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GaN技術在電力電子中的應用概述

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發(fā)表于 2024-11-11 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
引言
% j2 l! f9 H: O3 P/ l氮化鎵(GaN)技術通過實現(xiàn)更高效率、更快開關速度和更高功率密度,顯著提升了電力電子性能。與傳統(tǒng)硅器件相比,GaN技術具有明顯優(yōu)勢。本文探討GaN技術在各個領域的關鍵應用[1]。: H5 p+ @1 H; t' L
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GaN工作原理基礎9 ]0 ?8 ?5 Y7 R, ~/ a- w

( ~5 }8 C7 _* F3 A! ?9 Q! R圖1說明了激光雷達3D成像系統(tǒng)的工作原理,展示了光線發(fā)射、反射和探測過程,以及如何創(chuàng)建點云數(shù)據(jù)。
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圖2展示了激光器在室溫(藍色)和高溫(紅色)條件下的特性曲線,包括光功率與電流、電壓與電流、效率與電流三個關鍵參數(shù)的對比。
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DC-DC轉(zhuǎn)換應用
2 R1 v9 i" V0 b  ]) D在DC-DC轉(zhuǎn)換應用中,GaN器件在降壓轉(zhuǎn)換器和LLC轉(zhuǎn)換器方面表現(xiàn)出色。對于汽車48V/12V應用,GaN場效應晶體管比同類MOSFET具有四倍優(yōu)異的性能指標。
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) `- H9 P8 U# n, M圖3描繪了脈沖激光驅(qū)動線路的基本結(jié)構(gòu),顯示了激光器運行所需的基本組件和連接。0 l0 P6 h. U$ K% N+ N
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! a! N. T( X1 e- O5 d0 U) O! ~
圖4展示了分立激光驅(qū)動器解決方案的詳細激光功率和開啟柵極驅(qū)動環(huán)路,說明了線路設計的復雜性。" y, Z# @+ N% y1 C6 Y$ a: l3 Z
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電機驅(qū)動應用
6 q0 G6 @, y& }$ x9 \在電機驅(qū)動應用中,GaN晶體管顯著提高了性能和效率。優(yōu)異的開關性能有助于減少死區(qū)時間并提高PWM頻率,實現(xiàn)更平穩(wěn)的運行和更高的系統(tǒng)效率。/ q) e, i9 x! b+ t9 H; X6 `
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圖5顯示了EPC9173板在無刷直流電機驅(qū)動示例應用中的方框圖,展示了電機驅(qū)動系統(tǒng)中各組件的集成。: q1 }2 f' F" x6 L- W

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圖6展示了EPC9186三相逆變器,每個開關并聯(lián)四個EPC2302器件,展示了高電流應用的并聯(lián)配置。( l7 f0 w' ~; H( d/ c
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航天應用' r' U3 |/ A/ ^4 |
在航天應用中,GaN器件相比硅MOSFET表現(xiàn)出優(yōu)異的抗輻射性能。在伽馬輻射、中子輻射和重離子轟擊等各類輻射下,GaN器件保持穩(wěn)定性能。
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% K/ R# I$ G9 X- C9 z9 x% S圖7對比了(a)典型硅MOSFET和(b)增強型GaN器件的橫截面結(jié)構(gòu),突出顯示了結(jié)構(gòu)差異。
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! D$ \7 ?2 n3 V1 T$ w圖8展示了eGaN器件在500 kRad輻射測試下的結(jié)果,證明了抗輻射硬度。4 j- c* p. Z; y& `5 I& G

3 k) L5 G/ A( I! w電動汽車應用
$ q9 t- ?; B6 v在電動汽車應用中,GaN技術推動了高效率功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的發(fā)展。800V架構(gòu)的轉(zhuǎn)型為GaN器件在車載充電器和牽引逆變器方面創(chuàng)造了機會。
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圖9概述了電動汽車動力系統(tǒng)的關鍵組件,展示了各種功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的集成。
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* I, f' h& j  z" S3 n# Y; k圖10說明了三電平FCML在800V電動汽車高功率車載充電器前端功率因數(shù)校正線路中的實現(xiàn)。
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制造與發(fā)展展望% ^+ k; \2 E9 m/ |( F: A6 q  w
GaN器件制造需要專業(yè)的代工服務,面臨獨特的挑戰(zhàn)。行業(yè)持續(xù)改進生產(chǎn)工藝,在保持高質(zhì)量標準的同時降低成本。1 C9 s7 E2 Y' x" B" T0 [% n

1 G" d" @8 I1 D% p: _圖11顯示了(a)開發(fā)的GaN三電平FCML轉(zhuǎn)換器硬件和(b)熱測試結(jié)果,展示了散熱管理能力。
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GaN技術在消費電子、汽車和航空航天系統(tǒng)等各個應用領域不斷擴展。隨著制造工藝日益成熟和成本下降,GaN器件在下一代電力電子中的作用將更加顯著。
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2 e: M# L0 X1 p8 @7 m0 k通過精心的設計考慮和適當?shù)膶嵤,GaN技術相比傳統(tǒng)硅器件具有顯著優(yōu)勢。更高的效率、更快的開關速度和更高的功率密度使GaN成為現(xiàn)代電力電子應用的理想選擇。
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# j+ x2 D4 _1 C; f5 V4 O參考文獻
# D* w0 n/ L# W2 }[1] M. Di Paolo Emilio, Ed., "GaN Technology Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion," in Applications of GaN Technology, Switzerland: Springer Nature, 2024, pp. 111-192. doi: 10.1007/978-3-031-63238-9_5
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$ x7 {2 G! k: t1 P1 E! v) u歡迎轉(zhuǎn)載
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