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引言$ _9 e4 k; l% I# `' r
隨著AI技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,對(duì)更快、更高效計(jì)算系統(tǒng)的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng);ミB組件是這些系統(tǒng)的核心,負(fù)責(zé)處理單元之間的數(shù)據(jù)傳輸。然而,隨著AI性能的提升,互連技術(shù)在維持所需帶寬和能效方面面臨著重大挑戰(zhàn)[1]。
/ }. `9 M/ z$ S* g- r' H. a/ @, `+ t" A, U9 E5 L( y0 P" \
XPU性能和I/O帶寬的擴(kuò)展8 v* B9 w F6 }3 K8 { E w0 C& l
AI加速器(通常稱為XPU,即擴(kuò)展處理單元)的性能預(yù)計(jì)在未來幾年將顯著提升。這一增長(zhǎng)主要由芯片架構(gòu)、工藝技術(shù)和基板技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)。
* ]. |( P# r! s3 j3 ~& v$ z
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" ^2 l; p! V4 X4 v& X圖1展示了預(yù)期的未來XPU性能,預(yù)計(jì)到2028年將比2022年提高50倍,如果有更好的散熱技術(shù),可能達(dá)到100倍的提升。
: g/ H* ~! L+ H- e+ A% _% U9 d, ?. F( L: e' U( V* x/ M
根據(jù)圖表,可以預(yù)期從2022年到2026年,每?jī)赡晷阅軐⑻岣?.3倍,從2026年到2028年將提高5倍。XPU性能的這種指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)需要相應(yīng)的I/O帶寬增加,以避免數(shù)據(jù)傳輸成為瓶頸。
% {# N$ O; a. Z5 z: B: a3 n# W* r. `* o1 s7 y- s% ~! M7 w
芯片級(jí)高速互連
! m4 e, U8 ~5 l0 e為滿足不斷增加的帶寬需求,芯片制造商正專注于改進(jìn)片上和片外互連技術(shù)。
. E8 {, v6 M- o" J7 U u2 i5 ]* j1. 片上芯片間接口:
( q7 D" |5 ~7 B( W5 }2 V5 t當(dāng)前速度:32-64 Gbps NRZ能效:前沿密度:5 -> 10 Terabits/mm z9 m) a$ K$ O1 @4 C9 e
" u2 b1 ~$ ~9 L7 n2. 片外高速SERDES:, F! w* I* l! J' _- j; t+ f9 T
當(dāng)前速度:224G-PAM4,正向448G-PAM4發(fā)展能效:5 -> 4 pJ/Bit前沿密度:1 -> 2 Terabits/mm
5 m9 v1 C; A* U7 I
; g: c& L7 n: E這些芯片級(jí)互連技術(shù)的進(jìn)步對(duì)實(shí)現(xiàn)未來AI系統(tǒng)所需的高帶寬極為重要。" ~9 {; Y. |3 R L# @$ \% K" F
8 P0 {4 R; Z3 H8 \* w9 l, FAI網(wǎng)絡(luò)帶寬和功耗1 t- h7 s+ C" L+ R) R
隨著XPU性能的提升,所需的AI網(wǎng)絡(luò)帶寬也必須相應(yīng)擴(kuò)展。然而,這種擴(kuò)展在功耗方面帶來了挑戰(zhàn)。, u8 R" V7 a' L9 i
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' O3 K) I- l5 ^( u5 o3 t圖2展示了從2022年到2028年預(yù)期的AI網(wǎng)絡(luò)帶寬增長(zhǎng),顯示了1600G端口的數(shù)量和相關(guān)功耗。
3 q% A/ t. Q" b" i$ R G6 p
/ Q: d1 t+ e6 m圖2的表格顯示,盡管帶寬需求顯著增加(從2022年的3200 Gbps增加到2028年的25600 Gbps),I/O的功耗仍然只占XPU總功耗的一小部分(約2.5%)。這表明SERDES I/O功耗在整體系統(tǒng)功耗中并不是一個(gè)顯著的瓶頸。2 P& v$ P3 H k% P# _
2 J1 E9 t) [( V: e) m. {* l
高速SERDES的優(yōu)勢(shì)9 y2 ^: B5 h, y; \9 H& \
