四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心2024年度基金指南項(xiàng)目

一、項(xiàng)目簡(jiǎn)介四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心由四川省發(fā)展和改革委員會(huì)批準(zhǔn)設(shè)立。為了加快推進(jìn)寬帶微波共性基礎(chǔ)與關(guān)鍵技術(shù)突破，加快科技成果的工程化開發(fā)和轉(zhuǎn)化，培養(yǎng)高水平的工程技術(shù)人才，更好的服務(wù)于四川省乃至我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)與電子裝備發(fā)展設(shè)立基金指南項(xiàng)目。
項(xiàng)目分為指南征集與發(fā)布、項(xiàng)目申報(bào)與立項(xiàng)、項(xiàng)目實(shí)施、項(xiàng)目驗(yàn)收四個(gè)階段，研究周期不超過2年，研究經(jīng)費(fèi)不超過40萬/項(xiàng)。項(xiàng)目結(jié)題需發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng),論文需標(biāo)注受“四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心（英文名Sichuan Province Engineering Research Center
for Broadband Microwave Circuit High Density Integration）資助”，項(xiàng)目成果歸本中心及申請(qǐng)者共有。
二、指南條目（一）BMERC004-
2024-01：毫米波/太赫茲晶圓級(jí)集成微系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研究研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞THz通信對(duì)小型化高性能毫米波陣列需求，針對(duì)毫米波/太赫茲頻段晶圓級(jí)封裝在集成工藝、拓?fù)�、�?shí)現(xiàn)等方面挑戰(zhàn)，開展晶圓級(jí)微系統(tǒng)三維異構(gòu)集成工藝與架構(gòu)、晶圓級(jí)多陣元拓?fù)鋬?yōu)化、晶圓級(jí)封裝微系統(tǒng)集成實(shí)現(xiàn)等關(guān)鍵技術(shù)研究，探索有源收發(fā)與輻射單元晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成關(guān)鍵技術(shù)路徑，形成針對(duì)毫米波/太赫茲頻段晶圓級(jí)封裝微系統(tǒng)研究思路，建立數(shù)字化樣機(jī)模型并對(duì)關(guān)鍵技術(shù)加以驗(yàn)證。
牽引性指標(biāo)：
1、封裝形式：晶圓級(jí)封裝；
2、工作頻段：220GHz；
3、工作帶寬：≥10GHz；
4、單元規(guī)模：≥8×8；
5、接收噪聲：小于9dB；
6、單元發(fā)射功率：大于0dBm。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，數(shù)字樣機(jī)模型1套（含三維實(shí)體模型與仿真模型）。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過30萬元。
研究周期：2年。
（二）BMERC004-
2024-02：寬帶有源可調(diào)超表面低散射天線罩技術(shù)研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞電子信息系統(tǒng)中傳感器和高頻部件強(qiáng)散射源天線系統(tǒng)散射控制需求，開展寬帶有源可調(diào)超表面低散射天線罩技術(shù)研究，突破寬頻段寬角度高透波頻率選擇表面綜合優(yōu)化設(shè)計(jì)、大帶寬可調(diào)頻率選擇表面有源器件加載適配及低時(shí)延天線罩通/隱高速切換任務(wù)匹配等關(guān)鍵技術(shù)，構(gòu)建反射/散射、透射狀態(tài)可切換天線罩樣機(jī)仿真模型開展驗(yàn)證，支撐天線系統(tǒng)散射可調(diào)控方案設(shè)計(jì)。
牽引性指標(biāo)：
1、頻段：8GHz~12GHz；
2、切換時(shí)間：≤25ms；
3、通帶透波率：≥85%(8GHz~12GHz，可調(diào)帶寬內(nèi))；
4、阻帶抑制：≥15dB(8GHz~12GHz，可調(diào)帶寬外)；
5、瞬時(shí)帶寬：≥500MHz。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，仿真模型1套。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：1年。
