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引言
8 o) u6 H7 ?5 J O/ C& V納米光電子技術(shù)通過(guò)在亞波長(zhǎng)尺度上精確控制光與物質(zhì)的相互作用,導(dǎo)致了生物學(xué)、納米技術(shù)和光通信等領(lǐng)域的突破。然而,設(shè)計(jì)和優(yōu)化納米光電子結(jié)構(gòu)通常需要復(fù)雜的數(shù)值模擬,這些模擬計(jì)算量大。深度學(xué)習(xí)為加速這一過(guò)程并實(shí)現(xiàn)納米光電子器件更高效的反向設(shè)計(jì)提供了有前景的方法。
* B+ \+ b0 u( h+ L+ F
2 p# P. G, R# E- H( K5 z: e本文探討如何應(yīng)用深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)來(lái)預(yù)測(cè)納米光電子結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性并解決反向設(shè)計(jì)問(wèn)題。重點(diǎn)關(guān)注基于非線性環(huán)形諧振器的全光學(xué)等離子體開(kāi)關(guān)(AOPS)的例子[1]。
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1 M T; a% I- C; ]( c' B; I深度學(xué)習(xí)在納米光電子技術(shù)中的優(yōu)勢(shì)6 G. O; B0 n) s( M* ~! x* B4 {, y
深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)擅長(zhǎng)學(xué)習(xí)輸入和輸出之間的復(fù)雜非線性關(guān)系。對(duì)于納米光電子結(jié)構(gòu),我們可以訓(xùn)練網(wǎng)絡(luò)將幾何參數(shù)映射到光譜,或反之亦然。這允許在不運(yùn)行耗時(shí)的電磁模擬的情況下快速預(yù)測(cè)結(jié)構(gòu)的光學(xué)響應(yīng)。
. i# \! k$ O! o' c k% i8 i- Q' u
在納米光電子技術(shù)中使用深度學(xué)習(xí)的主要優(yōu)勢(shì)包括:
/ A' M& H g, d8 F# o1. 速度:一旦訓(xùn)練完成,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可以在毫秒內(nèi)預(yù)測(cè)光譜或設(shè)計(jì)參數(shù),而傳統(tǒng)模擬需要數(shù)小時(shí)。
. @1 i6 s- b! p4 m9 Z2. 反向設(shè)計(jì):可以訓(xùn)練網(wǎng)絡(luò)解決確定結(jié)構(gòu)參數(shù)以實(shí)現(xiàn)所需光學(xué)響應(yīng)的反向問(wèn)題。
6 j* Q1 {0 m5 l/ P# x9 r: J3. 泛化:訓(xùn)練良好的網(wǎng)絡(luò)可以在訓(xùn)練樣本之間進(jìn)行插值,以預(yù)測(cè)新結(jié)構(gòu)的行為。* C v' v7 j) { s5 R
4. 多目標(biāo)優(yōu)化:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可用于快速探索大型設(shè)計(jì)空間并同時(shí)優(yōu)化多個(gè)目標(biāo)。
. y- ~3 Z4 m8 A- X& ]0 p A
1 I; Q2 H% i1 P9 e. C讓我們看看如何將深度學(xué)習(xí)應(yīng)用于全光學(xué)等離子體開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)。6 p5 T8 G0 a# g3 Q0 Z9 u
3 o/ y; K- T+ a f6 j全光學(xué)等離子體開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)' c# D% `! `. s2 \. P' J
論文重點(diǎn)研究基于方形非線性等離子體環(huán)形諧振器(NPRR)的AOPS器件。這些器件利用克爾非線性效應(yīng),通過(guò)調(diào)制輸入強(qiáng)度在輸出端口之間切換光。4 j5 N& {- B' Z' z4 z
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圖1:方形AOPS結(jié)構(gòu)示意圖,顯示了關(guān)鍵幾何參數(shù)。0 M3 S4 V- f9 `4 }
9 c) d& P, j4 S3 ^關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)是波導(dǎo)的寬度(Wbus、Wdrop、Wsquare)和間隙(Gbus、Gdrop)。通過(guò)調(diào)整這些參數(shù),我們可以控制器件的共振波長(zhǎng)和開(kāi)關(guān)行為。. ?2 }% j$ f4 U5 m
% E- n+ z) \. S/ Q1 h8 A
傳統(tǒng)上,優(yōu)化這些參數(shù)需要運(yùn)行許多電磁模擬來(lái)掃描參數(shù)空間。相反,我們可以使用深度學(xué)習(xí)來(lái)快速預(yù)測(cè)光譜并解決反向設(shè)計(jì)問(wèn)題。' |- K3 `' x |$ _- p3 ]
& ~0 D- [ t5 _0 [# k深度學(xué)習(xí)工作流程
