弟子計(jì)學(xué)員-黃鐳-SDRAM模塊心得總結(jié)

斷橋雨燕 · 發(fā)表于 2019-1-21 13:44:53

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

，同步是指

內(nèi)存

工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指

存儲(chǔ)陣列

需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

其布局的原則主要是：

1、SDRAM其地址線、控制線、時(shí)鐘線所在區(qū)域的中心和數(shù)據(jù)線所在區(qū)域的中心到CPU的距離一般為：

當(dāng)二者之間無排阻時(shí)：900mil——1000mil；

當(dāng)二者之間有排阻時(shí)：1000mil——1300mil；

2、當(dāng)有兩片SDRAM時(shí)，一般相對(duì)于CPU嚴(yán)格對(duì)稱，可以是頂?shù)讓?duì)貼，也可以是與CPU放在同一面上（但就個(gè)人認(rèn)為還是放在同一面上）；
布局結(jié)束后就是進(jìn)行扇孔（放置過孔），一般過孔為8mil*16mil（孔徑*外徑）

其布線的原則主要有：
1、信號(hào)線的線寬一般為5mil；
2、信號(hào)線之間的間距要保持在大于等于3W（一根信號(hào)線的中心到另一根相鄰信號(hào)的中心的距離）；
3、等長處理時(shí)（手工等長時(shí)），其也必須滿足3W原則；
4、數(shù)據(jù)線等長處理的誤差范圍需控制在+/-50mil;
   地址線誤差范圍控制在+/-100mil；
5、在布線時(shí)可以采用T點(diǎn)和菊花鏈這兩種形式；

注意事項(xiàng)：
1、在布線時(shí)需要防止出現(xiàn)，如圖底層所示情況；
2、等長時(shí)，需盡量采用類似于咬合的方式，盡量使信號(hào)線能夠等間距；
3、設(shè)置CLASS時(shí)，需將數(shù)據(jù)線和其他信號(hào)線分開設(shè)置；
4、層疊方面的設(shè)置：
   放置元器件的頂層，其下一層為GND層（負(fù)片），并且GND層較板框內(nèi)縮20mil，PWR層（負(fù)片）較GND層要內(nèi)縮40mil，即需要
   滿足20H原則；

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