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pMaxwell RCWA 0.6版新增可視化功能和折射率監(jiān)視器

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發(fā)表于 2024-9-11 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
, @- @0 ^% P7 P" R1 ipMaxwell RCWA 在其最新的0.6版本中引入了令人興奮的新功能,包括強大的可視化工具和折射率監(jiān)視器。這次更新大大提升了軟件顯示和分析仿真數(shù)據(jù)的能力。本文介紹這些新特性,包括一維和二維繪圖功能,以及獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的方法。
% a7 n* _) w- P/ ?, T
9 }# @7 G# X# j$ b( BpMaxwell是PIC Studio光電設(shè)計與仿真方案的重要組成部分,在整個流程圖中位于右下角的元件部分。突顯了pMaxwell RCWA在光電子集成芯片設(shè)計和仿真過程中的關(guān)鍵角色。
& |9 @3 h: y; A- d" w, I# F, F- I: m9 \+ o# Q3 ]

5 [; c! V2 @7 Z' O" H1 J) r
: X! T7 N$ |' a. E& e0.6版本更新亮點:
4 d+ Z/ O, D) E1 N+ I# E1. 新增可視化功能:包括1D和2D數(shù)據(jù)的繪圖能力
0 L6 |( N5 L. r2. 折射率監(jiān)視器:允許用戶獲取指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率
  c; I6 c& O5 L3. 增強的數(shù)據(jù)分析能力:使用戶能更深入地理解復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)
& e: _2 U( Z9 V5 B. d0 H& \0 \) B1 p0 L5 \  V* K6 `% v: R
這些新功能不僅提高了pMaxwell RCWA的實用性,還為用戶提供了更直觀、更全面的數(shù)據(jù)分析工具。接下來,我們將探討這些新功能的使用方法和應(yīng)用實例。! h' I9 @; {' W8 h! B8 o6 x

& L) K2 `6 A! q, |6 M9 n可視化功能$ Q( Y! z# {5 K) d  s8 T8 l
一維繪圖 plot_1D 函數(shù)是0.6版本中新增的功能,允許用戶輕松可視化一維數(shù)據(jù)。其語法如下:
( f5 ~- M5 k5 g; _1 u* D$ u; C0 C9 n# L
plot_1D(x, y, data_type, **kwargs). R. G, D% h; z; }! F6 \0 ^
參數(shù):" y4 _2 s3 t! E2 w/ N$ a
  • x:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)
  • y:需要可視化的數(shù)據(jù)(列表、元組或一維數(shù)組)
  • data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")
  • **kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)
    " M- P- g0 ]5 o) a0 e

    5 }, O3 ?9 }% C: q) {( n% K. l8 Y+ J, s! r

      D5 U1 P+ K) ]8 x& d* R圖1展示了0.6版本中新增的plot_1D()函數(shù),用于可視化菲涅爾方程數(shù)據(jù)的例子,顯示了導(dǎo)入必要模塊和設(shè)置繪圖的代碼片段。& d; ^) `5 {& M- j1 Y# Z% B

    % w; T* U) m/ T1 U" z2 ]6 B: E二維繪圖 plot_2D 函數(shù)能夠可視化二維數(shù)據(jù):
    : o* a) |. l; Q
    $ c& P, ~1 `% P! P# Y' \plot_2D(x, y, data, data_type, **kwargs)2 t5 o* z0 d% h$ m/ X5 W4 N( a
    參數(shù):
    ) u( R- |# R1 l
  • x:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)
  • y:y軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)
  • data:需要可視化的二維數(shù)組數(shù)據(jù)
  • data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")
  • **kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)! j# b  Q3 {# A8 b$ v+ p
    # i6 Z8 G' q: ~$ \

    9 q9 }% W# `" f! U5 _3 e
      b$ k8 e3 h2 P4 f圖2展示了使用plot_2D()可視化超透鏡單元結(jié)構(gòu)xz平面電磁場Ex分量實部的例子。
    0 z: e6 ~2 A9 T4 f. }折射率監(jiān)視器" m, J) T) J; d4 I/ G
    pMaxwell RCWA 現(xiàn)在包含了獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的函數(shù):* r" w+ o/ G- b/ T$ ^- @0 O- H8 b
    1. GetEpsMu_xy(mesh, layer_number)6 l+ [! K# x5 }
    2. GetEpsMu_xz(mesh, z_info, y_position)+ G, y. J7 M% f8 s4 D5 S; u$ A
    3. GetEpsMu_yz(mesh, z_info, x_position); V5 ?' Q: H# H$ e3 r8 v8 \
    & g1 O4 ~2 i9 f5 j$ F+ i0 C, Q
    參數(shù):
    6 s' N/ D  \8 o; s( ^mesh:仿真網(wǎng)格對象
    + Q! q. P* h0 [& k/ r0 ]layer_number:層標(biāo)記(-1表示入射層,0到N表示結(jié)構(gòu)層,N表示出射層); \" \1 u# L  G" w$ y$ e
    z_info:z軸范圍和分辨率(start, stop, grid_number). k/ G6 y2 _# `) H- Y7 v0 Y" `6 X
    x_position:yz平面的x軸位置
    2 X8 j8 q: g$ J1 V' w, [y_position:xz平面的y軸位置
    # G* H# T0 U. q( K$ S5 \