（三）BMERC004- 2024-03：高線性雙頻并發(fā)射頻功率放大技術(shù)研究研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：針對(duì)電子裝備對(duì)雙頻同時(shí)干擾需求，以及現(xiàn)有功率放大器技術(shù)難以同時(shí)在兩個(gè)載波并發(fā)激勵(lì)下高效工作的問題，開展雙頻并發(fā)射頻功率放大器在兩載波并發(fā)激勵(lì)下性能劣化的機(jī)理研究，建立雙頻并發(fā)射頻功率放大器的理論模型，突破雙頻并發(fā)約束下功率放大器的效率提升與帶外雜散抑制等關(guān)鍵技術(shù)，提出新的雙頻并發(fā)功率放大器架構(gòu)與設(shè)計(jì)方法，在關(guān)鍵性能指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)架構(gòu)的超越。  
牽引性指標(biāo)：
1、低頻段工作頻率：1.1~1.6GHz；
2、高頻段工作頻率：2.4~2.6GHz；
3、飽和輸出功率≥50W（單載波）；
4、雙頻并發(fā)三階交調(diào)≤-15dBc（高低頻段各1個(gè)載波，兩載波總功率≥30W）；
5、雙頻并發(fā)效率≥40%（高低頻段各1個(gè)載波，兩載波總功率≥30W）。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，原理樣機(jī)1套。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（四）BMERC004-
2024-04：超寬帶單片集成巴倫芯片關(guān)鍵技術(shù)研究研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞寬帶陣列波束形成網(wǎng)絡(luò)小型化需求，開展超寬帶芯片化集成巴倫芯片設(shè)計(jì)研究，通過對(duì)巴倫器件在超寬帶工作下幅相特性進(jìn)行平衡補(bǔ)償，研究補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，定量分析補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)拓?fù)鋵?duì)系統(tǒng)非線性、阻抗匹配和信號(hào)失真的影響。利用數(shù)學(xué)模型來描述和預(yù)測(cè)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)在不同工作狀態(tài)下的行為表現(xiàn)，通過理論計(jì)算或?qū)嶒?yàn)來評(píng)估其性能效果�；�于耦合模型或分布模型的等耦合線建模方法，利用理論模型和電磁仿真工具，深入研究補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)信號(hào)傳播的影響，突破超寬帶芯片巴倫電路建模、參數(shù)提取、等效電路分析等關(guān)鍵技術(shù)。形成從10MHz到Ka頻段的超寬帶單片巴倫芯片的原型拓?fù)湓O(shè)計(jì)與參數(shù)優(yōu)化方法，為寬帶射頻陣列高密度集成提供有效支撐。
牽引性指標(biāo)：
1、工作頻率：10MHz~32GHz；
2、幅度平衡度：＜0.5dB；
3、相位平衡度：＜5°；
4、插入損耗：≤8dB（典型值5dB）@1~20GHz；
5、共模抑制：＞20dB；
6、回波損耗：＜-10dB。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，仿真設(shè)計(jì)文件1套。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（五）BMERC004-
2024-05：曲面陣列天線測(cè)試方向圖分析與校正技術(shù)研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞曲面陣列天線因單元朝向各異、相位中心難以對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)致的方向圖測(cè)試問題，開展曲面陣列天線方向圖測(cè)試及校準(zhǔn)方法的研究，突破校準(zhǔn)方法的數(shù)學(xué)物理模型建立，形成校正算法代碼，作為曲面陣列天線方向圖后處理數(shù)據(jù)通用方法，為曲面陣列天線方向圖結(jié)果分析不準(zhǔn)提供解決途徑。
牽引性指標(biāo)：
1、單元天線幅度方向圖校正結(jié)果與全波仿真結(jié)果誤差優(yōu)于±0.5dB，相位優(yōu)于±10°(3dB波束寬度內(nèi))；
2、32元S/C波段曲面陣列合成方向圖性能與仿真結(jié)果對(duì)比，幅度誤差優(yōu)于±0.5dB，相位誤差優(yōu)于±8°(3dB波束寬度內(nèi))。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，校正方法及算法代碼1套。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（六）BMERC004-
