場(chǎng)效應(yīng)管工作原理,最全面場(chǎng)效應(yīng)管工作原理-KIA

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       MOS管MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路。
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　　簡(jiǎn)單解釋一下MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。

8 z7 i" X- G! e, m- o; ]　　MOS 場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫。它普通有耗盡型和加強(qiáng)型兩種。本文運(yùn)用的為加強(qiáng)型MOS 場(chǎng)效應(yīng)管，其內(nèi)部構(gòu)造見圖5。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，關(guān)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣關(guān)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們曉得普通三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制，能夠以為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的緣由。
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6 _- r; G" }5 t　　為解釋MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，我們先理解一下僅含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過程。如圖6所示，我們曉得在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流經(jīng)過。這是由于在P型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸收而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而構(gòu)成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被匯集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則匯集在N型半導(dǎo)體端，電子不挪動(dòng)，其PN結(jié)沒有電流經(jīng)過，二極管截止。
　　關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管（見圖7），在柵極沒有電壓時(shí)，由前面剖析可知，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS 場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí)，由于電場(chǎng)的作用，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸收出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻撓，使得電子匯集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖7b），從而構(gòu)成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也能夠想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的樹立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決議。圖8給出了P溝道的MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的工作過程，其工作原理相似這里不再反復(fù)。

　　下面簡(jiǎn)述一下用C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（加強(qiáng)型MOS 場(chǎng)效應(yīng)管）組成的應(yīng)用電路的工作過程（見圖9）。電路將一個(gè)加強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)加強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一同運(yùn)用。當(dāng)輸入端為低電平常，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平常，N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。經(jīng)過這種工作方式我們能夠取得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場(chǎng)效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場(chǎng)效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正由于如此，使得該電路不會(huì)由于兩管同時(shí)導(dǎo)通而形成電源短路。
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- O+ |8 o) T- g! R7 T# A! k    場(chǎng)效應(yīng)管SI7615ADN-T1-GE3 的參數(shù)
　　零件號(hào)別名：SI7615ADN-GE3
) X: [% E+ v% c- W/ Y3 ]- f, b* h　　功率耗散：52 W
4 H4 o* d' c0 d% s　　包裝形式：Reel
$ ^  C/ X" |( _; V# E6 r　　封裝形式：PowerPAK 1212-8
5 F# @8 A3 K, k# n　　安裝風(fēng)格：SMD/smt
) S; V! J; }# o4 m' ?: ?3 U* Q　　配置：Dual
+ Q5 F4 d, T- v7 F# u" V5 Z　　電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.4 mOhms at 10 V漏極連續(xù)電流：- 35 A
1 ^  f* l7 H! T3 J4 D, ~2 J　　汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
' k& V! ~5 M" b* v, u% j$ W　　晶體管極性：P-Channel
% H, }! s; b5 U- b0 Z　　RoHS：是
7 G+ b6 T+ o7 S1 o* a: y　　產(chǎn)品種類：MOSFET
　　制造商：Vishay

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好！

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