電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺

PCB聯(lián)盟網(wǎng)

搜索
查看: 39|回復(fù): 0
收起左側(cè)

Physical Review X | 在納米光子線路上捕獲原子:量子科學(xué)的新前沿

[復(fù)制鏈接]

441

主題

441

帖子

3200

積分

四級會員

Rank: 4

積分
3200
跳轉(zhuǎn)到指定樓層
樓主
發(fā)表于 2024-9-17 08:05:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言
7 Y8 a4 K1 o; u0 }將冷原子與納米光子器件集成為量子傳感、計(jì)量和信息處理帶來了新的機(jī)遇。然而,在集成光電子線路上高效捕獲大量原子一直是重大挑戰(zhàn)。在本文中將探討Zhou等人展示的突破性技術(shù),可以直接在納米光電子微環(huán)諧振器上裝載和捕獲冷原子團(tuán)[1]。/ u5 d8 X$ L0 I4 }) t7 R; S% g

) z) ^5 [5 F1 X$ T
2 G; Q- v8 `: L; C9 b8 M& m$ S- e + z7 B7 a, W- F! {" |# F" I  O

$ y  ~" o! @9 |1 x+ ?, Q關(guān)鍵創(chuàng)新:簡并拉曼邊帶冷卻  i* O; J! u0 y3 O* \: i2 V: ~
研究人員通過在硅氮化物微環(huán)諧振器上方形成的微陷阱中采用簡并拉曼邊帶冷卻(dRSC)實(shí)現(xiàn)了高效的原子捕獲。一個(gè)關(guān)鍵的洞見是,微環(huán)的回廊模式(WGM)的倏逝場為原子創(chuàng)造了內(nèi)置的自旋-運(yùn)動耦合。0 t1 b! J5 A" k( z' P
2 j' Y6 v; f( y, L- T9 b7 D
; X. w# y. W( C2 k- V- D
圖1. 這幅圖說明了在納米光子微環(huán)電路上捕獲原子的過程。冷原子通過光學(xué)微陷阱和虛擬磁場被捕獲。虛擬磁場實(shí)現(xiàn)了自旋-運(yùn)動耦合,并通過簡并拉曼邊帶冷卻(dRSC)進(jìn)行冷卻。原子陷阱的配置影響探測光的透射信號。
% k0 w* O8 s$ d6 s2 R) x9 u; @1 @# R  P: R9 v8 g
如圖1所示,該裝置包括:
  • 一個(gè)從底部照射的光學(xué)引導(dǎo)(OG)束,創(chuàng)造一個(gè)漏斗狀的吸引勢。
  • 在微環(huán)中激發(fā)的藍(lán)失諧回廊模式 (WGM) 創(chuàng)造一個(gè)排斥性的倏逝場勢壘。
  • 一個(gè)偏置磁場,定義量子化軸。
  • 一個(gè)用于冷卻的光學(xué)泵浦束。6 G! L8 I! k9 o! z+ P
    [/ol]
    + V1 |; e* V# q8 m* F4 V- g
    + p1 M5 `: B; f# ?0 s3 b
    冷卻機(jī)制
    * ]5 J' K% P! D2 V5 b" fWGM的倏逝場在波導(dǎo)上方約98%是圓偏振的。這造成了一個(gè)相當(dāng)于作用在原子上的虛擬磁場的位置依賴性矢量光移。場振幅沿z軸(垂直于芯片表面)呈指數(shù)衰減,導(dǎo)致顯著的自旋-運(yùn)動耦合。! M5 i8 ?, T( a2 }1 y( @

    ( O3 m0 m: J, W這種耦合允許簡并拉曼邊帶冷卻:
    5 |& S( c) P% V1 ]3 @
  • 虛擬場在相鄰磁能級的簡并陷阱態(tài)之間創(chuàng)造拉曼耦合。
  • 在蘭姆-迪克區(qū)域進(jìn)行σ+躍遷的光學(xué)泵浦允許被捕獲的原子被泵浦到能量降低的暗態(tài)。3 r# M# L) L  ^" s
    2 p3 O& H( g. L
    實(shí)驗(yàn)流程
  • 在距離電路較遠(yuǎn)的光學(xué)漏斗中使用磁光陷阱(MOT)預(yù)冷銫原子。
  • 引導(dǎo)原子向表面微陷阱移動。
  • 執(zhí)行dRSC以冷卻靠近表面的引導(dǎo)原子。
  • 通過原子引起的微環(huán)透射譜中的透明度來檢測被捕獲的原子。
    9 W" ]9 e& [: {" q[/ol]8 H! d- v& G. r- l