2024-06：可調(diào)熱膨脹系數(shù)金剛石熱沉制造技術(shù)研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：本項(xiàng)目針對(duì)大功率射頻芯片應(yīng)用散熱瓶頸，開展低成本金剛石材料制備及成型、金剛石材料熱膨脹系數(shù)調(diào)控機(jī)理及金剛石熱沉功率芯片集成驗(yàn)證研究，突破兼顧大尺寸高產(chǎn)能金剛石制備、熱膨脹系數(shù)調(diào)控等關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)具有可調(diào)控?zé)崤蛎浵禂?shù)、超高導(dǎo)熱率、低成本的高適應(yīng)性金剛石熱沉制造技術(shù)。
牽引性指標(biāo)：
1、導(dǎo)熱率不小于800W/m·K；
2、熱脹系數(shù)3~6ppm/℃可調(diào)節(jié)；
3、抗彎強(qiáng)度≥800MPa；
4、鍍層兼容芯片低溫焊料釬焊（SnPb、AuSn）；
5、熱沉尺寸不小于面積10×15mm，厚度0.5~2mm；
6、批量生產(chǎn)片徑不小于60mm。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，發(fā)表E1及以上高水平論文不少于1篇，樣件50件（尺寸10×15×1mm，表面鍍金0.5~1μm，熱膨脹系數(shù)約5ppm/℃）。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：1年。
（七）BMERC004-
2024-07：面向三維堆疊射頻SiP的低殘留軟釬焊關(guān)鍵技術(shù)研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞射頻陣列中SiP低剖面、高集成度的應(yīng)用需求，針對(duì)氣密封裝射頻SiP內(nèi)釬料凸點(diǎn)堆疊焊接后受限結(jié)構(gòu)助焊劑殘留問題，開展國(guó)產(chǎn)高活性易水洗助焊劑、釬料凸點(diǎn)堆疊焊接與封裝低間隙內(nèi)殘留物清洗等研究，突破低殘留水溶性助焊劑配方設(shè)計(jì)、適用于射頻SiP的高洗凈清洗設(shè)備設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，完成射頻三維SiP軟釬焊關(guān)鍵技術(shù)驗(yàn)證，支撐新型射頻三維SiP產(chǎn)品研制生產(chǎn)。
牽引性指標(biāo)：
1、助焊劑鹵素含量：≤0.05%；
2、助焊劑銅鏡腐蝕：無穿透性腐蝕；
3、焊料擴(kuò)展率：無鉛焊料SAC305≥75%；
4、錫球剪切強(qiáng)度：≥16.54MPa（SAC305焊球，直徑0.35mm焊盤） ；
5、水基溶劑清洗后離子殘留濃度：≤1.56ug（NaCl）/cm2。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少以1篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，助焊劑樣品100g。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（八）BMERC004-
2024-08：微波基板缺陷智能化檢測(cè)技術(shù)研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞多品種微波組件高質(zhì)量、自動(dòng)化、柔性化制造需求，針對(duì)傳統(tǒng)自動(dòng)檢測(cè)技術(shù)擴(kuò)展性差，環(huán)境影響敏感，難以適應(yīng)自動(dòng)化產(chǎn)線微波基板類來料種類繁多、缺陷模式多樣下的高效檢測(cè)問題，開展缺陷特征自適應(yīng)成像和采集技術(shù)、面向缺陷樣本有效性與均衡性的數(shù)據(jù)增強(qiáng)技術(shù)、基于人工智能的高精度快速缺陷檢測(cè)算法等研究，突破微波基板缺陷智能化準(zhǔn)確高效識(shí)別與定位技術(shù)、自動(dòng)化檢測(cè)集成技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，形成整合的具備自學(xué)習(xí)和可遷移能力的智能檢測(cè)系統(tǒng)，完成微波組件產(chǎn)線的集成應(yīng)用驗(yàn)證。
牽引性指標(biāo)：
1、識(shí)別對(duì)象尺寸長(zhǎng)寬最大可至15×22mm，厚度介于0.1mm至2mm之間；
2、單片基板含正反面的識(shí)別時(shí)間≤100ms；
3、單片基板處理總時(shí)間不高于1片/s；
4、漏檢率不高于1%。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1篇，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，申請(qǐng)軟件著作權(quán)不少于1項(xiàng)，原理樣機(jī)1套（含軟硬件、軟件工程文件、源代碼、接口規(guī)范）。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過30萬元。
