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可編程光電子集成線路中的路由的Mesh架構(gòu)及其性能

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發(fā)表于 2024-10-15 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |正序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言7 a  w! {2 c; G% `& U! o
可編程光電子集成線路(PPICs)正在成為一項(xiàng)具有巨大創(chuàng)新潛力的新興技術(shù),在量子光學(xué)、通信和機(jī)器學(xué)習(xí)等多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這些線路可以被編程執(zhí)行各種功能,無(wú)需定制設(shè)計(jì),有望徹底改變我們?cè)谛酒喜倏v光的方式。本文將探討PPICs的不同架構(gòu),重點(diǎn)關(guān)注其路由能力以及各種因素對(duì)性能的影響。
% v; C+ t/ I; F8 n! d5 |: Y! m; K: n

% A1 D& @7 O7 G$ C0 G5 [% b. r. p
1 [6 W. X) G5 G* \Mesh架構(gòu)% l. s) q+ w( t3 b4 W9 L: L( W
PPIC的核心是由波導(dǎo)和可調(diào)諧耦合器組成的mesh結(jié)構(gòu)。這些耦合器可以被編程為不同的狀態(tài)(直通、交叉或耦合),從而靈活控制線路中的光流。這些組件的排列形成了mesh架構(gòu),對(duì)線路的路由能力有顯著影響。
2 k% y  C, g  H" d3 A! Q& J9 k( r
' S8 I9 n; U4 W; @* O讓我們來(lái)檢視四種主要的mesh架構(gòu):
  • 三角形tile
  • 方形tile
  • 六邊形tile
  • 環(huán)連接直線(RCSL)
    1 @; y: H5 s( V6 Q$ ~[/ol]; M2 l9 t  c  N7 X: E

    ( {# t  g( N5 b7 f. t
    ) R* b( j: y3 u1 O7 b5 c圖1展示了這四種架構(gòu)。
    " M$ d+ L# u8 w; W% v每種架構(gòu)都有其獨(dú)特的特征,影響路由性能:
    ; V- Z( B' f- L/ G1 S
    : w6 E5 W) V6 T6 Y1. 三角形tile(圖1a):這種架構(gòu)使用最小的規(guī)則形狀進(jìn)行鋪設(shè)。然而,它傾向于為光信號(hào)創(chuàng)建低效的之字形路徑。
    ( x- b2 D. B7 v6 C+ i- |
    # m- H( y' R; ^8 p) S" Y2 j8 K2. 方形tile(圖1b):一種常見且簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì),但在某些路由情況下可能導(dǎo)致不必要的長(zhǎng)路徑。5 T  C/ @) C; E& E" H: t

    ( r2 h2 ^+ \1 v3. 六邊形tile(圖1c):這種架構(gòu)在路由方面提供了更多的靈活性,通常被認(rèn)為是最有潛力的設(shè)計(jì)。
    8 ~0 K9 i4 [) D* z* h# I! w( }0 N' a; }' ?/ I5 ?% M; Z0 N
    4. 環(huán)連接直線(圖1d):這項(xiàng)研究中引入的一種新型設(shè)計(jì),旨在提供高效的直線路由選項(xiàng)。, B& l1 h) T7 ^  @- h% ^% ^
    + U5 h: ~5 f0 x; Y, D, ]
    + @# I  h' _4 D0 r$ z: \2 t
    光電子Mesh中的路由
    - L; p  V7 e' t! z2 f. QPPICs中的路由涉及通過mesh將光從源端口引導(dǎo)到目標(biāo)端口。每個(gè)可能的連接都可以表示為一個(gè)圖,外部端口作為將光耦合進(jìn)出mesh的接口。/ ~# Z( c% L# R2 h% j7 t! b

    5 {) r. `( U! ]# i! F$ }
    ) N4 H( Q5 s8 h4 ^. ^圖2顯示了六邊形波導(dǎo)mesh中可能連接的圖形表示。彩色節(jié)點(diǎn)代表外部端口,而內(nèi)部連接說(shuō)明了光在mesh中可能采取的路徑。3 u6 y- e( o! I+ a" u