      @/ a/ T  g. @) y6 t* K, P, g結(jié)果和分析
    ( ]$ ^: D& r5 T$ N- G7 w研究人員使用這種技術(shù)取得了顯著的結(jié)果:
  • 陷阱壽命:他們展示了在|F=3, mF=3?態(tài)極化的被捕獲原子的單體壽命約為230毫秒。通過連續(xù)冷卻,壽命延長到接近一秒。
  • 被捕獲原子數(shù)量:該技術(shù)允許在約10立方微米的小微陷阱體積中捕獲多達(dá)N≈70個(gè)原子。
  • 溫度:被捕獲的原子達(dá)到了低溫Ttrap≈23μK,對應(yīng)的平均振動量子數(shù)ν?≈14。
  • 協(xié)同耦合:被捕獲的原子表現(xiàn)出大的協(xié)同耦合和向微環(huán)的WGM的超輻射衰減。
    ! u3 _% h" d  j& \& H  e' k' ^[/ol]
    0 z+ X/ U# m5 I/ y8 }2 ^+ B/ T# X; N

      k" \; y0 U$ H, T8 @圖2. 這幅圖展示了被捕獲原子中觀察到的協(xié)同耦合和超輻射衰減。通過控制陷阱中的原子數(shù)量,測量了穩(wěn)態(tài)透射譜和脈沖激發(fā)衰減率。結(jié)果顯示了協(xié)同度與衰減率之間的關(guān)系,衰減率隨著協(xié)同度的增加而增加。觀察到的衰減率略低于理論預(yù)期,這可能是由于探測回廊模式(WGM)的反向散射造成的。0 R6 |" r. ?$ v* M2 j# T' {% f% o

    ) r' p5 ]3 m( [# o" l% n圖2展示了一些關(guān)鍵的實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
    $ B: Y* y) H, Q(b) 不同數(shù)量被捕獲原子的穩(wěn)態(tài)透射譜。
    5 r  R6 C' _5 U) c2 V/ e(c) 通過脈沖激發(fā)測量觀察到的超輻射衰減。3 D( u# H1 I4 a4 V4 Q3 m  ~  h
    (d) 歸一化衰減率與協(xié)同度的關(guān)系,顯示了原子-光子耦合的集體增強(qiáng)。
    4 q; X) F+ \, U" L
    0 g! m0 f- z7 B, F  o( @# S" u