研究周期：2年。
（九）BMERC004-
2024-09：金剛石基p-n結(jié)二極管關(guān)鍵技術(shù)研究研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞未來電子設(shè)備對(duì)下一代半導(dǎo)體器件高響應(yīng)頻率、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高抗輻射強(qiáng)度的需求，針對(duì)金剛石基半導(dǎo)體摻雜、載流子激活和工藝制備等技術(shù)難題，開展單晶金剛石上雙極性載流子調(diào)制技術(shù)和缺陷抑制技術(shù)研究，掌握半導(dǎo)體功能層厚度及摻雜濃度對(duì)二極管特性的影響規(guī)律，突破p型歐姆接觸和n型歐姆接觸制備技術(shù)，制得金剛石基p-n結(jié)二極管并表征其特性。
牽引性指標(biāo)：
1、n型摻雜金剛石單晶，原子摻雜濃度大于5×1019cm-3；室溫電子濃度大于2×1018cm-3；電阻率小于5Ω·cm；
2、p型和n型摻雜載流子遷移率≥100cm2/(V·s)；
3、p型和n型歐姆接觸電阻率≤50Ω·mm；
4、p-n結(jié)二極管正向?qū)�通電壓�?.5V，反向擊穿電壓≥100V，整流比≥105。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1篇，發(fā)表EI及以上論文不少于2篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，金剛石p-n結(jié)二極管樣品≥1片。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過30萬元。
研究周期：2年。
（十）BMERC004-
2024-10：鐵氧體微波器件的非線性響應(yīng)機(jī)理研究研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：針對(duì)大功率環(huán)境下鐵氧體器材非線性響應(yīng)對(duì)于系統(tǒng)指標(biāo)影響的問題，開展鐵氧體微波器件非線性效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理、新型等效拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等技術(shù)研究，突破鐵氧體器件非線性特性準(zhǔn)確預(yù)測(cè)、微波信號(hào)幅度自適應(yīng)調(diào)控方法等關(guān)鍵技術(shù)，建立相應(yīng)計(jì)算方法與仿真模型,為提升系統(tǒng)指標(biāo)提供新的技術(shù)途徑。
牽引性指標(biāo)：
1、小信號(hào)輸入時(shí)插損預(yù)測(cè)誤差≤10%（與典型商業(yè)軟件對(duì)比）；
2、產(chǎn)生非線性效應(yīng)最小功率的預(yù)測(cè)誤差≤15%；
3、工作頻率范圍預(yù)測(cè)誤差≤10%；
4、微波信號(hào)幅度自動(dòng)調(diào)控范圍≥10dB。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，仿真模型1套，原理樣機(jī)1套。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（十一）BMERC004- 2024-11：高平坦度集總參數(shù)有耗濾波器綜合技術(shù)研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞射頻前端對(duì)高平坦度無源帶通濾波器需求，針對(duì)集總參數(shù)濾波器品質(zhì)因數(shù)低引起的通帶平坦度惡化問題，開展高平坦度集總參數(shù)有耗濾波器綜合技術(shù)研究，突破有耗濾波器傳輸函數(shù)獲取、耦合矩陣綜合、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)生成等關(guān)鍵技術(shù)，研制綜合算法并形成應(yīng)用軟件，實(shí)現(xiàn)對(duì)給定指標(biāo)濾波器的快速綜合，獲得具有高平坦度特性的平面RLC無源帶通濾波器電路拓?fù)浼半娐吩�件值，為低品質(zhì)因數(shù)條件下高平坦度濾波器設(shè)計(jì)提供支撐。
牽引性指標(biāo)：
1、電感Q值10~30，電容Q值50~100（輸入值）；
2、通帶平坦度提升：≥30%（與相同條件下傳統(tǒng)綜合方法相比）；
3、通帶中心頻率0.1GHz~18GHz；
4、1dB相對(duì)帶寬≥10%；
5、駐波系數(shù)≤1.7；
6、濾波器階數(shù)：3階~9階；
7、可自由配置傳輸零點(diǎn)數(shù)≥2；
8、同種濾波器參數(shù)可生成電路拓?fù)洹?種；
9、典型綜合時(shí)間≤2分鐘。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，高平坦度集總參數(shù)有耗濾波器綜合算法及應(yīng)用軟件（軟件，含源代碼）。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：1年。