    8 a6 U0 M( ~. z" f; r- H4 b2 H比較Mesh架構(gòu)6 y* c! ^" K  Q! c( q& e( J
    為了評(píng)估不同mesh架構(gòu)的性能,我們需要考慮幾個(gè)因素:  b: [: q7 X* b1 h3 Y

    % h. s( i1 J+ L0 w0 t# L1. 最大可路由commodities數(shù):這個(gè)指標(biāo)表示mesh可以支持多少個(gè)同時(shí)連接。' y) F7 M. V) d- N$ Y2 ?. f- v% t
    ) h2 ?& P% ]4 V1 y
    圖3顯示了不同mesh架構(gòu)的平均最大可路由commodities數(shù)。六邊形tile和RCSL設(shè)計(jì)始終優(yōu)于三角形和方形tile。
    + Z6 b4 w7 |8 u5 D1 C  _7 T
    # U: W) ?& r% _8 z5 X2. 平均路徑長(zhǎng)度:這個(gè)指標(biāo)通過考慮信號(hào)必須通過的耦合器數(shù)量來(lái)衡量路由效率。1 i' C  E5 I0 {: [" s5 a

    8 {9 O! ?: V/ r( y$ x圖4顯示了不同架構(gòu)的平均路徑長(zhǎng)度。RCSL設(shè)計(jì)平均提供更短的路徑,而三角形tile導(dǎo)致顯著更長(zhǎng)的路徑。
    7 w+ y  c: D- _) ~) a$ ~6 z+ V; D2 Z
    3. 路由效率:這可以表示為實(shí)際路徑長(zhǎng)度與端口之間理想直線距離的比率。
    8 ~3 T& [" e$ w# P% E5 |7 F/ M 9 |4 |8 F- j: L* `# L) L1 n. {% l
    圖5說(shuō)明了不同架構(gòu)的這種效率比率。較低的值表示更高的路由效率。RCSL和六邊形tile的表現(xiàn)通常優(yōu)于方形或三角形tile。' @( o, [* p% c3 i6 x7 [: B4 F
    / }; V7 d! E+ a  a7 a2 p1 U
    特定路由場(chǎng)景中的性能
    ( L) m. Y4 o1 g  S雖然隨機(jī)路由模式提供了一般性能概覽,但特定路由場(chǎng)景可以突出不同架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。
    : M3 F+ s8 L( r/ a
    . T6 r( e' V* ~% O3 v圖67 A0 ~  m  ~- Y( {: K

    7 G4 `+ v; q2 K4 B圖6顯示了三種預(yù)定義的路由模式:
    ( A8 G  T1 R! d+ }
  • 類型I:平行的南北和東西連接
  • 類型II:交叉對(duì)角線連接
  • 類型III:只有南北連接
    / R! R3 d3 T0 L4 _

