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PCB電路板的儲(chǔ)存條件有哪些要求?

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發(fā)表于 2024-11-29 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |正序?yàn)g覽 |閱讀模式
" X' R% f/ w3 Z0 Q
點(diǎn)擊上方藍(lán)色字體,關(guān)注我們) L# N; }5 {; ~0 O, r
PCB儲(chǔ)存需要綜合考慮溫濕度、包裝方式、表面處理、存儲(chǔ)時(shí)間及環(huán)境污染等因素。
" }6 m( M9 U. C6 }" o, J$ i6 Q4 q3 u+ j
妥善儲(chǔ)存不僅能延長(zhǎng)PCB的使用壽命,還能有效保證生產(chǎn)和使用過(guò)程中的可靠性。
' \1 R# C/ Q0 _. i9 }+ ]
! E9 [2 u; J9 N8 b8 a8 M $ {0 K1 _# |3 H3 s& d1 ~
儲(chǔ)存方案應(yīng)根據(jù)具體PCB類(lèi)型(單面、多層、高頻、柔性等)及其表面處理工藝靈活調(diào)整。, j8 ~3 a; i& Q5 v9 q
1
$ b! |; v1 d" j/ t儲(chǔ)存環(huán)境的基本要求
1 Z; q: v. ]3 M" |9 ]1.1 溫度
. y  W. O5 H, p) @% F, I推薦范圍:儲(chǔ)存環(huán)境溫度應(yīng)控制在 15°C ~ 30°C 之間。! t4 \( K" K& w

7 I8 ?% r7 @. K3 D! j, v6 _, i原因:過(guò)高的溫度可能導(dǎo)致PCB的基材(如FR-4、CEM-3等)老化或性能退化,而過(guò)低的溫度可能會(huì)使板材變脆,增加加工或使用時(shí)的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
' Y; N$ e8 q" q' F( s7 Z6 ~- }* c! Q
1.2 濕度
& G8 ~# Y7 C/ _0 n0 V1 I推薦范圍:相對(duì)濕度應(yīng)保持在 30% ~ 70% RH 之間,最好控制在 50%以下。
$ G! H9 `# U* P  y' J3 K$ ^  b
5 V2 U0 P+ E6 ~/ X5 i' k原因:高濕度環(huán)境易導(dǎo)致PCB吸濕,影響介電性能,增加層間分離或分層的風(fēng)險(xiǎn);低濕度環(huán)境可能導(dǎo)致靜電累積,損害敏感元器件。
2 u, N3 k2 ~$ P2
+ c. j9 F, ]0 u6 S包裝和密封要求. Z, ]9 h/ l9 Y) E$ Y5 g# g( k
2.1 防潮包裝
/ j( P1 L  \6 v4 U( {, S防潮袋:儲(chǔ)存前,應(yīng)使用真空防潮袋密封PCB,并加入適量干燥劑(如硅膠)。" o* G$ r" `% F

1 t) Q0 p. ^- {0 _) n8 O原因:避免吸濕,尤其是對(duì)多層板(Multilayer PCB)和高頻PCB而言,吸濕會(huì)顯著降低介電性能。$ e' `: e( J% \7 s+ H9 M) M. n

2 I' ~% r) k: L8 k/ b) u) v; `" e2.2 防靜電包裝
& s7 z3 h5 Z" D$ I% H! x2 F防靜電袋:靜電可能損害PCB上的敏感電路和焊盤(pán)表面,因此必須使用防靜電袋保護(hù)。
; I3 U; v& q- J+ d% q
) }( Z" t- l7 Y3 v8 u特別注意:裸露的銅箔、鍍金或鍍銀表面,尤其容易因靜電或空氣氧化造成性能劣化。0 V  M% {+ @) t1 w5 w/ s; p2 U5 I
3
: Z9 Q3 A3 {6 j; O" X9 h儲(chǔ)存時(shí)間限制( x# e3 O: B9 A
3.1 表面處理方式與儲(chǔ)存期限5 L& i2 s/ y1 x6 e: W1 q3 _# E- I
不同表面處理工藝的PCB,其儲(chǔ)存時(shí)間有所差異:
& n+ g8 K# w, |) _) r
  • 噴錫(HASL):一般存儲(chǔ)期限為 6個(gè)月,超過(guò)期限易出現(xiàn)表面氧化或錫層失效。
  • 化學(xué)鍍金/沉金(ENIG):相對(duì)穩(wěn)定,存儲(chǔ)期限通常可達(dá) 12個(gè)月。
  • 沉銀:易氧化,推薦存儲(chǔ)期限不超過(guò) 3個(gè)月,需嚴(yán)格控制濕度。
  • OSP(有機(jī)保焊膜):存儲(chǔ)期限短,僅為 3~6個(gè)月,需密封保存。
    : {3 r3 }6 q6 C* Y. ^8 j