（十二）BMERC004- 2024-12：多芯片異構(gòu)集成互聯(lián)設(shè)計(jì)方法研究與應(yīng)用研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)：圍繞毫米波頻段多芯片異構(gòu)集成系統(tǒng)中的芯片互聯(lián)及封裝需求，針對(duì)毫米波頻段芯片系統(tǒng)中互聯(lián)性能不佳的問題，開展基于新型傳輸線平臺(tái)的低損耗高集成度的自封裝多芯片互連以及異構(gòu)集成系統(tǒng)的研究，突破毫米波平面?zhèn)鬏斁�低損耗傳輸、芯片互連及封裝融合設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，有效降低傳輸及互連損耗，實(shí)現(xiàn)高性能高集成度的毫米波多芯片異構(gòu)集成系統(tǒng)。
牽引性指標(biāo)：
1、平面互聯(lián)損耗及頻率帶寬：實(shí)測(cè)值≤0.006 dB/mm, 同時(shí)覆蓋DC ~ 40 GHz;
2、垂直互聯(lián)損耗：實(shí)測(cè)值≤0.1 dB，同時(shí)覆蓋26.5 ~ 40 GHz;
3、電路結(jié)構(gòu)及芯片封裝：多層平面形式，實(shí)現(xiàn)芯片及系統(tǒng)自封裝;
4、系統(tǒng)集成驗(yàn)證：實(shí)現(xiàn)1套寬帶接收前端系統(tǒng)，集成芯片數(shù)量≥5。
成果形式：技術(shù)研究報(bào)告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請(qǐng)專利不少于1項(xiàng)，原理樣機(jī)1套。
研究經(jīng)費(fèi)：不超過20萬元。
研究周期：1年。
三、申報(bào)須知
1、項(xiàng)目名稱一般與指南條目名稱一致，在明確的研究經(jīng)費(fèi)指標(biāo)限額內(nèi)合理測(cè)算經(jīng)費(fèi)需求。項(xiàng)目建議書應(yīng)提出可考核可驗(yàn)證的研究成果，并滿足相應(yīng)牽引性指標(biāo)。
2、受理的項(xiàng)目申報(bào)書通過形式審查后，將組織專家現(xiàn)場(chǎng)評(píng)議�，F(xiàn)場(chǎng)評(píng)議時(shí)，一般采用播放帶錄音講解視頻方式，由申報(bào)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人現(xiàn)場(chǎng)/線上答疑。對(duì)同一指南條目申報(bào)數(shù)量較多的，視情在現(xiàn)場(chǎng)答辯前安排書面評(píng)議，遴選部分論證質(zhì)量相對(duì)較高的項(xiàng)目參加現(xiàn)場(chǎng)答辯。
3、每項(xiàng)指南原則上只支持1個(gè)團(tuán)隊(duì)獨(dú)立研究。
四、申請(qǐng)人基本條件
申請(qǐng)人為國(guó)內(nèi)高等學(xué)�？蒲腥藛T,具有副高及以上職稱,在相關(guān)技術(shù)方向已積累良好的前期基礎(chǔ)，原則上不接受聯(lián)合申報(bào)。
五、材料申報(bào)和受理1.申報(bào)單位向中心提交申報(bào)書電子版，聯(lián)系人：高老師，028-87551412，18708108217，郵箱gaoyang8@cetc.com.cn。項(xiàng)目申報(bào)書須由項(xiàng)目申報(bào)負(fù)責(zé)人親自簽名，申報(bào)單位須加蓋公章。
2.  本此次受理截止時(shí)間為2024年11月18日。
3.  申報(bào)單位需對(duì)項(xiàng)目建議書內(nèi)容的真實(shí)性進(jìn)行審核，對(duì)申報(bào)材料內(nèi)容負(fù)責(zé)。
4.  申報(bào)材料不得涉及國(guó)家秘密。
六、材料格式要求
1.電子版建議書及帶錄音講解匯報(bào)視頻。每個(gè)項(xiàng)目建1個(gè)文件夾，文件夾命名方式：指南條目編號(hào)-單位名稱-項(xiàng)目負(fù)責(zé)人（示例：BMERC004- 2024-XX-XX大學(xué)-張三），內(nèi)包含申報(bào)書（word與pdf電子版，pdf電子版封面需加蓋學(xué)校章、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人簽字）以及7分鐘以內(nèi)帶錄音講解視頻（mp4格式）。
2.項(xiàng)目申報(bào)書參考有關(guān)模板（見附件）組織擬制。
附件：項(xiàng)目立項(xiàng)建議書模板（請(qǐng)掃描下方二維碼獲取，提取碼【1030】）


來源：四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心




大柳樹防務(wù)研究所

長(zhǎng)按二維碼關(guān)注大柳樹防務(wù)