電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺(tái)

PCB聯(lián)盟網(wǎng)

搜索
查看: 26|回復(fù): 0
收起左側(cè)

IDTechEx | 先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)

[復(fù)制鏈接]

525

主題

525

帖子

4036

積分

四級(jí)會(huì)員

Rank: 4

積分
4036
跳轉(zhuǎn)到指定樓層
樓主
發(fā)表于 昨天 08:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言& u9 N: L, Q* O
半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,推動(dòng)技術(shù)邊界,以滿足對更快、更高效、更強(qiáng)大電子設(shè)備的持續(xù)增長需求。這一領(lǐng)域的關(guān)鍵創(chuàng)新之一是先進(jìn)半導(dǎo)體封裝。本文簡介2.5D和3D封裝技術(shù)的發(fā)展、優(yōu)勢和挑戰(zhàn),以及在各種應(yīng)用中的影響[1]。' {  s4 j/ i$ m; ?+ @

2 T/ G& ^: E0 A. Q6 @半導(dǎo)體封裝的演變
) E/ w  z! Z1 z! D$ G半導(dǎo)體封裝技術(shù)已從最初的1D PCB水平發(fā)展到今天的晶圓級(jí)3D混合鍵合封裝。這一進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了單位數(shù)微米的互連間距,能夠以高能效達(dá)到超過1000 GB/s的帶寬。5 R; x& A6 S' n) }8 o! V( H1 }
( ^4 T- C* R' c# P
四個(gè)關(guān)鍵參數(shù)塑造了先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的發(fā)展:
  • 功率:通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提高功率效率。
  • 性能:通過縮短互連間距增加輸入/輸出(I/O)點(diǎn)數(shù),提高帶寬并減少通信長度。
  • 面積:高性能計(jì)算芯片需要更大的封裝面積,而3D集成則需要更小的z軸尺寸。
  • 成本:通過使用替代的更經(jīng)濟(jì)材料或提高制造設(shè)備效率,持續(xù)降低封裝成本。
    - j3 {6 v+ [8 {3 n$ F[/ol], e7 Y8 `0 D- w+ R) u) V/ z0 @/ d
    2.5D封裝技術(shù)
    6 F* ]! u4 H8 h0 t7 Z8 m2.5D封裝技術(shù)涉及使用中間層連接多個(gè)芯片。根據(jù)中間層材料的選擇,2.5D封裝分為三種主要類型:- g7 m0 Z' _' Q& x
    1. 硅基中間層:
    - x1 B  l9 P% P- i. O4 a
  • 兩種選擇:硅中間層(全被動(dòng)硅晶圓)和硅橋(扇出式模塑化合物中的局部硅橋或帶腔基板)。
  • 優(yōu)勢:最精細(xì)的布線特征,適用于高性能計(jì)算集成。
  • 挑戰(zhàn):材料和制造成本較高,封裝面積限制。
  • 未來趨勢:增加使用局部硅橋以解決面積限制和成本問題。# B5 P$ f) `0 x3 t) I
    * H) q! a/ R# g2 A0 C5 C/ t
    ) p% T! e: x  p, b; d) ?( b
    2. 有機(jī)基中間層:
    4 F1 P7 b8 [! ?; k, m
  • 使用扇出式模塑化合物而非有機(jī)基板。
  • 優(yōu)勢:介電常數(shù)低于硅(較低的RC延遲),更具成本效益。
  • 挑戰(zhàn):難以達(dá)到與硅基封裝相同水平的互連特征縮減。7 C$ l; L# m3 ]" R+ m  x! b, ?7 B
    & G6 I" m5 I; `) G. h8 x& h
    3. 玻璃基中間層:
    0 Z9 a9 O4 K' v' i" }, M
  • 優(yōu)勢:可調(diào)熱膨脹系數(shù)(CTE),高尺寸穩(wěn)定性,光滑平整的表面。
  • 布線特征有潛力與硅媲美。
  • 挑戰(zhàn):生態(tài)系統(tǒng)不成熟,目前缺乏大規(guī)模量產(chǎn)能力。
    2 S3 N2 a# D7 l
    0 n6 T% E% s% R$ N* a" H& a
    3D封裝技術(shù)- p3 d! p" E) n4 r2 \% c  K0 i/ k
    3D封裝技術(shù)專注于芯片的垂直堆疊,主要有兩種方法:* [5 ?* q  L3 O6 K6 Q& z5 c3 `8 N
    1. 微凸點(diǎn)技術(shù):& z3 s; o9 x& W# T- e) q& g
  • 基于熱壓焊接(TCB)工藝。
  • 技術(shù)成熟,應(yīng)用于多種產(chǎn)品。
  • 持續(xù)努力縮小凸點(diǎn)間距。
  • 挑戰(zhàn):較小焊球中金屬間化合物(IMCs)形成增加,潛在的焊球橋接問題,與銅相比電阻率較高。8 Q, t, g$ l6 V

    / J1 K4 W$ G8 J: c# T. M* [- y2. 混合鍵合:7 t5 H( e8 a# p) p' n* g
  • 通過結(jié)合介電材料(SiO2)和嵌入金屬(Cu)創(chuàng)建永久互連。
  • 實(shí)現(xiàn)低于10微米(通常為個(gè)位數(shù)μm)的間距。
  • 優(yōu)勢:擴(kuò)展I/O,增加帶寬,增強(qiáng)3D垂直堆疊,提高功率效率,減少寄生效應(yīng)和熱阻。
  • 挑戰(zhàn):制造復(fù)雜性和較高成本。
    / @+ U0 P1 P) _
    / V( T! U# Q9 F3 z

