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現(xiàn)代半導體先進封裝技術

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發(fā)表于 2024-11-21 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
先進封裝簡介! s) G6 \. W, Z3 [9 k
先進封裝技術已成為半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術手段。本文探討先進封裝的核心概念、技術和發(fā)展趨勢[1]。: e8 W; V& O1 L+ a) F: F

$ j* L# T8 \1 C( z( p  m圖1展示了硅通孔(TSV)技術的示意圖和實物照片,顯示了垂直互聯(lián)結構。# R" v6 D/ ]( |
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XY平面和Z軸延伸的關鍵技術
$ _4 o) f5 |4 c現(xiàn)代先進封裝可分為兩種主要方式:XY平面延伸Z軸延伸。XY平面延伸主要利用重布線層(RDL)技術進行信號布線,而Z軸延伸則采用硅通孔(TSV)技術實現(xiàn)垂直連接。
7 Z* [/ c0 h) l4 \  ~0 t
; `$ r$ q/ v5 i4 [1 S圖2展示了扇入和扇出重布線的示意圖,說明了重新分布芯片連接的不同方法。; Q/ O+ K$ ]5 r
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扇出技術及演進( R3 }/ Z* ], \; Q% p5 j, _
扇出晶圓級封裝(FOWLP)是先進封裝的重要發(fā)展之一。該技術將重布線層擴展到芯片區(qū)域之外,在保持緊湊外形的同時增加輸入/輸出連接數(shù)量。該技術已發(fā)展出集成扇出(InFO)面板級扇出封裝(FOPLP)等變體。
( q/ o" n% F, Z
; s0 W3 c- y% h% k) P( n/ U圖3對比了FIWLP、FOWLP和InFO技術,展示其結構差異和演進過程。7 ^5 D: T( o) C! L1 ~7 J
6 d2 C7 g0 y# y2 k! d! E  o! q  F
TSV集成與實現(xiàn)" d8 C+ U1 T( [: p
TSV技術實現(xiàn)了先進封裝中的真正3D集成。TSV可以采用3D或2.5D配置實現(xiàn),每種方法都具有不同應用場景的優(yōu)勢。9 b3 V. F' [/ [0 K+ C* S8 ^

& h4 ?6 r/ G) X4 R6 c. r- O圖4展示了3D TSV和2.5D TSV的示意圖,說明這兩種方法的根本區(qū)別。7 p2 }, n( L8 W+ U- j' d  @7 M, c
, ?+ y8 g/ g& Q- i( ]& K
行業(yè)領導者及解決方案+ k5 p2 Q% N1 j# J
主要半導體公司都開發(fā)了自己的先進封裝技術。臺積電的晶圓級芯片堆疊(CoWoS)技術在高性能計算應用中得到廣泛應用。( q+ y2 P4 x1 W& l

$ D% W+ e# W) p) o5 }6 P0 n3 \圖5顯示了CoWoS結構示意圖,展示了芯片在硅中介層和基板上的集成方式。
: L; h/ b/ l; T& ]/ ]- X8 L: z+ I( z; `, `- Y1 q( n
先進內存集成. f2 Y! `6 v' z; ?9 ~' H
高帶寬內存(HBM)是先進封裝領域的重要突破,特別適用于圖形處理和高性能計算應用。HBM將3D堆疊與高速接口相結合,實現(xiàn)了極高的內存帶寬。
3 \; k3 p- ^% w) L0 i , {$ Y( _' {7 X& m) J' t. e9 q. M
圖6展示了HBM技術示意圖和實物剖面,顯示了堆疊內存結構和互連方式。' B! u$ I, ?( @+ |: {9 ]4 c/ O

