電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺

PCB聯(lián)盟網(wǎng)

搜索
查看: 137|回復(fù): 0
收起左側(cè)

MEMS壓電振動能量采集器綜述

[復(fù)制鏈接]

686

主題

686

帖子

5863

積分

四級會員

Rank: 4

積分
5863
跳轉(zhuǎn)到指定樓層
樓主
發(fā)表于 2024-11-26 08:02:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
. ^$ H5 g5 l7 H7 j壓電振動能量采集器(P-VEH)已成為無線傳感器網(wǎng)絡(luò)(WSN)供電的理想解決方案。這類器件通過壓電材料將環(huán)境機(jī)械振動轉(zhuǎn)換為電能,為各種應(yīng)用提供可持續(xù)的電源[1]。4 _3 u$ T% V! P0 h6 W
& _) K' N* L2 E9 d6 h- ]
圖1:單梁懸臂型壓電振動能量采集器示意圖,展示了基本結(jié)構(gòu),包括夾在電極之間的壓電層和自由端的地震質(zhì)量。
5 e# h6 `$ m* s1 V' t( a
% f- t0 ?# [# r, Y0 h7 @! K9 |P-VEH的原理與結(jié)構(gòu)設(shè)計* s+ l3 }7 t. D
P-VEH的基本原理涉及在機(jī)械應(yīng)力作用下產(chǎn)生電荷的懸臂結(jié)構(gòu)。器件通常由夾在上下電極之間的壓電層組成。當(dāng)懸臂梁發(fā)生位移時,整個梁會產(chǎn)生應(yīng)力,特別是在固定端附近,導(dǎo)致壓電層產(chǎn)生電荷。這些電荷隨后通過電極收集。6 U' B- D! a3 y. X8 t

# T( F$ {2 x/ R+ K% d5 _圖2:懸臂梁陣列作為帶通濾波器,具有不同的梁尺寸和質(zhì)量塊,設(shè)計用于響應(yīng)不同頻率范圍。& I# q' n$ i3 K) O6 X/ Z

9 A+ i" z7 c0 K- VP-VEH設(shè)計的一個重要進(jìn)展是懸臂梁陣列的開發(fā)。這些陣列由多個具有不同長度、寬度和地震質(zhì)量的梁組成,實現(xiàn)了更寬頻率范圍的能量采集。陣列中的每個懸臂梁都調(diào)諧到特定頻率,有效創(chuàng)建了一個帶通濾波系統(tǒng),在多個頻率下保持峰值輸出。
- _9 j0 [: \+ t0 S$ I% E " W1 {5 K) B1 N$ K( \9 ~
圖3:雙端固定或?qū)蛄盒蚉-VEH示意圖,兩端固定并具有中心地震質(zhì)量。
, [: D" z- C# H# w- r9 `6 U
6 f( U2 d, \' f% Y: ?% b* @- v0 S三種主要結(jié)構(gòu)配置
8 Q9 k, X2 m. W( J) A& g' S1. 單梁懸臂結(jié)構(gòu):這種傳統(tǒng)設(shè)計的一端固定,另一端自由,通常采用單層或雙層壓電材料。雖然由于大位移可以實現(xiàn)低諧振頻率和高輸出,但可能不穩(wěn)定且容易發(fā)生梁斷裂。
- s3 v/ A( ?  m6 q7 }. @' F3 s; P
7 Y) X0 a6 i3 G8 v2 K3 b, q( w圖4:d33模式懸臂型P-VEH示意圖,具有交叉電極以提高能量采集性能。1 F* i- J6 w3 @" y* h) R9 w
: ^, Z2 [+ u0 G
2. 發(fā)生器陣列結(jié)構(gòu):這些系統(tǒng)采用串聯(lián)或并聯(lián)的多個懸臂梁,提供更寬的頻率響應(yīng)范圍。但由于通常只有一個懸臂梁工作,導(dǎo)致體積輸出比較低,效率受限。/ b# {% i! x3 c/ A1 @6 u
! ~+ c4 s8 H6 Q" B+ y: \
圖5:雙層懸臂型P-VEH示意圖,顯示具有雙壓電層的分層結(jié)構(gòu)。
* v& z* z) N; T- |- [( Y, V
& I! S7 u$ g( ~; g' t$ z* h# T3. 導(dǎo)向梁結(jié)構(gòu):這種設(shè)計兩端固定,中心有地震質(zhì)量。提供更好的穩(wěn)定性和可靠性,特別適合高振幅振動環(huán)境和MEMS制造技術(shù)。9 w1 Q2 V$ X9 e
/ a' }: Q) G8 p! \
P-VEH的制備
9 y  T3 _3 ?, Q1 b2 p2 m研究人員已探索了不同的壓電材料,包括傳統(tǒng)的PZT(鋯鈦酸鉛)、環(huán)保替代品如KNN(鈉鉀鈮酸鹽)和基于聚合物的材料如PVDF(聚偏二氟乙烯)。% v, o9 X7 S/ S1 W# E! s0 N