    9 i9 x" W. o+ @! ]5 Q1 G: K6 Z3.2 儲(chǔ)存過(guò)期的處理
    & e5 J# C% P) D3 h0 l) J! s2 h再處理:如PCB表面輕微氧化,可通過(guò)清洗或再鍍處理恢復(fù)其可焊性。$ R" M0 d6 ]2 a8 T
    & i, i& H( ]( d" {/ b3 s: z6 z) x  s0 Y3 B
    注意:若多層板或關(guān)鍵工藝受損,建議報(bào)廢處理,避免使用引發(fā)潛在可靠性問(wèn)題。1 X) z. p# [# e7 G0 o
    4- t+ i+ ?0 m- n2 ?/ G( @
    儲(chǔ)存位置及堆疊方式
    0 L. I* Z9 [$ A* q4.1 防塵與防污染3 P$ h2 K3 D: O8 k8 P
    要求:存放在清潔、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性氣體的環(huán)境中,避免與酸堿性物質(zhì)接觸。3 o2 e" N0 G2 H

    , a; W+ X$ Q) `, Z$ b, |/ p: V原因:灰塵和化學(xué)污染可能導(dǎo)致焊接不良或短路。
    % [! @5 N: X$ X' h" S4 A1 K: v' S2 L7 L1 `+ ^9 ?0 e' o" V
    4.2 垂直存放或平放/ a- p- e" z# Y$ G
    垂直存放:推薦將PCB垂直懸掛于防靜電架上,避免因重力造成的變形。
    5 v; X6 w9 J- C& o9 m+ Z! k% K( F2 g: {3 h3 B
    平放存儲(chǔ):如需平放,應(yīng)使用防靜電墊片,均勻堆疊,避免壓力過(guò)大導(dǎo)致翹曲或損傷。
    0 n# h/ X- ]3 b- [; Y55 X- ~3 Y: u. ?- w3 O$ |; Y; d5 [
    特殊場(chǎng)景的儲(chǔ)存要求
    ) A, J5 F6 z) h& C& Z, _5.1 高頻/高密度PCB
    ! [# W# J3 D, s0 q' ^- E  S高頻PCB的介質(zhì)材料(如PTFE、陶瓷基材)對(duì)濕度尤為敏感,應(yīng)使用更嚴(yán)格的防潮密封和低濕環(huán)境。' f3 r- E9 p% ^1 C7 I

    8 Z+ _  ^6 x$ q, J5.2 已裝元器件的PCB(PCBA)
    % c9 b% U: t; b& k/ `靜電防護(hù):確保PCB組件表面無(wú)靜電積累。' t, L; F: f" T+ \8 i, t  x$ o, _
    + ], n; N; V- R- [% T4 _1 f
    環(huán)境要求:儲(chǔ)存環(huán)境的濕度控制在 30%~60% 之間,并避免直接陽(yáng)光照射。" ], l9 k( K! X% k$ r0 w5 {5 f
    6
    5 \& P1 a! s) O2 h2 ZPCB儲(chǔ)存中的常見(jiàn)問(wèn)題與解決方法' I9 f" T5 `* R# X; m  _
    6.1 表面氧化% k0 u/ X5 X: W- Q7 P# `; {2 u4 E
    問(wèn)題:氧化會(huì)導(dǎo)致焊接性能下降甚至焊接失敗。5 x0 n4 Z5 _9 E$ ?
    + a4 j4 b4 f! u# p( W
    解決:氧化嚴(yán)重的板可報(bào)廢處理,輕微氧化可通過(guò)化學(xué)清洗恢復(fù)。' r8 d& q2 ?$ l2 P! @; k

    : }, L3 w* @/ u' h- t1 E6.2 濕氣吸附  c' r2 {2 W# l* }
    問(wèn)題:吸濕會(huì)導(dǎo)致分層、氣泡和焊接缺陷。
    ) e5 o6 H6 W. ]7 I7 C% v, }1 R) Q1 E8 c) A) p1 ?
    解決:可在使用前對(duì)PCB進(jìn)行低溫烘烤(如120°C下烘烤8~12小時(shí))以去除濕氣。
    " X  \  u8 A) N0 h7
    ; h  a0 s) Z3 w" |  P行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)參考4 A/ x& y9 D- n3 e
    IPC-1601(印刷電路板材料的處理和存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)):提供了PCB儲(chǔ)存、運(yùn)輸及管理的全面指導(dǎo)。) I8 C( l& u( S- T, |+ K9 h; D6 E
    1 k  p1 b- A  n
    J-STD-033:適用于濕敏元器件的存儲(chǔ),也可為PCB存儲(chǔ)提供部分參考。  s. ~1 H. r( S+ {0 o
    0 y  b" B; H/ ?. L2 e( y3 y. l; R0 R7 ?

    + i; T- G* M7 p: A* I點(diǎn)擊閱讀原文,更精彩~
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