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IDTechEx | 先進半導體封裝技術

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引言
& ?4 z2 h. x; s0 Q半導體行業(yè)不斷發(fā)展,推動技術邊界,以滿足對更快、更高效、更強大電子設備的持續(xù)增長需求。這一領域的關鍵創(chuàng)新之一是先進半導體封裝。本文簡介2.5D和3D封裝技術的發(fā)展、優(yōu)勢和挑戰(zhàn),以及在各種應用中的影響[1]。
, m( N( \$ `) O/ I7 S* ~9 n$ e, D" `( Q* h# V# l4 n2 h4 g
半導體封裝的演變
& z/ K- b6 f4 L5 L" ~半導體封裝技術已從最初的1D PCB水平發(fā)展到今天的晶圓級3D混合鍵合封裝。這一進步實現(xiàn)了單位數(shù)微米的互連間距,能夠以高能效達到超過1000 GB/s的帶寬。1 m1 ~, |) h5 o: `# C
, u5 T! v4 N4 Z  `* F9 c0 S  ]
四個關鍵參數(shù)塑造了先進半導體封裝的發(fā)展:
  • 功率:通過創(chuàng)新封裝技術提高功率效率。
  • 性能:通過縮短互連間距增加輸入/輸出(I/O)點數(shù),提高帶寬并減少通信長度。
  • 面積:高性能計算芯片需要更大的封裝面積,而3D集成則需要更小的z軸尺寸。
  • 成本:通過使用替代的更經(jīng)濟材料或提高制造設備效率,持續(xù)降低封裝成本。) q! E) ~" y' f7 [# @+ r
    [/ol]
    ; }1 w1 t( P5 U: D2.5D封裝技術
    , T9 p( T8 Y' k" s$ U3 V8 f2.5D封裝技術涉及使用中間層連接多個芯片。根據(jù)中間層材料的選擇,2.5D封裝分為三種主要類型:
    $ O$ d" O9 U3 Z2 }1. 硅基中間層:# ~* [8 i; \/ `: P% \5 r5 ~
  • 兩種選擇:硅中間層(全被動硅晶圓)和硅橋(扇出式模塑化合物中的局部硅橋或帶腔基板)。
  • 優(yōu)勢:最精細的布線特征,適用于高性能計算集成。
  • 挑戰(zhàn):材料和制造成本較高,封裝面積限制。
  • 未來趨勢:增加使用局部硅橋以解決面積限制和成本問題。
    + x/ Z% e. l6 f7 d- ]. e- c
    & n% w  K# P0 Y* i, N+ X' f
    3 t/ h9 o$ [5 ^; `1 C, i* Q
    2. 有機基中間層:
    / j, R- Y  e" h/ r" o  H
  • 使用扇出式模塑化合物而非有機基板。
  • 優(yōu)勢:介電常數(shù)低于硅(較低的RC延遲),更具成本效益。
  • 挑戰(zhàn):難以達到與硅基封裝相同水平的互連特征縮減。# ~( u2 O& y4 ?) Z' s& D4 k
    8 W1 E' A1 g  Y; H9 \! A
    3. 玻璃基中間層:% w3 \2 O1 X! R. _7 n7 h
  • 優(yōu)勢:可調(diào)熱膨脹系數(shù)(CTE),高尺寸穩(wěn)定性,光滑平整的表面。
  • 布線特征有潛力與硅媲美。
  • 挑戰(zhàn):生態(tài)系統(tǒng)不成熟,目前缺乏大規(guī)模量產(chǎn)能力。7 p5 V! |$ Y6 s+ m- T* p5 \. d

    5 n  F6 Z% ~8 u+ o3 g2 ^! I3D封裝技術& A6 U* B2 ?. p
    3D封裝技術專注于芯片的垂直堆疊,主要有兩種方法:
    . ^" V2 F* l4 x0 o& C* x1. 微凸點技術:, z4 Q  ~& ?- L7 m( R" Y( I
  • 基于熱壓焊接(TCB)工藝。
  • 技術成熟,應用于多種產(chǎn)品。
  • 持續(xù)努力縮小凸點間距。
  • 挑戰(zhàn):較小焊球中金屬間化合物(IMCs)形成增加,潛在的焊球橋接問題,與銅相比電阻率較高。
    + ?! K% }, n/ N: H7 k: ^" y

