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低壓差穩(wěn)壓器NCV8518BPDR2G

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發(fā)表于 2019-2-13 14:35:11 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
  低壓差穩(wěn)壓器(英語:Low-dropout regulator,LDO),又稱低壓差線性穩(wěn)壓器、低壓降穩(wěn)壓器,是線性直流穩(wěn)壓器的一種,用途同是提供穩(wěn)定的直流電壓電源。相比于一般線性直流穩(wěn)壓器,低壓差穩(wěn)壓器能于更小輸出輸入電壓差的情況下工作。
& a# c( s0 j" g# A) n% v  低壓差穩(wěn)壓器(英語:Low-dropout regulator,LDO),又稱低壓差線性穩(wěn)壓器、低壓降穩(wěn)壓器,是線性直流穩(wěn)壓器的一種,用途同是提供穩(wěn)定的直流電壓電源。相比于一般線性直流穩(wěn)壓器,低壓差穩(wěn)壓器能于更小輸出輸入電壓差的情況下工作。# ]  H$ j5 s3 @, e
  第一個(gè)低壓降穩(wěn)壓器是輸出可調(diào)式設(shè)計(jì),在1977年發(fā)表于雜志"Electronic Design",題為"Break Loose from Fixed IC Regulators"。該文章作者是Robert Dobkin,當(dāng)時(shí)他任職于美國國家半導(dǎo)體(英語:National Semiconductor),該公司因此聲稱是低壓降穩(wěn)壓器的發(fā)明者。Dobkin其后在1981年離開National Semiconductor并與Robert J. Widlar 一起創(chuàng)立Linear Technology,現(xiàn)為該公司的Chief technology officer。
3 N4 h# d. M8 K  g  首枚低壓降穩(wěn)壓器集成電路是LT1083。$ E' Y( \- I8 N4 _
  低壓差穩(wěn)壓器原理! i8 q3 v/ \4 U7 _! B  N
  低壓差穩(wěn)壓器原理上與一般的線性直流穩(wěn)壓器基本相同,分別在于低壓差穩(wěn)壓器輸出端的功率由NPN晶體管共集極架構(gòu),改為PNP集電極開路架構(gòu)(以使用雙極性晶體管以言)。這種架構(gòu)下,功率晶體管的控制極只要利用對地的電壓差就能讓晶體管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),因此輸入端只需高出輸出端多于功率晶體管的飽和電壓,穩(wěn)壓器就能運(yùn)作,穩(wěn)定輸出電壓。1 I; [9 S% F- {8 k+ r' e1 x2 e. M
  這類設(shè)計(jì)在保持穩(wěn)定性方設(shè)計(jì)難度較高,因?yàn)檩敵黾壍淖杩馆^大,較易不穩(wěn)定或起振。
; o+ {! {% K/ D  使用的功率晶體管
5 ~& B" w6 q" x8 ^: b* x! r  低壓差穩(wěn)壓器所使用的功率晶體管可以是雙極性晶體管或場效晶體管。0 }- V  ~8 c; Q; y) a3 \+ J- |
  雙極性晶體管因?yàn)榛鶚O電流的關(guān)系,會耗用額外的電流,增加功耗,在相對高輸出電壓、低輸出電流、低輸出輸入電壓差的情況下尤其明顯。
0 F7 I) U2 b4 ~/ J& m  場效晶體管沒有雙極性晶體管的功耗問題,但其所需導(dǎo)通的閘極電壓限制了其在低輸出電低的應(yīng)用,而且場效晶體管管的成本較高。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,這兩方面的問題都得以改善。
4 z) x9 `) n" \$ U* V, G* i7 X  低壓差穩(wěn)壓器NCV8518BPDR2G http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2944.html的規(guī)格參數(shù)
$ |; V# }/ `) H- l  安裝風(fēng)格: SMD/smt, W5 r5 _9 z0 _$ {
  封裝 / 箱體: SOIC-8: P! z2 a& E* K5 w! Q5 I: H  a
  輸出電壓: 5 V
7 g7 ?8 X7 E% z( J# u( o' I' i5 `  輸出電流: 250 mA* n8 @" ^0 d9 E, M" b
  輸出端數(shù)量: 1 Output
0 _/ J/ w5 P, u* M9 N  最大輸入電壓: 45 V
# ~% n) }( j- O2 n9 w  輸出類型: Fixed) W: K' u! W! J$ i. `
  最小工作溫度: - 40 C6 b6 {+ `$ r+ S7 Q' b' }6 j% x
  最大工作溫度: + 150 C+ c7 l( ^4 N+ o, ?! H. p
  負(fù)載調(diào)節(jié): 5 mV
0 s8 H) q( f& H4 ]9 f0 \  系列: NCV8518B+ m) ?  O! Q* }( p( e$ w
  回動電壓: 425 mV
0 q& E9 ^' {. \  V9 K" E9 {* [' k  資格: AEC-Q1001 z  x$ S4 k7 |  l% \8 w* u9 f* }3 J
  封裝: Cut Tape
/ h, R7 `9 k( ^9 e  封裝: MouseReel
* m8 M" e( n" m  l$ b* U  封裝: Reel
; E; m8 b  x% Z& J( d' L9 K  商標(biāo): ON Semiconductor
2 @9 j6 A4 T  X/ g3 c3 K% M5 @" _  回動電壓—最大值: 750 mV
5 X. x) e- V. T2 T5 m  輸出電壓范圍: -
, D$ W/ |3 F9 D8 c8 w2 K, C  CNHTS: 8542319000
* q2 I5 K5 M8 K; h$ y, H  HTS Code: 8542390001
6 J6 [& ~/ [1 v+ {  MXHTS: 85423901
- w# s8 `3 y5 \% l- w% q& _  產(chǎn)品類型: LDO Voltage Regulators6 }: |2 P! M+ Z
  工廠包裝數(shù)量: 2500
: g( `) |, W8 F3 j7 X6 x  子類別: PMIC - Power Management ICs
5 e' B+ Y# a3 ~* r/ ~8 B  TARIC: 8542399000
  L2 X0 k1 A& I% ?* N+ i  單位重量: 540 mg
: ~4 j7 B. }8 z  p5 f& d  H
8 Y# W- s. `0 o
8 T& M! @: z% A& [/ a8 q

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