3 c3 x- _8 t: J  N# O1 U! k. CP-VEH生產(chǎn)采用的制造技術(shù)包括:
  • UV-LIGA技術(shù)用于精確結(jié)構(gòu)形成
  • 射頻磁控濺射用于壓電層沉積
  • 溶膠-凝膠工藝用于厚膜開發(fā)
  • 深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)用于創(chuàng)建復(fù)雜結(jié)構(gòu)2 k9 Y2 j  J& U  P" c' `' z+ [/ }
    [/ol]2 U4 {& i/ L/ |+ h
    性能與應(yīng)用
    ) [. I  u* g& H3 \! w1 @& ^現(xiàn)代P-VEH的性能特征因設(shè)計和應(yīng)用而異:  D3 y5 Q) d. ~
  • 諧振頻率通常在20 Hz到1000 Hz以上
  • 功率輸出從納瓦到毫瓦不等
  • 工作加速度水平從0.1g到數(shù)g不等
  • 在特殊設(shè)計中帶寬可從幾Hz擴(kuò)展到50 Hz以上
    5 o0 N  b( ~0 \% t; ^
    & _. B& d& y! z6 Z4 u* Y
    P-VEH的應(yīng)用范圍持續(xù)擴(kuò)大,包括:
    - n2 f; a( ^1 C+ R
  • 工業(yè)監(jiān)測用無線傳感器網(wǎng)絡(luò)
  • 生物醫(yī)療器件如起搏器
  • 環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)
  • 結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測
  • 可穿戴電子設(shè)備2 B5 ]9 j) ^0 Y. G6 R
    / \, y% m0 d1 a1 h( V  a$ M
    未來發(fā)展
    / W; x+ O3 O5 ]1 l# s5 Z5 b5 t' ?& G1 \未來發(fā)展挑戰(zhàn)包括:# B, s/ B) z; Z2 u+ A3 u5 P4 H; |
  • 在保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的同時降低諧振頻率
  • 優(yōu)化電極設(shè)計以最大化能量捕獲
  • 研究替代地震質(zhì)量形狀以提高性能
  • 開發(fā)多梁結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)穩(wěn)定性
  • 提高低頻操作能力
    # r5 q9 X$ ]! }: n! U
    ) l- f1 M; x$ t; {4 F- A+ h
    該領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展,新設(shè)計和材料不斷涌現(xiàn)以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。研究人員特別關(guān)注在低頻下實現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行,因為大多數(shù)環(huán)境振動源在500 Hz以下運(yùn)行。正在探索增強(qiáng)制造技術(shù)和創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計,同時保持器件可靠性和性能。' t' L. _- a2 U
    & }1 U9 Y* K7 }4 l+ I; e$ C' A
    最新趨勢包括開發(fā)結(jié)合多種能量采集機(jī)制的混合系統(tǒng)、通過計算建模優(yōu)化和集成智能材料以提高效率。這些進(jìn)展正使P-VEH在自供電電子系統(tǒng)中的廣泛實際應(yīng)用成為現(xiàn)實。9 [3 b, ?) ~8 o* ?9 |* p  X. v6 U

    # G( G, I8 p7 q6 B' f參考文獻(xiàn)
    1 N- v4 q4 H2 ][1] S. Saxena, R. Sharma and B. D. Pant, "Design and Development of MEMS based Guided Beam Type Piezoelectric Energy Harvester," Energy Systems in Electrical Engineering, Singapore: Springer, 2021.
    8 A0 L* M2 l! s" l  A# ?5 D/ \. o$ E
    END1 ~* L9 R+ H1 w  j: Q
    $ B  ~: I7 U  _& q# @

    5 z8 E$ c1 H9 m3 c4 n% h! ?軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請體驗免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
    1 {0 C8 y+ }4 l點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請8 g% t, g# z8 E4 }, K

    / L3 }/ [) x6 B: J歡迎轉(zhuǎn)載# J# i7 L& k- d) L$ O! u% a

    9 L: o5 G5 ]1 `! p' q% n轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!. ~; D2 O- J" l8 @- R
    . J8 `' d: P; F* E) S( S: E* Z2 ]4 ?0 y

    ) f/ E, k+ x% [4 j6 Q
    # g0 I! w9 \0 K
    ) \. P; e6 D( r! h5 K" I: M# {

    3 O& |! X; o3 h% f  f- m3 U2 X* h) u關(guān)注我們
    5 _9 w5 Q. _+ A2 Z7 o" i+ j7 \0 j
    , ^* W1 Q9 j: }* F
    ; i) x& O0 Q2 ~. h" J3 W2 h7 C

    5 t- a' Z5 P' |3 K! S4 I( z

    4 o% ^& O( M3 ]/ @ ) S' ~% W/ V% x' ~! m7 n
      ^$ g' w. X7 Y; M, F3 ~5 Y

    - E- `1 J% l; j# v* \9 l- e/ c
                         
    6 Z( h& q4 l" X% I- Z
    & c* _% N9 d& y. r2 c3 z

    5 b" R4 }2 x! f: Q9 h$ o
    2 e6 u; E$ s! E& {. u* T! X關(guān)于我們:
    + E! l8 N0 g: ]3 z6 i深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。9 g% f. @. X& i% ?/ ~

    7 O$ ?; e$ }, n: R" X1 phttp://www.latitudeda.com/' z& _! [# K8 x
    (點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容)
  • 回復(fù)

    使用道具 舉報

    發(fā)表回復(fù)

    您需要登錄后才可以回帖 登錄 | 立即注冊

    本版積分規(guī)則


    聯(lián)系客服 關(guān)注微信 下載APP 返回頂部 返回列表