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1.2片SDRAM相比1片難度提升較大,在前期BGA扇出拉線的過(guò)程中會(huì)存在一些問(wèn)題,特別是在數(shù)據(jù)線調(diào)線后擺放地址線時(shí)會(huì)經(jīng)常在BGA部分與排阻部分卡住進(jìn)度,布局前的思路非常重要。
2.在調(diào)DRC短接過(guò)程比較生疏,在面臨短接問(wèn)題時(shí),無(wú)法像老師一樣能立刻通過(guò)移動(dòng)過(guò)孔解決短接問(wèn)題。仍需大量時(shí)間練習(xí)。
3.等長(zhǎng)時(shí)考慮好3W原則,預(yù)先在規(guī)則中設(shè)定好3W,防止蛇形等長(zhǎng)后不滿足要求重新拆線。
問(wèn)題:
1.在切換走線模式為障礙或推擠模式時(shí),經(jīng)常遇到拉不動(dòng)線的情況,這是什么原因?(預(yù)留拉線空間足夠)
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SDRAM2_LK.PcbDoc
2024-1-9 17:01 上傳
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