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MOS 場效應(yīng)管也被稱為MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。
$ [* E& U0 i$ |/ W$ M$ y MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示：其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷�，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。* h% o& V! E! d& p' X& }* F z& l. C
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。: m( ^6 |" |# {9 _5 c
場效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖5。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。
' p& g- i9 l2 }# o Q 場效應(yīng)管工作原理圖* |; n W" h% z9 D
場效應(yīng)管工作原理圖. b) M6 k" ]) c4 E0 p$ b" I' J
為解釋MOS場效應(yīng)管工作原理圖，我們先了解一下僅含有一個P—N結(jié)的二極管的工作過程。如圖6所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運動，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導(dǎo)體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。1 z; R% u1 U% g" W; b1 a! a6 U {
場效應(yīng)管工作原理圖8 K* M a1 I. X7 q5 @$ I
場效應(yīng)管工作原理圖1 \' ?* \3 a( ?4 Y
對于場效應(yīng)管（見圖7），在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應(yīng)管處與截止狀態(tài)（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時，由于電場的作用，此時N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也可以想像為兩個N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖8給出了P溝道的MOS場效應(yīng)管的工作過程，其工作原理類似這里不再重復(fù)。
9 e. p' V! @ A E+ d0 y9 ] 場效應(yīng)管工作原理圖- t4 t3 z/ p: @( f
場效應(yīng)管工作原理圖" G2 t" I9 t( b( f( A
下面簡述一下用C-MOS場效應(yīng)管（增強型MOS場效應(yīng)管）組成的應(yīng)用電路的工作過程（見圖9）。電路將一個增強型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個增強型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導(dǎo)通而造成電源短路。7 m( I" U% p+ A- W( m
場效應(yīng)管工作原理圖
' O+ G7 I4 c" }& K 場效應(yīng)管工作原理圖
" J! H, ]$ p' N: V. ` 由以上分析我們可以畫出原理圖中MOS場效應(yīng)管電路部分的工作過程（見圖10）。工作原理同前所述。! B, i1 F8 T) I( T; I) S1 c
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管工作原理圖一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
7 \+ x! B, J* A( r6 E7 t6 t 場效應(yīng)管AO7800 www.dzsc.com/ic-detail/9_5628.html的參數(shù)' }3 U" f$ Y8 u& B/ a4 i
系列：AO3 c3 D; v0 }+ e: I; l" I, o& h
FET類型：2 個 N 溝道（雙）
2 y/ U) a( M2 l+ } FET功能：邏輯電平門" q: U3 ?+ C. C1 I1 H
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：900mA; Q" ]. G/ [4 }7 S+ Y5 n
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）：300 毫歐 @ 900mA，4.5V不同Id時的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250?A不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：120pF @ 10V功率-最大值：300mW工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）, m* p: D- U( F1 k+ v
安裝類型：表面貼裝
1 P" U& U9 r$ @! |: _7 p' E 封裝形式Package：SC-70- a# s' j6 b4 D
極性Polarity：N-CH8 C8 A7 T; `' P4 ^3 R! x
漏源極擊穿電壓VDSS：20V3 X/ S3 Q& ?! r2 p
連續(xù)漏極電流ID：0.9A1 s b+ ^* `! m3 Y" R8 U4 ^
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）8 F4 C4 e+ x8 ?1 @: d
FET 功能：邏輯電平門" p" }( [& L, J
漏源電壓（Vdss）：20V. o% K+ b) ], v: i5 Q3 J
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：900mA( v0 `+ p4 K( x- V8 [" z& S
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 900mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250?A不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：120pF @ 10V功率 - 最大值：300mW封裝/外殼：SC-70-6L! |+ U" {1 O5 g$ U/ v7 A
功率（W）：0.3W
0 R. K' H3 y/ N5 {& p
0 N M& L: ]( i8 Z1 R |
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