: n9 D! A& E! f# A+ ~* w: C% N( ~英特爾的先進封裝方案
4 S# L4 q+ `% P: `* t- N4 ]3 u英特爾推出了嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)Foveros等創(chuàng)新技術。這些方法提供了實現(xiàn)高密度集成的不同途徑。
& h* |* R5 B7 ^) x' M. m
4 l- u8 [9 j$ p" K, G圖7對比了EMIB、Foveros和CO-EMIB的技術示意圖和產(chǎn)品剖面,展示了英特爾各種先進封裝解決方案。" T  d# }( A, q6 o6 \
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先進封裝的基本要素# J5 k  F* ?' [6 `; }0 W+ a. I( ]
先進封裝的基礎建立在四個關鍵要素之上:RDL、TSV、凸點和晶圓。這些要素共同支持各種集成方法和技術。# E$ {3 \2 G- A

# h+ ^+ c0 x4 t9 t: E圖8展示了先進封裝的四個要素:RDL、TSV、凸點和晶圓,說明各要素間的相互關系。0 U! }+ {. ^, E9 u5 d1 x
, M, Z# A! m9 U6 B# `
技術趨勢與演進3 B) n- M( S7 y
隨著技術進步,這些要素出現(xiàn)了新的發(fā)展趨勢,特別是凸點技術逐漸向更細間距發(fā)展,在硅對硅接口中可能最終被淘汰。
& ~4 O7 @1 _8 l# T# t 0 V+ G/ b* z1 y5 i6 x
圖9顯示了凸點技術的發(fā)展趨勢,描述了向更細間距演進并最終在硅接口中消失的過程。7 f! {9 C1 {5 O
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先進封裝與SiP的關系1 I3 \0 c) `7 R' d9 k
先進封裝與系統(tǒng)級封裝(SiP)的關系復雜,既有重疊又有區(qū)別。雖然所有先進封裝解決方案都旨在提高系統(tǒng)密度和性能,但采用的方法和技術可能不同。( D6 L% T* D1 J1 Q2 @1 X+ ~/ ~; N

. Y  V* Q3 U( ^1 L' s+ i2 f圖10描述了HDAP和SiP的關系,展示重疊區(qū)域和獨特特征。
0 h7 D3 D. T7 ]
: z6 k6 Z2 R7 c! g& J3 f未來展望與行業(yè)影響
8 t3 q0 t/ |$ V8 M0 L6 l& N+ q/ ]% @先進封裝技術持續(xù)發(fā)展,新技術不斷涌現(xiàn),以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品日益增長的需求。從移動設備到高性能計算,先進封裝在推動下一代電子系統(tǒng)發(fā)展中發(fā)揮重要作用。+ g" H: e5 K; S# l  o

3 x2 m& L8 o- ~( u' I/ S* `近年來,行業(yè)出現(xiàn)了許多重要創(chuàng)新,如臺積電的SoIC和三星的X-Cube等技術,推動了先進封裝技術的發(fā)展。這些進展表明,先進封裝將繼續(xù)推動半導體創(chuàng)新,提供提升系統(tǒng)性能、降低功耗的新方法。
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先進封裝代表了半導體技術從傳統(tǒng)的"重外部"封裝轉向"重內部"集成。轉變促進了芯片設計團隊和封裝團隊的緊密合作,為現(xiàn)代電子系統(tǒng)提供了更優(yōu)化、更高效的解決方案。
6 \- x! A* q5 Z7 N, H4 X, ^/ n$ x/ e$ q) `& G" q# W: k  b
參考文獻3 [  l9 n+ F' y, R- R0 i
[1] S. Li, "SiP and Advanced Packaging Technology," in MicroSystem Based on SiP Technology. Beijing, China: Publishing House of Electronics Industry, 2022, ch. 5, pp. 117-154.5 F  ^8 o" Y) e) z1 w; M/ Q

1 Z9 Y. ^; ~( I0 T! ?END! r2 ~' g" Q  Q; c" M) K7 F) a
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3 q4 H- V& g. F  o5 F轉載請注明出處,請勿修改內容和刪除作者信息!9 Y; K  Y( z% v

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# m, h2 s+ b- y+ a) f深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術與服務。
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