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' p1 Z* z8 B3 }1 G4 P點(diǎn)擊上方藍(lán)色字體,關(guān)注我們& v6 @4 u$ u0 N0 K w) b6 T! I
提升PCB電路的浪涌防護(hù)能力需要綜合考慮元器件選擇、電路設(shè)計(jì)、布局優(yōu)化以及有效的保護(hù)器件。
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' T0 Y4 B9 d- g) v# W合理的浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)能夠在實(shí)際應(yīng)用中有效保護(hù)電路免受突發(fā)浪涌電壓或電流的影響,保障電路的穩(wěn)定性與可靠性。- X" U* p R; g/ u: }2 |- F; w
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浪涌防護(hù)器件的選型與布局9 U w, E' B) d G
TVS(Transient Voltage Suppression)二極管是一種常用的浪涌保護(hù)器件,它能夠在浪涌電壓發(fā)生時(shí)迅速導(dǎo)通并將過(guò)電壓鉗制到安全范圍。7 l/ S7 @: Q A* i* z
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為了提高保護(hù)效果,通常在pcb設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)將TVS二極管接入敏感元件前端(如電源輸入端口)并盡量靠近源頭。5 k0 G: R4 h3 q6 f, n. v/ f
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常見的TVS二極管有瞬態(tài)抑制二極管(SMD)和壓敏電阻(MOV)等。
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( M" m! d5 w5 cMOV是一種電壓隨電壓變化的材料,當(dāng)電壓超過(guò)設(shè)定閾值時(shí),MOV的電阻迅速降低,可以將浪涌能量分散到地。MOV適合用于高能量的浪涌保護(hù)。
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: q( A7 c5 |- `8 E& S6 ~為了確保防護(hù)效果,需要根據(jù)電源的輸入電壓選擇合適的MOV,并將其放置在電源入口的電路中。2 S3 P1 k/ x6 n3 W
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GDT是一種可承受高能量浪涌的保護(hù)元件,適用于需要承受強(qiáng)烈浪涌的電路。
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GDT工作時(shí),電壓超過(guò)一定值后,它的電導(dǎo)率急劇增加,可以有效地將浪涌能量導(dǎo)入地線。
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抑制電感(共模電感)和濾波器:高頻浪涌信號(hào)可以通過(guò)共模電感和濾波器進(jìn)行抑制。
, H" l" C, H) s0 X% {$ H- k5 m
* x+ E" T m, i' o* j& a4 ~這些組件能夠阻止高頻噪聲和浪涌進(jìn)入電路的敏感部分,尤其是在電源輸入端和數(shù)字信號(hào)線的傳輸線上。
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' L1 k# }4 ~- n, E" w% D電路設(shè)計(jì)優(yōu)化
, K4 g7 L6 c5 z w設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減少電流經(jīng)過(guò)敏感區(qū)域的路徑,尤其是在輸入端口和負(fù)載之間。9 l% R5 p/ O- O
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長(zhǎng)且未加保護(hù)的導(dǎo)線可能成為浪涌傳播的通道,增加浪涌影響的面積。$ c+ t9 x/ Q3 [) S, R
! E9 _) C8 b8 K$ D
短路徑設(shè)計(jì)和合理的走線布線有助于減小電流的路徑與傳輸延遲,從而降低浪涌的影響。
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, ]: [- ?+ [% c* b: i" f& B良好的接地設(shè)計(jì)是浪涌防護(hù)的關(guān)鍵。地線設(shè)計(jì)要保證電流的快速導(dǎo)流,并減少接地電阻,避免浪涌電流反向通過(guò)敏感電路。2 C4 p- w' H+ E) u
5 l" Y2 w/ A4 Q0 x
要盡量減少地線的長(zhǎng)度和阻抗,確保高頻信號(hào)能夠快速回流到地線,避免產(chǎn)生噪聲或地回路。 m7 O$ c/ M( W
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在電源輸入端,添加濾波電容器、共模電感和差模電感等組件,可以有效降低浪涌對(duì)電源的沖擊。
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此外,設(shè)計(jì)時(shí)可選擇加大輸入電容,或選擇低ESR(等效串聯(lián)電阻)的電容器來(lái)提升浪涌的抑制能力。- V8 C& k# }4 U1 E
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8 w! B6 C, J _4 r6 R