高速SERDES(串行器/解串器)技術(shù)仍然是AI系統(tǒng)互連最實(shí)用的解決方案。其優(yōu)勢(shì)包括:+ I- M* ~0 P+ z8 j2 w; ^- P1 |
通用電氣接口兼容性支持銅纜、有源光纜(AOC)和各種類型的光學(xué)器件從112G到224G再到448G的明確發(fā)展路線圖改善系統(tǒng)級(jí)密度與光學(xué)模塊路線圖一致(8通道光學(xué)從800G到1600G再到3200G)
- S) V6 |6 d3 g+ J" I
: @; z$ N2 X% W% e7 f0 ^機(jī)箱和機(jī)架級(jí)I/O擴(kuò)展, c! F9 w5 i6 T5 \. R
在機(jī)箱或機(jī)架內(nèi),無源銅互連仍然是最具成本效益和能效的解決方案。液冷機(jī)架中XPU密度的增加(從64到128再到256個(gè)XPU)解決了大部分規(guī)模擴(kuò)展需求,可能占市場(chǎng)需求的50%或更多。9 I; E: d+ H6 Y& j# c0 j7 ~) n1 l
0 ~# R6 }$ r: V# ^) H
機(jī)架之外:光互連技術(shù)和功耗挑戰(zhàn)
" e: Z* `. J/ E; A! L1 z# [& x對(duì)于機(jī)架之外的連接,光互連成為必要。然而,與銅互連相比,光互連技術(shù)帶來了更高的成本和功耗。關(guān)鍵挑戰(zhàn)是如何最小化這種損失,特別是對(duì)于AI集群擴(kuò)展中常見的短距離鏈路(10到15米)。
+ ?5 s' E4 N+ s% Y! _
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* D' n, U" c' E# A
圖3比較了102.4T交換機(jī)中不同光互連技術(shù)的功耗:線性可插拔光學(xué)(LPO)、線性僅接收光學(xué)(LRO)和基于DSP的光學(xué)技術(shù)。( t/ N/ f6 H- B" o+ N
; s, D* n3 y3 r$ d6 ^圖表清楚地顯示,與基于DSP的光學(xué)技術(shù)相比,LPO提供了顯著的功耗節(jié)省,差異高達(dá)1600W或總功耗的50%。這凸顯了為大規(guī)模AI系統(tǒng)開發(fā)更高效光學(xué)互連技術(shù)的重要性。0 R) D; b+ j) u7 x M( w
+ M9 X0 O9 u& E4 y
線性可插拔光學(xué)(LPO)4 H. r( Y8 Q7 b& s5 b
線性可插拔光學(xué)(LPO)成為解決AI系統(tǒng)中光學(xué)互連功耗挑戰(zhàn)的有前景解決方案。LPO提供了幾個(gè)優(yōu)勢(shì):
. X, k0 a* p2 d0 L. x與基于DSP的光學(xué)技術(shù)相比,顯著節(jié)省功耗保持可插拔模塊的可維護(hù)性和易用性避免了與光電共封裝(CPO)相關(guān)的制造和可靠性挑戰(zhàn)8 d) V- M+ M# o$ b( g- B/ J
7 w& S% _" p8 s% o
; r2 |4 f/ a/ n/ u' G
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D) u' G! m4 i2 u圖4展示了線性可插拔光學(xué)(LPO)的概念,展示了其在不影響可維護(hù)性的情況下提供功耗優(yōu)勢(shì)的潛力。; b, s+ z! E/ E- k
1 r8 ], s+ I8 G+ l4 Y
LPO多源協(xié)議(MSA)匯集了12個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,旨在為線性可插拔光學(xué)定義規(guī)范,目標(biāo)是使這項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化以便廣泛采用。6 Q: t) u1 A: H1 t$ P0 l, W' i
X% M$ j, K1 W未來發(fā)展:224G和448G
5 v* m4 m. I/ z9 _# G; G3 a' j. d隨著行業(yè)向更高數(shù)據(jù)速率發(fā)展,224G-PAM4和448G-PAM4技術(shù)正在到來。這些進(jìn)步帶來了新的挑戰(zhàn)和機(jī)遇:" a0 v3 A% K j6 }
4 T- O( x0 j7 [% [. ra. 224G-PAM4:7 r2 ?7 J' i( f$ @8 I8 Q( r, Q
需要干凈、低損耗的電氣通道(理想情況下,芯片到模塊的損耗可能需要飛躍電纜以減少通道損耗和干擾更高性能的TIA和線性驅(qū)動(dòng)器正在開發(fā)中
: Y: a6 a2 k$ J7 j& ?
