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簡介
- z9 G7 Q2 T, @+ ^! k在當(dāng)今數(shù)據(jù)驅(qū)動的世界中,對高帶寬、低延遲的數(shù)據(jù)中心連接需求急劇增長。傳統(tǒng)的光學(xué)收發(fā)器模塊難以跟上網(wǎng)絡(luò)中硅技術(shù)的快速發(fā)展。本文探討了創(chuàng)新解決方案:用于Co-Packaged Optics (CPO)的硅基光電子技術(shù)Chiplet的高密度集成,重點介紹了突破性的51.2Tb/s CPO交換機解決方案 [1]。
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+ j0 a* d) r$ ^# h5 j理解CPO的必要性數(shù)據(jù)中心是數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的核心,每秒處理和傳輸大量數(shù)據(jù)。如圖1所示,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心需要數(shù)百萬個光學(xué)互連才能高效運行。
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& L# r4 a/ U- c, G% ~! P圖1:數(shù)據(jù)中心擴(kuò)展和光學(xué)互連需求的增加傳統(tǒng)的交換機盒使用可插拔的光學(xué)收發(fā)器模塊,帶來了幾個挑戰(zhàn):1.與交換芯片相比,密度擴(kuò)展受限2.由于電互連損耗導(dǎo)致高功耗3.復(fù)雜性增加帶來的可靠性問題4.成本效率低下$ q1 ~2 _5 U# i& M- {, y: x
Co-Packaged Optics通過將光學(xué)引擎直接與交換芯片集成來解決這些問題,如圖2所示。
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圖2:帶有外部激光源的集成光學(xué)引擎Co-Packaged Optics的關(guān)鍵組件硅基光電子技術(shù)Chiplet硅基光電子技術(shù)Chiplet是CPO系統(tǒng)的核心。結(jié)合了:光電子集成芯片(PIC)CMOS電子集成電路(EIC)光學(xué)復(fù)用器/解復(fù)用器
1 q0 q0 w) ^' b+ q2 S. G- T這些組件使用先進(jìn)的封裝技術(shù)堆疊,特別是帶嵌入式芯片的雙面扇出。7 O8 E* l% ?' V7 b- W
遠(yuǎn)程激光模塊(RLMs)RLMs為光引擎提供光源。在所描述的51.2Tb/s系統(tǒng)中,每個光引擎需要兩個RLMs,每個RLM包含八個激光器。3 m- n/ {4 g: O$ H! o- D6 Y8 Y
交換芯片交換芯片與光學(xué)引擎在同一基板上協(xié)同封裝。這種近距離顯著減少了高速信號的布線距離。8 T' S: X3 s( V+ h2 a
可拆卸光學(xué)連接器該系統(tǒng)的重要創(chuàng)新是可拆卸光學(xué)連接器,它提供:光纖間127μm的間距可現(xiàn)場更換的光纖連接與現(xiàn)有玻璃光纖陣列制造技術(shù)兼容防塵設(shè)計,確保可靠運行; x/ _) v3 X8 w! k0 y% l
組裝過程CPO系統(tǒng)的組裝涉及幾個復(fù)雜的步驟:1. 硅基光電子技術(shù)Chiplet制造:將光學(xué)復(fù)用器/解復(fù)用器堆疊在光電子集成芯片上使用銅柱連接CMOS EIC進(jìn)行晶圓級處理,包括模塑、研磨和重分布層(RDL)形成
# _/ T% x$ R( c' J3 k, y2. 光引擎組裝:將光電子集成芯片鍵合到扇出晶圓上將架子和I/O透鏡安裝到光電子集成芯片上測試并選擇已知良好的光學(xué)引擎
; x. ]- b; r0 y3 Z5 {: F3. 與交換芯片協(xié)同封裝:使用批量回流工藝將8個光學(xué)引擎鍵合到基板上匹配交換芯片凸點和硅基光電子技術(shù)Chiplet的間距,以實現(xiàn)高岸線帶寬密度
H. a' V2 `. {) J% M4. 光學(xué)連接器組裝:安裝可拆卸光學(xué)連接器連接遠(yuǎn)程激光模塊(RLMs)
3 E( J2 ? K: d: c7 Q; D9 c+ i圖3顯示了帶有shelf和透鏡的光引擎。
