Chiplet通信和橋接技術(shù)：實(shí)現(xiàn)下一代異構(gòu)集成

逍遙設(shè)計自動化

引言人工智能、5G/6G網(wǎng)絡(luò)和高性能計算的快速發(fā)展推動了對更復(fù)雜半導(dǎo)體封裝解決方案的需求。Chiplet設(shè)計和異構(gòu)集成成為滿足這些需求的關(guān)鍵方法,與傳統(tǒng)的單片系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)計相比,提供了更高的性能、更低的成本和更大的靈活性。Chiplet架構(gòu)的一個關(guān)鍵方面是Chiplet之間的通信,這通常由各種橋接技術(shù)實(shí)現(xiàn)。本文將探討Chiplet的概念、不同的橋接技術(shù)及其在先進(jìn)封裝解決方案中的應(yīng)用[1]。

Chiplet和異構(gòu)集成簡介
' w1 b9 R4 u+ A* q: l4 `Chiplet是可以在單個封裝中組合以創(chuàng)建更復(fù)雜系統(tǒng)的小型專用裸片。這種方法允許對不同組件使用優(yōu)化的制造工藝,并可在單個封裝中混合各種技術(shù)。異構(gòu)集成指的是用于將這些不同Chiplet組合成一個統(tǒng)一系統(tǒng)的封裝技術(shù)。
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* N7 ]4 F  w/ G3 B4 V; q圖1說明了各種Chiplet設(shè)計和異構(gòu)集成封裝方法,包括芯片分區(qū)、芯片分割以及使用不同中介層技術(shù)的多系統(tǒng)集成。
  c0 _% j, d( F該圖展示了五種不同的Chiplet設(shè)計和異構(gòu)集成方法:

芯片分區(qū)和異構(gòu)集成

芯片分割和異構(gòu)集成

使用薄膜層的多系統(tǒng)集成

使用無TSV中介層的多系統(tǒng)集成

使用TSV中介層的多系統(tǒng)集成[/ol]
每種方法在成本優(yōu)化、制造良率、形狀因子和性能方面都提供獨(dú)特的優(yōu)勢。
Chiplet通信的橋接技術(shù)為了實(shí)現(xiàn)Chiplet之間的高效通信,開發(fā)了各種橋接技術(shù)。這些橋接作為Chiplet之間的互連,促進(jìn)高速數(shù)據(jù)傳輸和信號完整性。讓我們探討一些目前使用的主要橋接技術(shù)。
英特爾的嵌入式多裸片互連橋(EMIB)[/ol]英特爾的EMIB技術(shù)是Chiplet通信的先驅(qū)橋接解決方案之一。EMIB涉及將小型硅橋嵌入到構(gòu)建封裝基板的腔體中。
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6 X: ~8 \: g2 E. I3 p0 d圖2展示了英特爾的嵌入式多裸片互連橋(EMIB)技術(shù),說明了硅橋如何嵌入到封裝基板中以連接Chiplet。
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5 u9 W; j. a9 D! d& a% SEMIB技術(shù)提供以下幾個優(yōu)勢:

消除了對大型昂貴硅中介層的需求

實(shí)現(xiàn)Chiplet之間的高密度互連

允許混合搭配各種Chiplet技術(shù)
英特爾已成功在Kaby Lake處理器和Agilex FPGA等產(chǎn)品中實(shí)施EMIB,展示了其多功能性和性能優(yōu)勢。
7 F1 M0 |( h7 E2. IBM的直接鍵合異構(gòu)集成(DBHi)IBM的DBHi技術(shù)代表了使用硅橋進(jìn)行Chiplet互連的另一種方法。與EMIB不同,DBHi不需要將橋接嵌入基板內(nèi)的腔體中。

圖3說明了IBM的直接鍵合異構(gòu)集成(DBHi)方法,展示了如何使用標(biāo)準(zhǔn)封裝基板上的硅橋連接Chiplet。
DBHi的主要特點(diǎn)包括:

在Chiplet上使用C4凸點(diǎn),在橋接上使用C2凸點(diǎn)

與EMIB相比,封裝基板設(shè)計更簡單

可能降低制造成本
3. 臺積電的帶局部硅互連的晶圓級芯片堆疊(CoWoS-L)臺積電開發(fā)了CoWoS-L作為其CoWoS(晶圓級芯片堆疊)技術(shù)的演進(jìn)。CoWoS-L用較小的局部硅互連(LSI)或嵌入環(huán)氧模塑料(emc)中的橋接替代大型硅中介層,并配有重分布層(RDL)。
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* M5 a/ b) I: J  h圖4比較了臺積電傳統(tǒng)的使用TSV中介層的CoWoS技術(shù)(a)與使用嵌入EMC中的LSI橋接和扇出型RDL的新CoWoS-L方法(b)。

9 q9 s% q- T. S$ b, R3 PCoWoS-L提供以下幾個優(yōu)點(diǎn):

由于硅橋尺寸較小,降低了制造成本

與大型中介層相比,良率提高

保持亞微米銅RDL的高性能互連
4. 矽品精密的帶TSV的扇出型嵌入式橋接(FO-EB-T)與臺積電的方法類似,矽品精密開發(fā)了FO-EB-T,用嵌入EMC中的硅橋和扇出型RDL替代傳統(tǒng)的TSV中介層。
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# t8 `( W" r. N8 k0 Z9 k圖5展示了矽品精密的FO-EB-T技術(shù)(b)與傳統(tǒng)CoWoS(a)的比較,突出顯示了用嵌入EMC中的橋接和扇出型RDL替代TSV中介層。
FO-EB-T技術(shù)提供:

改善了更大封裝尺寸的可擴(kuò)展性

通過使用較小的硅橋降低成本

將TSV集成到橋接中以增強(qiáng)連接性
混合鍵合橋接技術(shù)橋接技術(shù)中有前途的進(jìn)展是使用混合鍵合來連接Chiplet和橋接。與傳統(tǒng)的基于凸點(diǎn)的互連相比,這種方法提供更高的密度和性能。

' o% H) I% U( n" }圖6說明了用于連接Chiplet和硅橋的混合鍵合概念,展示了與傳統(tǒng)凸點(diǎn)互連相比,可能實(shí)現(xiàn)更高的密度和更好的性能。
- f$ ^5 n- n- H9 o) a# D3 g% B& r' `7 E混合鍵合橋接提供:

更精細(xì)間距的互連

改善電氣和熱性能

進(jìn)一步縮小封裝尺寸的潛力
9 O' R4 g( t- }' b硅橋的制造工藝硅橋的制造涉及幾個關(guān)鍵步驟,包括創(chuàng)建硅通孔(TSV)和重分布層(RDL)。TSV制造:
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圖7概述了用于硅橋的硅通孔(TSV)的制造過程。
' ^1 Z8 h2 I7 f" M' jTSV制造過程通常包括:

絕緣層沉積

光刻和刻蝕以創(chuàng)建通孔

阻擋層和種子層沉積

銅電鍍填充通孔

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除多余銅[/ol]
9 W+ F9 L& p/ O% w$ pRDL制造:在硅橋上創(chuàng)建RDL主要有兩種方法:
$ k2 l! J/ f: I# R3 \: [9 w1. 聚合物+銅電鍍和蝕刻方法:

/ E9 K& y) G( a- v2 |# q圖8顯示了使用聚合物和銅電鍍/蝕刻技術(shù)的RDL制造過程。
- e7 a4 `$ I0 r6 r這種方法包括:

旋涂聚合物介電材料(如聚酰亞胺或BCB)

光刻和蝕刻以創(chuàng)建通孔開口

銅濺射和電鍍

蝕刻以定義最終RDL圖案
2. SiO2+銅damascene和CMP方法:
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圖9說明了使用SiO2介電材料和銅damascene技術(shù)的RDL制造過程。
這種方法包括:

PECVD沉積SiO2

光刻和蝕刻以創(chuàng)建溝槽和通孔

阻擋層和種子層沉積

銅電鍍

CMP去除多余銅并平坦化表面
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使用橋接技術(shù)的先進(jìn)封裝示例幾種高性能產(chǎn)品已成功實(shí)施各種橋接技術(shù):1. AMD的Instinct MI250X計算加速器:
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圖10顯示了AMD的Instinct MI250X計算加速器,它使用硅橋?qū)�GPU和HBM存儲器連接在標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建封裝基板上。
2. 蘋果的UltraFusion:

, A4 W3 D% W: V" [" K圖11說明了蘋果的UltraFusion技術(shù),該技術(shù)使用硅橋在標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建封裝基板上互連兩個M1 Max芯片。
* j) @# ]5 Y/ U- S' X8 O3. NVIDIA的H100 GPU:
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圖12描繪了NVIDIA的H100 GPU,它利用大型TSV中介層將GPU裸片與HBM存儲器堆疊連接。
3 g0 r8 u/ |$ \" C  W這些例子展示了橋接技術(shù)在實(shí)現(xiàn)高性能計算解決方案方面的多功能性和可擴(kuò)展性。
5 I9 r2 |$ L! R" i( O- c通用Chiplet互連快車(UCIe)聯(lián)盟為了促進(jìn)基于Chiplet設(shè)計的互操作性和標(biāo)準(zhǔn)化,成立了通用Chiplet互連快車(UCIe)聯(lián)盟。該行業(yè)組織旨在在封裝級別建立通用互連標(biāo)準(zhǔn)。

圖13顯示了UCIe聯(lián)盟支持的各種封裝方法,包括標(biāo)準(zhǔn)封裝和使用不同橋接技術(shù)的先進(jìn)封裝。
: t6 l8 ~1 e( [  QUCIe聯(lián)盟的努力將有助于促進(jìn):

可互操作的多供應(yīng)商生態(tài)系統(tǒng)

標(biāo)準(zhǔn)化的裸片間互連

改善基于Chiplet設(shè)計的靈活性
結(jié)論橋接技術(shù)在實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成封裝中Chiplet之間的高效通信方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。從英特爾的EMIB到臺積電的CoWoS-L以及新興的混合鍵合方法,這些技術(shù)不斷發(fā)展以滿足下一代計算系統(tǒng)的需求。隨著業(yè)界向更模塊化和靈活的芯片設(shè)計發(fā)展,像UCIe這樣的標(biāo)準(zhǔn)化努力變得越來越重要。通過利用這些先進(jìn)的橋接技術(shù)并遵守新興標(biāo)準(zhǔn),半導(dǎo)體公司可以創(chuàng)造更強(qiáng)大、更高效和更具成本效益的系統(tǒng),推動下一波技術(shù)創(chuàng)新浪潮。
- O4 |. y/ `4 }( ?3 P) f! r; e參考文獻(xiàn)[1]J. H. Lau, "Chiplet Communications (Bridges)," in Flip Chip, Hybrid Bonding, Fan-In, and Fan-Out Technology. Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2024, ch. 5, pp. 427-462.

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