6 A) n# L8 c2 Z8 N* k
該傳感器的核心理念是利用SWGs的各向異性特性,在兩個耦合波導(dǎo)之間實現(xiàn)零串?dāng)_條件。與傳統(tǒng)的定向耦合器不同,該傳感器在光譜中呈現(xiàn)單一的傳輸凹陷,對周圍折射率變化高度敏感。3 B, @" m0 s* b( ]$ p1 T- H9 d/ a
4 [; R+ A1 e- S9 a: O7 i% \
圖1:基于SWG輔助的零串?dāng)_RI傳感器示意圖,展示了器件結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵組件。
) D6 o0 W7 }7 ?- w/ j1 c1 g4 z
傳感器由兩個平行的硅波導(dǎo)組成,SWGs垂直于傳播方向排列。通過精心設(shè)計SWG參數(shù),可以在特定波長創(chuàng)造波導(dǎo)間串?dāng)_為零的條件。這個零串?dāng)_點對包層折射率變化高度敏感,構(gòu)成了傳感機(jī)制的基礎(chǔ)。5 h! q1 ~3 R( W4 x2 r0 U
$ _! y3 A) H: x/ N4 e4 K2 t. t' h
設(shè)計與優(yōu)化$ |* A) B' ^& Q; `. p+ Q
為實現(xiàn)最佳傳感性能,需要考慮幾個關(guān)鍵參數(shù):) v% B2 q8 m' x; x
1. SWG設(shè)計:亞波長光柵對創(chuàng)造零串?dāng)_所需的各向異性環(huán)境至為關(guān)鍵。光柵周期、占空比和寬度經(jīng)過精心優(yōu)化以實現(xiàn)預(yù)期效果。
2 a1 d( M" k3 U- [2. 波導(dǎo)幾何:耦合波導(dǎo)的寬度和間隔影響導(dǎo)波模式與傳感介質(zhì)的相互作用。
9 x* p6 f. U5 X; o2 ?3. 工作波長:傳感器設(shè)計為在電信C波段約1550 nm處工作,以兼容標(biāo)準(zhǔn)光子組件。
8 W0 h) D4 P+ j" d+ G + e9 I# I5 i; H! a) s/ t# d! O
圖2:3D弗洛凱模態(tài)仿真的設(shè)計優(yōu)化結(jié)果,展示了不同包層折射率下的耦合長度和功率比。2 U. ]! `' X. r- h/ V2 Q% ]2 Z
1 f' g1 `  x; h- |8 `. k4 m4 d5 \
使用3D弗洛凱模態(tài)分析的數(shù)值仿真有助于優(yōu)化這些參數(shù)。目標(biāo)是最大化零串?dāng)_點對包層折射率變化的敏感性,同時保持清晰明確的光譜特征。+ O4 [9 Y4 M3 R- t- Q. d; t
3 E( |. A$ H2 K/ B$ ~4 s
SWGs增強(qiáng)靈敏度2 W% h0 A4 s# m1 p
在此傳感器設(shè)計中使用SWGs的一個關(guān)鍵優(yōu)勢是相比傳統(tǒng)條形波導(dǎo)靈敏度得到提高。SWG結(jié)構(gòu)允許光學(xué)模式與傳感介質(zhì)有更大的相互作用。! R8 t. a+ S* R  S$ W, t

, B3 x3 `/ S' e* D' \; |8 k圖3:比較SWG和條形波導(dǎo)配置的靈敏度分析,展示了基于SWG的傳感器性能提升。
; x$ z. ~' @( H% k0 G9 I& W2 M0 m0 m( y. d- r3 e
外部限制因子代表與包層相互作用的光場分量,在SWG波導(dǎo)中顯著更高。這導(dǎo)致耦合波導(dǎo)的對稱和反對稱模式之間的模態(tài)靈敏度差異更大,最終提高了器件靈敏度。% a3 E7 v' |* A0 E9 k7 |
. [1 }5 J  V: d
實驗驗證
, }1 y  Q" K+ B1 V/ ]% \% F$ I' c為驗證概念,在硅絕緣體(SOI)平臺上使用電子束光刻和反應(yīng)離子刻蝕制造了傳感器。用于表征傳感器性能的實驗裝置如下所示:6 i% J! ]1 V' E3 Z# P6 z
7 Z3 X9 {' u4 |+ Z
圖4:實驗表征裝置,包括器件的光學(xué)圖像和SWG結(jié)構(gòu)的SEM圖像。  Q& }; U7 Z/ P! a- A0 g( e) {