    1 `  g7 ]6 T6 y3 D7 ?4 X  [意義和未來方向
    3 G6 W( s: @3 k/ w& V) \這項(xiàng)工作代表了冷原子與集成納米光子電路接口的重大進(jìn)展。潛在的應(yīng)用和未來方向包括:
  • 量子非線性光學(xué):實(shí)現(xiàn)的強(qiáng)集體耦合可能使少光子水平的光子-光子相互作用進(jìn)入新的領(lǐng)域。
  • 量子模擬:該平臺可用于設(shè)計(jì)原子之間的長程相互作用,以模擬量子多體系統(tǒng)。
  • 量子傳感和計(jì)量:芯片上大量集體耦合的原子可能提高原子干涉儀和原子鐘的靈敏度。
  • 量子化學(xué):該技術(shù)可能擴(kuò)展到捕獲和研究超冷分子,為量子水平的可控化學(xué)開辟新途徑。
  • 可擴(kuò)展性:研究人員表示,通過將微陷阱擴(kuò)展到覆蓋整個(gè)微環(huán)周長,被捕獲的原子數(shù)量可能至少增加10倍。
  • 進(jìn)一步冷卻:通過實(shí)施更緊密的束縛(例如,使用雙色倏逝場陷阱),可能將原子冷卻到接近振動基態(tài),并抑制非彈性碰撞。
  • 增加耦合:將原子轉(zhuǎn)移到更靠近表面的更緊密陷阱(z_c≈100 nm)可能顯著增加單原子協(xié)同度到C_1?10。
    0 w& c% b" n/ h' O. I6 y; u[/ol]
    # p; T. x: F1 I4 m7 w結(jié)論$ h! `, X  M3 r- N. ?. [+ ~( S( ]
    Zhou等人展示的在納米光子電路上捕獲原子的技術(shù)代表了量子光學(xué)和原子物理領(lǐng)域的重大進(jìn)步。通過利用倏逝場的獨(dú)特性質(zhì)并采用巧妙的冷卻策略,他們?yōu)樵诩晒庾有酒蟿?chuàng)建大量集體耦合的原子開辟了新的機(jī)遇。這項(xiàng)工作為量子信息處理、傳感和基礎(chǔ)物理研究的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
    * x! z) a+ Y4 ]9 t% G
    , a* h; s  v1 X6 G3 d2 ?/ O隨著該領(lǐng)域研究的進(jìn)展,可以期待看到更加復(fù)雜的原子-納米光子接口,可能導(dǎo)致緊湊、可擴(kuò)展的量子器件,結(jié)合原子系統(tǒng)和集成光子學(xué)的最佳特性。這項(xiàng)開創(chuàng)性研究展示的創(chuàng)新為芯片上的量子技術(shù)未來帶來了新的可能性。
    ) c8 @# }1 i5 X3 g# v. A( w& H6 q* H2 W
    " C& {% j  V* Z
    參考文獻(xiàn)
    ; g+ b6 {$ M" N4 l: x8 e' t& p[1] X. Zhou, H. Tamura, T.-H. Chang, and C.-L. Hung, "Trapped Atoms and Superradiance on an Integrated Nanophotonic Microring Circuit," Phys. Rev. X, vol. 14, no. 3, p. 031004, Jul. 2024.
    * h; Z: q+ I" n8 u  U2 @# ~  T7 L# ~4 [& k! a3 D
    - END -- d4 ~  n2 X( k! c& U) j! ?
    % X; P; V+ q% Z  H# w! X& j+ a. ]( t/ S
    軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。0 r+ z6 G+ Y7 v) V7 ]0 L3 a( d( R9 u0 K
    點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請
    % Z; s; i- I; ]( @$ m( [/ @8 p' N$ O- V/ u2 k2 P
    歡迎轉(zhuǎn)載, _1 R" n; W" |: ^' R

    2 M- [5 Z' Z& x9 J6 g4 T轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!3 a, P  N9 ^6 l- u$ F
    * R* Q  R# {. l9 C4 Z1 a2 I
    , Y$ P3 @) @% q& ^, J4 H9 K9 T

    ) S6 L/ x$ c5 m1 S * ]& I2 a4 I1 \8 m. S2 b! J

    ' W& }  a5 O2 O6 s/ \* d關(guān)注我們0 a# }  e. f1 u& T' B' `" w

    ) \6 [! a! M& D3 o0 v  y' S

    1 w: f) m2 O) c$ y: O+ b
    & J5 P1 L; s" S' s6 h; u

    * Q+ W8 @/ w, o; b8 t
    ' w" v! h6 I. u/ x
    * A: ]6 V( d% l' H. U2 i3 l

    " u, T7 d) J+ A3 O8 l( S1 f; w
                         
    6 T2 u7 Z  i8 m$ V; r5 _0 |( ~/ }7 J* K1 m" m6 O8 d+ Q" b
    ( A! o2 G: O: P2 G! l! t

    2 S& V! x- J; e* s, _關(guān)于我們:) M! L3 _  G. L7 @, C* ?( F
    深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
    # J" F" M, K: P: i' D+ R: N
    , N, Y0 K5 e; W3 ohttp://www.latitudeda.com/
    4 M8 x  W6 E0 }& U: k(點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容)
  • 發(fā)表回復(fù)

    您需要登錄后才可以回帖 登錄 | 立即注冊

    本版積分規(guī)則

    關(guān)閉

    站長推薦上一條 /1 下一條


    聯(lián)系客服 關(guān)注微信 下載APP 返回頂部 返回列表