# q" L3 V! _, R# k7 o: L電氣隔離
N t1 b+ L# J9 J0 i* g在敏感電路與外部環(huán)境(如電源、通信端口)之間增加光耦合器(Optocoupler)可以有效實(shí)現(xiàn)電氣隔離。
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# @) \2 w1 g$ q% X9 \ G0 ?& N( l光耦能夠隔離輸入端與輸出端的浪涌或瞬時(shí)電壓,同時(shí)減少信號(hào)干擾。* J0 G8 t& a0 A& t, p
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對(duì)于電源設(shè)計(jì),特別是需要接入高壓電源的設(shè)備,使用隔離變壓器可以有效隔離輸入與輸出,防止浪涌電流傳入到電路的低壓側(cè)。. T( ^, |- E6 M! o2 L8 F @( `
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$ L( d) g* a5 e2 M物理布局與板層設(shè)計(jì)2 ~0 U* f7 A2 S
在PCB設(shè)計(jì)中,布局需要考慮浪涌電流的流向和路徑。, ^3 {8 i. D' ~2 m
6 P* G1 d4 O" T$ E2 x* D* ^設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)使浪涌電流的回流路徑最短且阻抗最小,避免長(zhǎng)導(dǎo)線形成電感負(fù)載。
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應(yīng)將浪涌保護(hù)元器件盡量放置在靠近輸入端的位置,保證其能在浪涌發(fā)生時(shí)快速響應(yīng)。6 S' p8 ?* M' T* O0 @0 }2 N( n0 o0 ?
$ k B F2 Y. q% }在多層板中,可以利用內(nèi)部電源層和接地層來(lái)降低電磁干擾,減少信號(hào)的輻射和接收。
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同時(shí),這些內(nèi)層的電源和地層為浪涌電流提供了一個(gè)低阻抗的路徑,有助于加速浪涌電流的導(dǎo)流。
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3 Q% v8 M, I, {! l設(shè)計(jì)時(shí)需要注意電磁兼容性(emc),包括適當(dāng)?shù)碾娫慈ヱ、噪聲濾波、接地設(shè)計(jì)等。) S1 {' q7 A5 t, t- d( ` K
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通過(guò)減少噪聲和電磁輻射,能夠在一定程度上提高PCB對(duì)浪涌的抗干擾能力。
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元器件選擇與保護(hù)電路 m9 ~8 p) H5 p0 {8 G" u) i; M- T
選擇抗浪涌能力強(qiáng)的元器件:使用抗浪涌能力強(qiáng)的元器件,如具有高抗電壓特性的電阻、電容、晶體管等,能夠在浪涌事件發(fā)生時(shí)降低元器件損傷的風(fēng)險(xiǎn)。9 A7 k! L& W5 _" J" B/ w
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特別是在使用高頻器件時(shí),選擇具有過(guò)電壓保護(hù)特性的元器件至關(guān)重要。
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$ \$ m) z- e7 _. J設(shè)計(jì)過(guò)電壓保護(hù)電路時(shí),可以采用并聯(lián)電壓抑制元件(如二極管、TVS等)與串聯(lián)電流限流元件(如電阻、保險(xiǎn)絲等)的組合方案。& e0 T* e. l3 O* Y+ m% I3 G; `
" c2 f2 i, n# [4 @& g這樣,在浪涌發(fā)生時(shí),TVS二極管會(huì)迅速導(dǎo)通并將電壓鉗制在安全范圍內(nèi),而保險(xiǎn)絲則可在過(guò)大的浪涌電流下切斷電源,防止元器件損壞。
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測(cè)試與驗(yàn)證% I! h0 t0 j( f. R3 }, h, M& b
浪涌測(cè)試:對(duì)PCB進(jìn)行浪涌測(cè)試,驗(yàn)證其抗浪涌能力,確保設(shè)計(jì)的保護(hù)電路和元器件能夠在實(shí)際浪涌事件中正常工作。
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6 P, D" V6 @4 G6 } @; n1 T測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)可以參考IEC 61000-4-5(浪涌抗擾度測(cè)試),并根據(jù)不同設(shè)備的要求進(jìn)行針對(duì)性的測(cè)試。% x7 k3 t# z7 X/ J) S
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在設(shè)計(jì)過(guò)程中,利用仿真工具(如SPICE仿真、EMC仿真等)進(jìn)行浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)的驗(yàn)證。
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) H" ] r5 E' \6 S通過(guò)仿真分析可以提前識(shí)別潛在的浪涌問(wèn)題,并對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整。* C/ J8 H" U* p U
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