, ^' T/ \2 m) {深度學(xué)習(xí)方法涉及以下關(guān)鍵步驟:) k7 N) g9 L+ \- o* Z0 Y
1. 數(shù)據(jù)生成:使用電磁模擬(如FDTD)生成幾何參數(shù)和相應(yīng)透射光譜的數(shù)據(jù)集。6 Y) O0 k# b6 z; |1 {
2. 數(shù)據(jù)預(yù)處理:應(yīng)用如田口方法等技術(shù),有效地采樣參數(shù)空間并減少所需的數(shù)據(jù)集大小。# H' B) B$ S) I; Z( H4 L5 Y8 e4 s
3. 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì):創(chuàng)建合適的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu),通常是具有多個(gè)隱藏層的全連接網(wǎng)絡(luò)。8 I4 x0 q& X/ k" x3 V: r' R# @2 ]
4. 訓(xùn)練:在數(shù)據(jù)集上訓(xùn)練網(wǎng)絡(luò),優(yōu)化權(quán)重以最小化預(yù)測(cè)誤差。+ m$ ~3 G' E1 g
5. 驗(yàn)證:在保留的數(shù)據(jù)上測(cè)試訓(xùn)練好的網(wǎng)絡(luò),以評(píng)估泛化性能。+ [ W* w* ~2 y0 d' ~+ c
6. 應(yīng)用:使用網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行快速光譜預(yù)測(cè)和反向設(shè)計(jì)任務(wù)。 B$ G/ ]3 U3 G
, r( Y% X4 G+ J; ^- q. R8 J4 B. S讓我們更詳細(xì)地檢查每個(gè)步驟。6 N/ u$ Y* ^8 x; D
9 }4 ]) E/ K6 A, q. Y數(shù)據(jù)生成和預(yù)處理
9 [' Q1 C: J9 E生成訓(xùn)練數(shù)據(jù)通常是最耗時(shí)的步驟。作者使用FDTD模擬創(chuàng)建了包含18,432個(gè)獨(dú)特參數(shù)組合和光譜的數(shù)據(jù)集。為了降低計(jì)算成本,應(yīng)用了田口方法來(lái)策略性地采樣參數(shù)空間。$ X2 M% U' }1 N. I$ f! @& u
. Q$ v+ u( ~3 Y
田口方法允許將數(shù)據(jù)集減少到完整參數(shù)掃描的1/16,而不顯著影響模型性能。這突顯了在將深度學(xué)習(xí)應(yīng)用于納米光電子技術(shù)時(shí),智能數(shù)據(jù)生成策略的重要性。3 q! k" W; ?2 q: t0 p" v# w
3 j: v3 S3 b* y9 b
神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)
7 e# m7 x6 e% T0 G/ U作者使用了具有11個(gè)隱藏層的全連接神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。中心隱藏層包含160個(gè)神經(jīng)元,神經(jīng)元數(shù)量向輸入和輸出層遞減。1 r# a! d; ]8 U& d8 Q9 [! g/ t
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圖2:用于光譜預(yù)測(cè)的深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)示意圖。
# r" H N- s; [+ ?1 Q: S) J
3 W& R3 A+ K4 Q7 S4 W9 k網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵特征包括:
) y/ _" S& w- a. x0 d過(guò)完備隱藏層以增強(qiáng)表示能力Leaky ReLU激活函數(shù)以防止梯度消失Adam優(yōu)化器以實(shí)現(xiàn)高效訓(xùn)練
9 D/ K" ~1 M' M c n
7 K+ S% N4 t& x% ]9 A. g+ s/ P" s網(wǎng)絡(luò)以幾何參數(shù)和波長(zhǎng)作為輸入,并預(yù)測(cè)透射光譜作為輸出。; s+ l7 L4 ~; {7 s1 E" b$ R
0 S, Q$ a0 ?0 P
訓(xùn)練和驗(yàn)證
/ J3 ^8 V& U; C+ `3 I/ P$ e數(shù)據(jù)集被分為70%訓(xùn)練集、15%驗(yàn)證集和15%測(cè)試集。網(wǎng)絡(luò)被訓(xùn)練以最小化預(yù)測(cè)光譜和實(shí)際光譜之間的均方誤差。
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! K7 r @' ~9 i. j7 C, i2 H圖3:訓(xùn)練損失曲線,顯示在初始階段誤差顯著下降。
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最終模型在驗(yàn)證集上達(dá)到0.028的損失,在測(cè)試集上達(dá)到0.03的損失,表明對(duì)未見(jiàn)過(guò)的數(shù)據(jù)有良好的泛化能力。
8 Y4 {9 u, _* c
: L3 s2 @' l% U( F" C為了評(píng)估性能,作者比較了對(duì)訓(xùn)練中未見(jiàn)過(guò)的結(jié)構(gòu)的預(yù)測(cè)光譜和實(shí)際FDTD模擬結(jié)果。 u4 W' s) l# I: }* b; i: l
