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Physical Review X | 在納米光子線路上捕獲原子:量子科學(xué)的新前沿

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發(fā)表于 2024-9-17 08:05:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |正序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言% W; b7 R" F- i% x
將冷原子與納米光子器件集成為量子傳感、計(jì)量和信息處理帶來(lái)了新的機(jī)遇。然而,在集成光電子線路上高效捕獲大量原子一直是重大挑戰(zhàn)。在本文中將探討Zhou等人展示的突破性技術(shù),可以直接在納米光電子微環(huán)諧振器上裝載和捕獲冷原子團(tuán)[1]。
2 }. l3 W. [8 b3 T& l- t) P; h% P: M# q! |/ `8 a# u* b

; }+ R7 o2 M0 |* N9 r. K
5 ^2 e* j9 w: {$ I" j3 w2 G5 W8 U6 t5 N7 q! ]
關(guān)鍵創(chuàng)新:簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻" c  z4 T( u0 r+ F
研究人員通過(guò)在硅氮化物微環(huán)諧振器上方形成的微陷阱中采用簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻(dRSC)實(shí)現(xiàn)了高效的原子捕獲。一個(gè)關(guān)鍵的洞見(jiàn)是,微環(huán)的回廊模式(WGM)的倏逝場(chǎng)為原子創(chuàng)造了內(nèi)置的自旋-運(yùn)動(dòng)耦合。& s$ B9 f, f( V5 u

/ P6 J" @* L( B
# n1 M  ]: A1 C8 _9 E/ s圖1. 這幅圖說(shuō)明了在納米光子微環(huán)電路上捕獲原子的過(guò)程。冷原子通過(guò)光學(xué)微陷阱和虛擬磁場(chǎng)被捕獲。虛擬磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了自旋-運(yùn)動(dòng)耦合,并通過(guò)簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻(dRSC)進(jìn)行冷卻。原子陷阱的配置影響探測(cè)光的透射信號(hào)。: P. l& m$ T/ a+ |% D

# w, N. b& Z. _* a( d7 H: c如圖1所示,該裝置包括:
  • 一個(gè)從底部照射的光學(xué)引導(dǎo)(OG)束,創(chuàng)造一個(gè)漏斗狀的吸引勢(shì)。
  • 在微環(huán)中激發(fā)的藍(lán)失諧回廊模式 (WGM) 創(chuàng)造一個(gè)排斥性的倏逝場(chǎng)勢(shì)壘。
  • 一個(gè)偏置磁場(chǎng),定義量子化軸。
  • 一個(gè)用于冷卻的光學(xué)泵浦束。
    . v5 ^) S4 \0 o" M[/ol]- B# k3 h6 t7 `8 }+ g( \

    " S9 s% i7 |) R) Y, e' e冷卻機(jī)制
    0 y: ?4 f4 u0 B. bWGM的倏逝場(chǎng)在波導(dǎo)上方約98%是圓偏振的。這造成了一個(gè)相當(dāng)于作用在原子上的虛擬磁場(chǎng)的位置依賴性矢量光移。場(chǎng)振幅沿z軸(垂直于芯片表面)呈指數(shù)衰減,導(dǎo)致顯著的自旋-運(yùn)動(dòng)耦合。
    ; J4 e* \& q% o% N& z/ }, B9 B! Y% z* H# E( |& b9 U
    這種耦合允許簡(jiǎn)并拉曼邊帶冷卻:& g5 g2 q- {0 K5 }& e
  • 虛擬場(chǎng)在相鄰磁能級(jí)的簡(jiǎn)并陷阱態(tài)之間創(chuàng)造拉曼耦合。
  • 在蘭姆-迪克區(qū)域進(jìn)行σ+躍遷的光學(xué)泵浦允許被捕獲的原子被泵浦到能量降低的暗態(tài)。
    1 y' n" ?1 ~, d' @; z  }# h' N: E
    3 p$ f+ Y6 ~4 y; I& V4 F& u+ d
    實(shí)驗(yàn)流程
  • 在距離電路較遠(yuǎn)的光學(xué)漏斗中使用磁光陷阱(MOT)預(yù)冷銫原子。
  • 引導(dǎo)原子向表面微陷阱移動(dòng)。
  • 執(zhí)行dRSC以冷卻靠近表面的引導(dǎo)原子。
  • 通過(guò)原子引起的微環(huán)透射譜中的透明度來(lái)檢測(cè)被捕獲的原子。5 H2 @" a# x0 r
    [/ol]( V1 K6 ~& v  @4 T2 |# H% s) A: J

    3 U+ U' m& }& K! ?結(jié)果和分析: i/ D+ q7 Q& ?) L  v
    研究人員使用這種技術(shù)取得了顯著的結(jié)果:
  • 陷阱壽命:他們展示了在|F=3, mF=3?態(tài)極化的被捕獲原子的單體壽命約為230毫秒。通過(guò)連續(xù)冷卻,壽命延長(zhǎng)到接近一秒。
  • 被捕獲原子數(shù)量:該技術(shù)允許在約10立方微米的小微陷阱體積中捕獲多達(dá)N≈70個(gè)原子。
  • 溫度:被捕獲的原子達(dá)到了低溫Ttrap≈23μK,對(duì)應(yīng)的平均振動(dòng)量子數(shù)ν?≈14。
  • 協(xié)同耦合:被捕獲的原子表現(xiàn)出大的協(xié)同耦合和向微環(huán)的WGM的超輻射衰減。
    : `# H$ M8 U- v& m9 S- C[/ol]
    2 K, P: `$ ^" `# |9 e$ w/ M* d9 b: \7 P4 f/ v0 x