    ( |  }! z( N5 U( Y2 L0 P
    % v2 Y  a! t) k( L( c! d
    + h! \% e! M( O* [% O7 J圖3提供了使用GetEpsMu函數(shù)獲取xy、xz和yz平面介電常數(shù)的代碼片段示例。! U/ I( \1 H! u6 v
    " m) X8 X. o0 v/ l; p% N& Q+ v2 B
    ! o* G7 V7 \! x
    圖4顯示了一維矩形光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部。, ?4 E* S% k$ O- P6 O; a/ n
    5 Z/ T" w" N$ a, q5 R8 q) X8 n
    結(jié)構(gòu)參數(shù):
    & d6 m: _- P, {0 d" d, @. a周期:300 nm0 M5 c" y' B3 I2 w3 H- B) v  ?* P
    寬度:200 nm
    ! Y4 V. V: l6 n/ v7 K高度:300 nm
    : m0 E9 `, c4 |: r6 v硅折射率:4.22706 + 0.0599998j( S/ |- `, F5 ?0 ^( Y6 T
    二氧化硅折射率:1.4616(入射層)* i/ d2 Z! ]) |  S. a& A& r

    ) C5 t& g6 V, a' K/ E5 ? - V3 M7 Z) }2 f& [
    圖5顯示了一維傾斜光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部,其中坐標(biāo)原點已調(diào)整以提供更好的可視化效果。
    5 g7 C. ^% u( q( T& @$ H
    ! F9 E# K1 s/ x6 {; O結(jié)構(gòu)參數(shù):6 G% c, @( o' O1 p7 \
  • 周期:393 nm
  • 填充系數(shù):0.5
  • 寬度:196.5 nm
  • 高度:300 nm
  • 傾斜角:60°
  • 空氣折射率:1.0
  • 光柵折射率:1.8
  • 分層數(shù):301 [. E; G" v8 p
    ! U' _' |& A) P. U- V3 z& j% |/ B
    / D; R- n  K8 c& n+ n$ R3 ^8 O
    & K) ^* X) B4 g: P" B) ?8 O; C
    圖6顯示了二維金屬超表面結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部。
    * c$ }6 j: a: [' q# ^
    0 s* m; h. {9 c  e6 u- [, g結(jié)構(gòu)參數(shù):, ^& ?4 U% N4 v
  • 周期:0.4 μm
  • 高度h1:0.5 μm
  • 高度h2:0.04 μm
  • 長度L:0.2 μm
  • 寬度w:0.05 μm
  • 柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)
  • 基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)
  • 入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)
  • 出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)
    + J9 Z% \, R9 h) o# C( o2 H5 }4 B; u. R$ h
    % v7 B9 O  k' v% z2 T

    8 b# N8 I& _4 _; f. Q: u圖7顯示了不規(guī)則結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部,其中xz平面可視化經(jīng)過縮放以強調(diào)結(jié)構(gòu)細節(jié)。4 h2 C' v1 u* i; e5 [% Y" O2 N

    8 e+ v8 g7 t4 \結(jié)構(gòu)參數(shù):1 [8 w: `  X4 u/ U
  • 周期:0.35 μm
  • 高度:1.3 μm
  • 柱介電常數(shù):4.1616
  • 基底介電常數(shù):2.12074
  • 入射介質(zhì)介電常數(shù):2.12074
  • 出射介質(zhì)介電常數(shù):1.0
    ' K8 a6 c/ s+ v; d. f, p

    + o& R' x4 I7 O  C- [8 X% @& ^, k3 c7 D: ?) c
    1 J5 O2 l4 G; w! N. }/ P  Y& Z
    圖8顯示了由長方體和圓柱組成的雙層結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部。
    1 Y; w/ S& v: P- Z' g6 Q7 I' [" y! I* J4 n- J+ i
    結(jié)構(gòu)參數(shù):( s7 t9 C$ V9 p* i# F* R: p* F
  • 周期:0.4 μm
  • 高度h1:0.5 μm
  • 高度h2:0.04 μm
  • 長度L:0.2 μm
  • 寬度w:0.05 μm
  • 柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)
  • 基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)
  • 入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)
  • 出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)5 w& B/ P3 b2 \; \! A5 Y0 R
    結(jié)論* G3 f  F2 |1 a- _' ]3 u2 f
    pMaxwell RCWA 的新增可視化功能和折射率監(jiān)視器為分析和可視化復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)提供了強大的工具。通過利用這些特性,研究人員和工程師可以對仿真結(jié)果有更深入的理解,從而更有效地設(shè)計和優(yōu)化光學(xué)器件。輕松可視化一維和二維數(shù)據(jù)的能力,以及檢查不同平面上介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的功能,提升了pMaxwell RCWA軟件的整體功能和用戶體驗。這些新功能將幫助用戶更好地理解和分析復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng),為光電子技術(shù)、硅基光電子和光電共封裝等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。, `3 d6 x! [% U% z: ?4 H* ?  l

    4 a9 Q  U4 Q" k1 x- END -
    % H0 s% {$ H9 v# n5 f& C
    5 ?1 v  U: `1 @8 r軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請體驗免費版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。' y# g; P0 P# }
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    ; e( Z! j) P8 z( G8 m6 ^
    . ^- ~/ s% c( t- }+ X4 Q歡迎轉(zhuǎn)載9 g  z. o6 f/ W9 R2 V! ]. H
    , q3 ?& V# j. f' P
    轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!
    3 L3 K5 E2 d1 E0 u1 o/ e9 _2 l$ e( w" {' K% n; v

    ; m+ M+ ]1 |) l% J8 z
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    關(guān)注我們
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    ; ^. o* S8 S/ {3 ?4 Y0 P9 W0 H
    % h, \& ~$ k. e' b- _: B, _4 g* I
                         
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    : K2 u7 Y" H; u" N  J8 k
    ; o! \7 A0 [, P/ C5 M

    . {7 i% X; a8 E" J+ N  m關(guān)于我們:/ X# P- G( R, x
    深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
    % i/ |- u& }& Q
    0 K5 P( p- Y& N! `2 l1 qhttp://www.latitudeda.com/0 K5 M; A8 Q# h9 a7 s$ @. m6 A
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