- P3 Q0 O1 ]/ l4 J- H7 K使用可調(diào)諧激光源和功率計監(jiān)測直通和耦合端口輸出,測量了傳感器對不同包層折射率的響應(yīng)。結(jié)果顯示隨著包層折射率增加,光譜凹陷明顯藍(lán)移。$ R$ V- X! q( @* s

) ]; C6 C1 [. L9 _. c8 I6 s圖5:不同包層液體折射率下測得的功率比光譜,顯示零串?dāng)_點的藍(lán)移。
5 T4 d" w( Y2 u7 x! ]
1 V6 m2 G0 [+ C+ ~" s* {# L性能指標(biāo), _7 e) Q/ t/ s! v
實驗結(jié)果揭示了這種新型傳感器設(shè)計的優(yōu)異性能指標(biāo):8 @$ a  f; I8 N) k% g4 ]3 m
  • 波長靈敏度:約-410 nm/RIU(折射率單位)
  • 強(qiáng)度靈敏度:395 dB/RIU
  • 器件占用面積:82.8 μm2
  • 系統(tǒng)檢測限:2.4 × 10?? RIU(波長),5.2 × 10?? RIU(強(qiáng)度)
    3 ]. j- S  H5 ^' \

    + K* P! Q; P4 c: B這些數(shù)據(jù)展示了傳感器的高靈敏度和緊湊尺寸,使其能與其他最先進(jìn)的硅基光電子RI傳感器競爭。
    " ~% F" _1 B- ~" X& \) p6 A  T. s6 j' `, F0 u" a
    實時傳感能力
    5 u% F, G) o/ H$ P: _- \; l該傳感器的一個重要特性是能夠?qū)崟r監(jiān)測折射率變化。這通過使用不同濃度的水中異丙醇(IPA)溶液得到了驗證。
    9 W9 q! \! h. f7 Z+ ?* ^' W/ | 4 g: j3 S; V; L; g
    圖6:時域響應(yīng)演變,顯示不同IPA濃度水溶液的實時傳感。5 G+ c7 g" h  X$ F

    7 y) c) q$ X9 s/ j6 r通過固定輸入激光波長并持續(xù)監(jiān)測輸出功率比,傳感器可以檢測到引入傳感區(qū)域的不同IPA濃度所造成的微小折射率變化。7 N: R; x) W9 d
    , c  {  F- g. q5 @8 E# B
    相比傳統(tǒng)傳感器的優(yōu)勢# n7 c( D2 g9 z3 L2 ~# ^7 z3 ^
    這種基于零串?dāng)_SWG的傳感器相比傳統(tǒng)方法具有幾個優(yōu)勢:
  • 無自由光譜范圍(FSR)操作:不同于環(huán)形諧振器或馬赫-曾德干涉儀,該傳感器沒有自由光譜范圍限制,允許更寬的檢測范圍。
  • 緊湊占用面積:器件在極小面積內(nèi)實現(xiàn)高靈敏度,適合密集集成。
  • 簡單讀出:光譜響應(yīng)的切線性質(zhì)允許在固定波長進(jìn)行簡單的基于強(qiáng)度的讀出。
  • 多功能性:傳感器適用于波長和強(qiáng)度兩種詢問方案,提供了測量方法的靈活性。
    ' [3 M* D( Q# p# O  r4 }: O[/ol]
    $ o0 I1 i; l& t+ R4 P2 Q3 u結(jié)論
    ) B$ R  i; |2 e& b本文介紹的零串?dāng)_硅基光電子RI傳感器代表了片上傳感技術(shù)的進(jìn)展。通過利用亞波長光柵的獨特特性,該器件實現(xiàn)了高靈敏度、小型化和多功能操作。潛在應(yīng)用范圍從生化傳感到氣體檢測,為未來集成光子傳感解決方案提供了很好的平臺。9 [( ~& k& K$ X: V5 m5 C0 {

    6 X# c& J3 c2 p1 o% _6 |參考文獻(xiàn)
    3 [9 `+ R6 x# F" W) _# X[1] S. Z. Ahmed, M. Hasan, K. Kim and S. Kim, "Zero-crosstalk silicon photonic refractive index sensor with subwavelength gratings," Nano Convergence, vol. 11, no. 39, pp. 1-10, 2024, doi: 10.1186/s40580-024-00446-1.9 r) v- T. u/ G/ t) l6 a. B9 \

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    3 F3 b5 J/ n* R6 _# |& u轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!6 X5 Z" n! q" t  \) q
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