    ; T! D) G9 _7 l, Y8 \9 {
    7 N+ _2 _' S% ]" t應(yīng)用和市場影響& k# F; v: _% |, Q. B- p
    先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)在多個(gè)關(guān)鍵市場中找到應(yīng)用:. P2 W& `- P. V, S& [7 e
    1. 人工智能和數(shù)據(jù)中心:
    0 K$ Y0 V6 m3 z4 `. C  H
  • 推動(dòng)對高性能計(jì)算解決方案的需求。
  • 需要能夠處理增加的功率和性能需求的封裝技術(shù)。
    ) C( C" k4 F. Q; b: {. X, W
    ; V! d, N( e0 p1 g( Q
    2. 5G網(wǎng)絡(luò):
    / L7 R: h; W2 j# u6 V
  • 先進(jìn)封裝對5G無線電和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要。
  • 實(shí)現(xiàn)更高頻率和增加帶寬。4 {0 t* h9 p4 P

    " w) O# \: y; U9 ?- Z) ^  |3. 自動(dòng)駕駛汽車:
      b& {- d0 c- {! [8 j
  • 需要先進(jìn)封裝用于傳感器、處理器和通信系統(tǒng)。
  • 強(qiáng)調(diào)在惡劣環(huán)境中的可靠性和性能。
    + ^( k5 v9 q  o9 j

    : b) A2 p! u% M# R4. 消費(fèi)電子:" c- @( O* {( u4 C( @; ~4 U
  • 智能手機(jī)、平板電腦、智能手表和AR/VR設(shè)備受益于更小的尺寸和更高的性能。
  • 先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)在緊湊設(shè)計(jì)中集成多種功能。
    + r% g- E* t5 e- n' o
    9 _0 k  F7 f. t( ]6 i- u3 s
    未來展望: y4 o3 a- A3 K5 _0 n% a
    先進(jìn)半導(dǎo)體封裝行業(yè)將迎來顯著增長和創(chuàng)新。需要關(guān)注的主要趨勢包括:) `! R6 v( A! x. C! m7 a5 b
  • 互連間距持續(xù)縮小,特別是混合鍵合技術(shù)。
  • 開發(fā)新材料和工藝以解決熱管理和功率效率挑戰(zhàn)。
  • 增加采用基于chiplet的設(shè)計(jì)和異構(gòu)集成。
  • 玻璃基中間層技術(shù)的成熟和潛在的廣泛采用。
  • 制造工藝的進(jìn)步,以降低成本和提高良率。1 V" j2 a! Z) U. a  A6 O

    8 ?4 \) X" m5 `8 ~9 p# ^2 R隨著對更強(qiáng)大、更高效電子設(shè)備需求的持續(xù)增長,先進(jìn)半導(dǎo)體封裝將在實(shí)現(xiàn)下一代技術(shù)方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。從人工智能和5G到自動(dòng)駕駛汽車及更多領(lǐng)域,這些封裝創(chuàng)新將成為日益互聯(lián)和智能世界的核心。+ y# n: c+ K, Z% r; {

    ( M& C: @/ B8 }( k+ b* N4 p' t參考文獻(xiàn)
      Y. N- \7 q3 [2 X7 ][1] IDTechEx, "Advanced Semiconductor Packaging 2024-2034: Forecasts, Technologies, Applications," IDTechEx, Jan. 11, 2024. [Online]. Available: https://www.azonano.com/news.aspx?newsID=40634.) h2 T9 a" X- H- ^  \* G3 b3 h( C2 d
    END
      ~4 u8 S; Y# j
    % Q/ v2 w# G5 j" G
    $ r, u0 b0 }3 b' {7 A3 c( M
    軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
    7 v5 {7 v: B' H) @" b1 k9 e' x點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請
    $ A$ u) R8 {7 {( Y- g0 O
    - W; R! e# k( {0 b" i歡迎轉(zhuǎn)載% J. \- D2 U6 Y, J8 N% R
    - B. b1 V. ]) L' t8 \- ~
    轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!5 |5 a/ e3 n) _/ u- E1 ]( x
    # u. D- `+ w( ?: c9 F
    9 Q) ?; v& [: z; b8 J5 g
    9 p) Q( ^; W3 X0 f! l" `) m' h% F

    $ C- }# g& l1 L' s* Z4 |' h; L* M
    1 k: U2 p9 ~2 v, n( G關(guān)注我們. d9 b6 E6 {7 Z9 y  x. q+ u( T! Z

    * G; k' S% p# N2 ~/ D* `5 ?8 C

    " y5 `0 s3 @  ] & L; M+ R  \+ E* S

    3 F. M$ ?; @! t- j
    3 b" z& w% H5 [0 v$ `+ m6 ^" Q

    ; Z2 ?, N5 O# B! m
    + L, r2 ^1 q+ o5 p1 a
                         
      _! _( |9 x* b2 |: h4 ]
    : x: A* k4 A  D

      S1 @! r5 }( `* c& y: _$ y5 Y1 ^3 X$ r" p; `2 H
    關(guān)于我們:
    : Y% y* Z1 g/ n深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
    . \2 }# L: I7 n+ i7 x# v* I) ]- ^% u8 d" u
    http://www.latitudeda.com/% Y0 q. d9 ?2 A/ R3 |
    (點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容)
  • 發(fā)表回復(fù)

    您需要登錄后才可以回帖 登錄 | 立即注冊

    本版積分規(guī)則

    關(guān)閉

    站長推薦上一條 /1 下一條


    聯(lián)系客服 關(guān)注微信 下載APP 返回頂部 返回列表