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% w/ ]+ ^* U$ b l4 r& @# [, e圖3:帶shelf和透鏡的光引擎圖4顯示了最終組裝的CPO及其封裝。
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" H0 K5 H1 O1 @1 G9 e圖4:裝在SVK盒中的完全組裝CPO,帶有可拆卸光纖連接器組件系統(tǒng)性能51.2Tb/s CPO交換機解決方案包括八個光學(xué)引擎,每個能夠處理6.4Tb/s(64個發(fā)送和64個接收通道,每個100Gb/s)。關(guān)鍵性能指標(biāo)包括:1. 發(fā)射器性能:TDECQ(PAM4的發(fā)射機和色散眼圖閉合):單通道1.2dB,全64通道1.6dB(最大2.28dB)消光比(ER):通常4.3dB(最小3.6dB)平均輸出功率:通常3dBm) n H$ b K8 C4 {1 j' |
圖5和6分別顯示了單通道和全通道操作的眼圖。$ i2 X7 d" E2 [ r/ E; i
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圖5:單通道Tx性能" M6 R5 J; x% u0 A/ ?0 |
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圖6:64通道Tx性能2. 接收器性能:接收輸入功率有10dB的動態(tài)余量接收器靈敏度:約-6dBm+ v" O4 \6 o- S
圖7說明了接收器的誤碼率(BER)性能。8 c( ^5 h. G6 [
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圖7:CPO的接收器BER測試CPO方法的優(yōu)勢1.增加帶寬密度: 通過將光引擎與交換芯片協(xié)同封裝,該解決方案將標(biāo)準(zhǔn)25.6Tb/s解決方案的帶寬翻倍,而不增加系統(tǒng)功耗。2.提高能源效率: 交換芯片和光引擎之間的短互連長度導(dǎo)致非常低的插入損耗,將能源效率提高到3.可擴(kuò)展性: 這種方法允許獨立優(yōu)化封裝密度、每通道速度和每通道波長數(shù)。4.成本效益高的制造: 利用成熟的半導(dǎo)體制造和封裝工藝,實現(xiàn)批量生產(chǎn)和提高可靠性。5.靈活性: 可拆卸光學(xué)連接器允許輕松的現(xiàn)場更換和維護(hù)。
3 w8 F8 i3 B4 q6 Q4 f6 k! f4 X未來展望隨著數(shù)據(jù)中心需求的持續(xù)增長,CPO技術(shù)有望進(jìn)一步發(fā)展:1.更高密度: 改進(jìn)的封裝技術(shù)可以導(dǎo)致更短的互連長度,進(jìn)一步提高性能。2.增加數(shù)據(jù)速率: 使用先進(jìn)的CMOS技術(shù)實現(xiàn)更高的串行線路速率,如200Gb/s,在最小化所需電路面積的同時增加總吞吐量。3.新興技術(shù)的集成: 未來的迭代可能會結(jié)合新材料或結(jié)構(gòu),推動光通信性能的邊界。, w3 f6 H& W+ A
用于Co-Packaged Optics的硅基光電子技術(shù)Chiplet的高密度集成代表了數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的重大進(jìn)展。通過解決傳統(tǒng)光學(xué)收發(fā)器的局限性并利用硅基光電子技術(shù)的優(yōu)勢,這種方法為更高效、推進(jìn)了可擴(kuò)展和強大的數(shù)據(jù)中心架構(gòu),以滿足數(shù)字世界不斷增長的需求。% o9 _5 I1 U5 }- U' b$ x# G! Y
參考文獻(xiàn)[1]S. Kannan et al., "High Density Integration of Silicon Photonic Chiplets for 51.2T Co-packaged Optics," 2024 IEEE 74th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2024, pp. 81-84, doi: 10.1109/ECTC51529.2024.00022.
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