    0 ^- a( i( S! Z; ^2. 混合鍵合:
    2 U* h) }2 `6 u4 u
  • 通過結合介電材料(SiO2)和嵌入金屬(Cu)創(chuàng)建永久互連。
  • 實現(xiàn)低于10微米(通常為個位數(shù)μm)的間距。
  • 優(yōu)勢:擴展I/O,增加帶寬,增強3D垂直堆疊,提高功率效率,減少寄生效應和熱阻。
  • 挑戰(zhàn):制造復雜性和較高成本。
    7 g5 a% n8 Y4 c. n. q
    9 @  F7 y  d- R3 g

    + ]* `5 t' C: L$ ]& I  F, [( |9 e- w
    應用和市場影響6 G9 {( A0 m6 _
    先進半導體封裝技術在多個關鍵市場中找到應用:
    ! U4 C+ |  L6 |. d! y1. 人工智能和數(shù)據(jù)中心:
    % x/ K' b) Z, O& l
  • 推動對高性能計算解決方案的需求。
  • 需要能夠處理增加的功率和性能需求的封裝技術。7 g, g; \9 @8 _5 k( N) }9 Z
    ' }4 a6 f) X( F, d
    2. 5G網(wǎng)絡:
      I* i8 L$ H5 m8 W
  • 先進封裝對5G無線電和網(wǎng)絡基礎設施至關重要。
  • 實現(xiàn)更高頻率和增加帶寬。
    ' n% x- k) [; s0 b+ S& m) R( C8 M" f
    / B/ S7 W9 Y, k9 M% x: b; s
    3. 自動駕駛汽車:+ _! Z$ d5 O' s  t+ S7 j2 i! x1 N
  • 需要先進封裝用于傳感器、處理器和通信系統(tǒng)。
  • 強調(diào)在惡劣環(huán)境中的可靠性和性能。6 [1 H. [! H. ^) B6 w; |

    ' J0 s0 ]+ d6 [4. 消費電子:; `! j% @- ^9 F3 z0 C
  • 智能手機、平板電腦、智能手表和AR/VR設備受益于更小的尺寸和更高的性能。
  • 先進封裝實現(xiàn)在緊湊設計中集成多種功能。
    5 X& }; o, V6 J* A7 P" N( y
    + ?; m$ \9 F' z7 e4 z$ [0 b
    未來展望  n; M& \6 g" P$ [8 H  c
    先進半導體封裝行業(yè)將迎來顯著增長和創(chuàng)新。需要關注的主要趨勢包括:
    ! }' e# e  X) c4 F# D1 m
  • 互連間距持續(xù)縮小,特別是混合鍵合技術。
  • 開發(fā)新材料和工藝以解決熱管理和功率效率挑戰(zhàn)。
  • 增加采用基于chiplet的設計和異構集成。
  • 玻璃基中間層技術的成熟和潛在的廣泛采用。
  • 制造工藝的進步,以降低成本和提高良率。
    3 y4 I) @$ U- T- H( B

    % s0 i( n3 S1 n9 H+ L隨著對更強大、更高效電子設備需求的持續(xù)增長,先進半導體封裝將在實現(xiàn)下一代技術方面發(fā)揮關鍵作用。從人工智能和5G到自動駕駛汽車及更多領域,這些封裝創(chuàng)新將成為日益互聯(lián)和智能世界的核心。: ?, ?% {  C; c

    . M% g: ], |4 R9 I參考文獻! S/ [7 d0 {# }
    [1] IDTechEx, "Advanced Semiconductor Packaging 2024-2034: Forecasts, Technologies, Applications," IDTechEx, Jan. 11, 2024. [Online]. Available: https://www.azonano.com/news.aspx?newsID=40634.
    ; a' l1 t- `0 W( j& e) WEND
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    & Y" i6 M, E6 Y/ X- n6 \' q0 d7 j
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    8 j1 ~' Y2 `: G. G7 B深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術與服務。
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