2 ~) a7 a! @/ L$ t& Gb. 448G-PAM4:
/ t7 R( e+ |+ `) ], F對(duì)電氣通道提出了重大挑戰(zhàn)可能需要新的可插拔模塊連接器100+ GHz的光學(xué)帶寬具有挑戰(zhàn)性,薄膜鋰鈮酸鹽(TFLN)是一個(gè)有前景的解決方案
* G2 m) _) E j2 r( c2 h# r1 @! y1 h
- \5 t/ m, H9 N2 Z# j- R先有雞還是先有蛋的問題5 Z% l C6 d7 j/ W5 u2 ?/ l8 o
在AI生態(tài)系統(tǒng)中引入新的I/O技術(shù)面臨著先有雞還是先有蛋的問題。雖然像較慢和更寬的光學(xué)技術(shù)(例如4G微型LED或32G-NRZ微環(huán))提供了潛在的優(yōu)勢(shì),但其采用面臨幾個(gè)障礙:
6 s0 U8 g1 Z) Q開發(fā)和提升新光學(xué)技術(shù)產(chǎn)量的長(zhǎng)周期高產(chǎn)量制造需要大量投資沒有重大設(shè)計(jì)贏得的情況下,不愿意承諾使用未經(jīng)驗(yàn)證的技術(shù)0 u+ x8 Z; w6 t; }: z5 l! D8 ?
[) P& Q8 b+ {6 m. _6 ]
6 t7 {) p- g2 o; t* n( I) h" j8 X2 k
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# m% Z5 H" z0 D2 n6 O圖5展示了使用4G微型LED的1600G-OSFP模塊的概念設(shè)計(jì),說明了未來光學(xué)互連可能實(shí)現(xiàn)的低功耗。9 R1 x3 S7 [$ b1 |5 m# j
@, f; V, I- ^( k# U; T- }8 t為解決這些挑戰(zhàn),行業(yè)必須專注于分散風(fēng)險(xiǎn)并保持采用新技術(shù)的靈活性。* }1 ~9 ]4 P9 D# Z& q9 G
5 h9 o) f5 O9 y$ }# @: v; \結(jié)論
7 ~. N. D. J1 z! F) v1 q4 A隨著AI系統(tǒng)不斷發(fā)展并要求更高的性能,互連技術(shù)的作用變得越來越關(guān)鍵。雖然高速SERDES技術(shù)在可預(yù)見的將來仍然是最實(shí)用的解決方案,但像線性可插拔光學(xué)這樣的新興技術(shù)為解決功耗挑戰(zhàn)提供了有前景的途徑。
7 e9 H4 _2 z; j6 _+ m t p4 F0 e, t, j' I1 j( s8 R2 c
在這個(gè)快速發(fā)展的領(lǐng)域中,成功的關(guān)鍵在于平衡創(chuàng)新和實(shí)用性。通過專注于上市時(shí)間、分散風(fēng)險(xiǎn)和保持采用新技術(shù)的靈活性,行業(yè)可以確保互連技術(shù)跟上AI系統(tǒng)的快速進(jìn)步。0 n& o. B5 f$ `6 ~7 r$ \! \
- o# V% \) `/ H% t/ [2 ]參考文獻(xiàn)
& K/ Z! z' M. U6 m# ^[1] Bechtolsheim, "Can Interconnects Keep up with AI? A System-Level Perspective," presented at Hot Interconnects 2024.
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1 {, b( ~& B2 U2 A. d' L6 d歡迎轉(zhuǎn)載
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+ |/ W. {+ u" t% R$ @轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!8 G U4 ?$ F5 h# d
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