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. ]/ }5 U2 R8 J( S5 [% \8 O圖4:對(duì)未見(jiàn)過(guò)結(jié)構(gòu)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測(cè)光譜(紅色)與實(shí)際FDTD模擬(藍(lán)色)的比較。
: ]' C# C' l/ F+ N! p" h+ c; I8 s7 F* J9 o
預(yù)測(cè)光譜與實(shí)際光譜之間的密切匹配展示了網(wǎng)絡(luò)捕捉復(fù)雜光譜特征的能力。
: G4 M( P* ] d/ |6 }: }# [0 t, d/ z5 y/ S
深度學(xué)習(xí)在AOPS設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
$ F' X! Y# c+ M; ^. S" {通過(guò)訓(xùn)練好的網(wǎng)絡(luò),可以快速探索設(shè)計(jì)空間并優(yōu)化AOPS器件。0 V+ N) E( Z* k& m
作者展示了兩個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用:
' H G; k; X" O- [1. 正向模型:預(yù)測(cè)給定幾何參數(shù)的透射光譜。1 u: ~% p! G: Y" ^
2. 反向模型:確定實(shí)現(xiàn)所需光譜的幾何參數(shù)。' [+ _' }5 X7 g, S& ^* q$ K
. i: P" q5 _/ t1 x4 x對(duì)于正向模型,網(wǎng)絡(luò)可以在幾分鐘內(nèi)生成數(shù)百萬(wàn)個(gè)結(jié)構(gòu)的光譜,實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)空間探索。這允許識(shí)別特定波長(zhǎng)或開(kāi)關(guān)性能的最佳參數(shù)。/ ]0 B% G( J/ _) B
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8 l2 V8 G- Q, J圖5:透射光譜和光場(chǎng)分布,顯示AOPS開(kāi)關(guān)性能。
" u( o" E3 q* P1 t3 p2 H. r& i0 [- k0 ^
8 G0 n# H, y7 O* F7 L反向模型允許確定實(shí)現(xiàn)目標(biāo)光譜的幾何參數(shù)。這使得可以為特定應(yīng)用或波長(zhǎng)設(shè)計(jì)器件。! P' |; t0 T: w
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圖6:目標(biāo)光譜(藍(lán)色)與反向模型預(yù)測(cè)光譜(紅色)的比較。8 @' ?/ x& R; _7 f( D4 D& C6 t! N/ ^" i
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目標(biāo)光譜和預(yù)測(cè)光譜之間的密切匹配突顯了深度學(xué)習(xí)在納米光電子反向設(shè)計(jì)中的強(qiáng)大力量。3 E. Z- e; ^5 a9 l8 ?& Q
9 p: \, r4 H5 O5 m+ y結(jié)論
1 w5 C. K2 M: @+ ?# l- l: D深度學(xué)習(xí)為加速設(shè)計(jì)和優(yōu)化諸如全光學(xué)等離子體開(kāi)關(guān)等納米光電子結(jié)構(gòu)提供了強(qiáng)大的方法。通過(guò)在模擬數(shù)據(jù)上訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),可以實(shí)現(xiàn)光學(xué)特性的快速預(yù)測(cè)并解決反向設(shè)計(jì)問(wèn)題。
3 N+ ^- L7 w1 w5 b6 G6 v
+ R! w1 P; v- p5 `/ U$ P0 N主要優(yōu)勢(shì)包括:
0 l6 i: ?4 d/ J& f5 O7 `5 a" E與電磁模擬相比,光譜預(yù)測(cè)速度提高了幾個(gè)數(shù)量級(jí)能夠高效解決反向設(shè)計(jì)問(wèn)題快速探索大型設(shè)計(jì)空間以進(jìn)行多目標(biāo)優(yōu)化+ F; m2 `9 e2 i, _
; x6 G6 X4 V; n. a0 _參考文獻(xiàn)0 M1 I2 V' X3 h; q, m: `. _
[1] E. Adibnia, M. Ghadrdan, and M. A. Mansouri-Birjandi, "Nanophotonic structure inverse design for switching application using deep learning," Scientific Reports, vol. 14, no. 1, p. 21094, Feb. 2024, doi: 10.1038/s41598-024-72125-4.' x8 b8 H' j$ q. R, G
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END
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0 N3 U7 ~1 K$ K" q% H" `轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!! {4 @4 D M0 U' a" h/ y
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