    2 W5 R4 x5 H; w' c" a- ^+ G! \& i$ P( [& v) |& U
    7 X5 B! v. X2 b& [
    圖7展示了不同架構(gòu)在這些特定場(chǎng)景中的表現(xiàn)。值得注意的是,RCSL在類型I模式中表現(xiàn)出色,而方形tile在類型III模式中表現(xiàn)出人意料的好。. q# D% J; z7 P& T4 W
    ; t8 |4 Q" f, L
    損壞對(duì)Mesh性能的影響! O  m- ]( J+ z  t* c2 Z3 e! J
    在實(shí)際應(yīng)用中,PPICs可能會(huì)受到制造缺陷或運(yùn)行過程中的損壞。了解這些問題如何影響路由能力對(duì)設(shè)計(jì)穩(wěn)健系統(tǒng)非常重要。& x5 H) Z2 p' l; i( `; C0 \# T
    / @5 _: H" v! S- @0 _( L
    考慮了三種主要的耦合器故障類型:
  • 完全故障(100%衰減)
  • 卡在交叉模式
  • 卡在直通模式
    / Y0 }- S0 P  ][/ol]
    2 Q( R: A: [9 `  b% f- {7 |2 _- x  }+ F
    # n. L- j% ^* M% k' m) Z
    圖8說(shuō)明了這些不同的故障模式與正常功能的耦合器的比較。, u. g3 N0 R9 b, y5 y
    4 K4 P( \1 ~4 G0 m& K
    這些故障對(duì)路由性能的影響差異很大:
    2 Z" `" n- }9 [
    2 D% D$ g# _* G, ^$ n
    ; R4 Z, r# @5 j! {" q圖9顯示了不同類型和程度的損壞如何影響路由能力。& T1 L0 ]6 F1 f. ?$ c2 H( i0 ?; f
    3 B9 R7 G' `" y0 ?: q
    一些關(guān)鍵觀察:6 F% J9 H" z3 x; S0 W7 J
  • 卡在交叉模式的耦合器(圖14a)在約50%的耦合器受影響之前影響相對(duì)較小。
  • 卡在直通模式的耦合器(圖14b)導(dǎo)致性能更快下降。
  • 完全耦合器故障(圖14c)影響最嚴(yán)重,僅15%的故障耦合器就導(dǎo)致50%的路由能力損失。
    1 V$ L, A8 C8 h3 _5 Q
    - Q" g3 h. c  y4 s5 a; W8 ?: h* Y
    5 G% f: ^% R3 n. [: X. D, ^( C
    可靠性設(shè)計(jì)
    . l$ Q( g) X4 N6 e' n) a: d/ H了解損壞的影響使設(shè)計(jì)者能夠在其PPIC設(shè)計(jì)中加入適當(dāng)?shù)娜哂。例如,如果已知制造過程的良率為90%(10%的耦合器不完美),其中一半的不完美導(dǎo)致完全故障,另一半卡在交叉模式,則應(yīng)將mesh大小增加約25%以保持所需的性能水平。
    % a* x3 Z% A" O+ o7 v" s4 C) o( N4 l, s2 P% n' k1 R) q" j
    + y4 K( c. Z9 r% ]9 @
    結(jié)論& X# n7 U9 J4 V7 ^- D% v
    本文提供了可編程光電子集成線路中路由的概述,重點(diǎn)關(guān)注mesh架構(gòu)對(duì)性能的影響。主要要點(diǎn)包括:
    / j3 O/ |8 B2 l, A1 I
  • 六邊形tile mesh提供了最佳的整體路由能力,尤其是對(duì)于復(fù)雜的路由場(chǎng)景。
  • 新型的環(huán)連接直線(RCSL)架構(gòu)在需要較短路徑長(zhǎng)度的場(chǎng)景中顯示出潛力,特別是當(dāng)mesh預(yù)期不會(huì)被密集使用時(shí)。
  • 不同類型的耦合器故障對(duì)mesh性能的影響各不相同,完全故障的影響最為嚴(yán)重。
  • 設(shè)計(jì)者可以利用這些信息選擇適當(dāng)?shù)募軜?gòu),并根據(jù)預(yù)期的制造良率和故障模式加入必要的冗余。6 l; x0 A% s) M& A2 @
    ; C# C% @- T+ R# j0 g: L( G
    隨著PPICs的不斷發(fā)展,理解路由和mesh設(shè)計(jì)的這些基本方面對(duì)于為廣泛的應(yīng)用開發(fā)高效可靠的光電子系統(tǒng)將非常重要。
    - [% d- f5 @! k* j  U6 _* S5 D. L4 {" }4 S
    5 m, R3 F9 \2 P$ v7 P4 N, O
    參考文獻(xiàn)
    0 c8 Q5 t1 P& \4 T7 z7 `/ O) S% ^' O6 j[1] F. Vanden Kerchove, D. Colle, W. Tavernier, W. Bogaerts and M. Pickavet, "Routing impact of architecture and damage in programmable photonic meshes," Photonics Research, vol. 12, no. 9, pp. 1999-2011, Sep. 2024., M* N0 ]# i5 p! G7 X  _

    + |+ G. `! P( ?9 }$ Q; b- END -
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