    * Q5 L. v/ X0 N- b4 o- z6 ?5 h) u圖2. 這幅圖展示了被捕獲原子中觀察到的協(xié)同耦合和超輻射衰減。通過(guò)控制陷阱中的原子數(shù)量,測(cè)量了穩(wěn)態(tài)透射譜和脈沖激發(fā)衰減率。結(jié)果顯示了協(xié)同度與衰減率之間的關(guān)系,衰減率隨著協(xié)同度的增加而增加。觀察到的衰減率略低于理論預(yù)期,這可能是由于探測(cè)回廊模式(WGM)的反向散射造成的。) O+ n  k1 R+ }5 M/ Y

    3 ~$ j2 k7 t4 E  m- \% k圖2展示了一些關(guān)鍵的實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
    ( I* p/ e/ a& J1 a2 W4 b5 n(b) 不同數(shù)量被捕獲原子的穩(wěn)態(tài)透射譜。
    $ Y* H$ a0 }  o# Z% A(c) 通過(guò)脈沖激發(fā)測(cè)量觀察到的超輻射衰減。3 w2 w9 v5 |! B9 ?6 n' Q
    (d) 歸一化衰減率與協(xié)同度的關(guān)系,顯示了原子-光子耦合的集體增強(qiáng)。  q( p8 v' r5 c9 Q8 L! V2 C
    ' X- s3 o- k  I+ }* J
    , W2 ?% L: X2 e1 r1 @8 z3 ]
    意義和未來(lái)方向
    5 f$ Y4 t+ `8 b# m% B這項(xiàng)工作代表了冷原子與集成納米光子電路接口的重大進(jìn)展。潛在的應(yīng)用和未來(lái)方向包括:
  • 量子非線性光學(xué):實(shí)現(xiàn)的強(qiáng)集體耦合可能使少光子水平的光子-光子相互作用進(jìn)入新的領(lǐng)域。
  • 量子模擬:該平臺(tái)可用于設(shè)計(jì)原子之間的長(zhǎng)程相互作用,以模擬量子多體系統(tǒng)。
  • 量子傳感和計(jì)量:芯片上大量集體耦合的原子可能提高原子干涉儀和原子鐘的靈敏度。
  • 量子化學(xué):該技術(shù)可能擴(kuò)展到捕獲和研究超冷分子,為量子水平的可控化學(xué)開(kāi)辟新途徑。
  • 可擴(kuò)展性:研究人員表示,通過(guò)將微陷阱擴(kuò)展到覆蓋整個(gè)微環(huán)周長(zhǎng),被捕獲的原子數(shù)量可能至少增加10倍。
  • 進(jìn)一步冷卻:通過(guò)實(shí)施更緊密的束縛(例如,使用雙色倏逝場(chǎng)陷阱),可能將原子冷卻到接近振動(dòng)基態(tài),并抑制非彈性碰撞。
  • 增加耦合:將原子轉(zhuǎn)移到更靠近表面的更緊密陷阱(z_c≈100 nm)可能顯著增加單原子協(xié)同度到C_1?10。' S4 r0 V  s0 c
    [/ol]- p3 B9 f# l8 I5 m
    結(jié)論
    7 n5 K4 u9 B" L# C9 BZhou等人展示的在納米光子電路上捕獲原子的技術(shù)代表了量子光學(xué)和原子物理領(lǐng)域的重大進(jìn)步。通過(guò)利用倏逝場(chǎng)的獨(dú)特性質(zhì)并采用巧妙的冷卻策略,他們?yōu)樵诩晒庾有酒蟿?chuàng)建大量集體耦合的原子開(kāi)辟了新的機(jī)遇。這項(xiàng)工作為量子信息處理、傳感和基礎(chǔ)物理研究的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
    3 k7 ^; E7 A9 Y) Y; v8 q' W( p: H. s/ q0 [
    隨著該領(lǐng)域研究的進(jìn)展,可以期待看到更加復(fù)雜的原子-納米光子接口,可能導(dǎo)致緊湊、可擴(kuò)展的量子器件,結(jié)合原子系統(tǒng)和集成光子學(xué)的最佳特性。這項(xiàng)開(kāi)創(chuàng)性研究展示的創(chuàng)新為芯片上的量子技術(shù)未來(lái)帶來(lái)了新的可能性。( \" b& A+ u; d" ]+ j5 P
    : Z; o! C* K2 }/ q4 w; S% d

    + ?% f. o' @  \) z1 G- n參考文獻(xiàn)! k$ b& v  }+ U4 E5 N/ g/ ?
    [1] X. Zhou, H. Tamura, T.-H. Chang, and C.-L. Hung, "Trapped Atoms and Superradiance on an Integrated Nanophotonic Microring Circuit," Phys. Rev. X, vol. 14, no. 3, p. 031004, Jul. 2024.! s4 U0 W: W, M' C0 \! y4 O. j

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    點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請(qǐng)5 ~; L3 n; \3 ~; l
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