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讀者投稿 | 半導體光探測器的自動化智能設(shè)計

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發(fā)表于 2024-11-27 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
( r! w2 u6 c+ y& u0 {2 P2 Y, b/ }半導體光探測器將入射光信號轉(zhuǎn)換成電信號,被廣泛應用于光通信等需要寬帶、高效率、低暗電流的場景。然而,光電探測器的一個關(guān)鍵瓶頸是帶寬和量子效率之間的限制,目前已經(jīng)提出了不同的設(shè)計方案來克服這一挑戰(zhàn),一個成功的解決方案是改進型單行載流子光電探測器(MUTC-PD)。該結(jié)構(gòu)通過在InP漂移層和p型InGaAs吸收層之間插入未摻雜的InGaAs層來設(shè)計。通過優(yōu)化層厚,可以獲得更高的帶寬和響應性。
+ ?/ U/ [' a/ ]* L, |; a& C+ x0 |- \4 ?
在MUTC-PD的設(shè)計過程中,混合吸收區(qū)的總厚度保持不變,通過適當選擇兩種吸收層的厚度比,可以使帶寬最大化。由于光探測器層結(jié)構(gòu)比較復雜,僅通過人工掃描每層的厚度和摻雜濃度很難找到相應的層結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)最大帶寬。另一方面,每次數(shù)值計算大約需要幾分鐘。如果精確掃描每一層的厚度和摻雜濃度,這一工作量將需要大量的時間,并且在大多數(shù)情況下不會找到最優(yōu)結(jié)構(gòu)。因此,傳統(tǒng)的掃描方法不能考慮整體結(jié)構(gòu)的協(xié)同效應,難以發(fā)揮器件性能的潛力。
# b( @, N! x; \/ V6 b2 i! H0 `/ x% ~, l9 F2 G6 y3 ^4 {. l$ y; ?
為了在不降低響應度的同時進一步提高光探測器的帶寬,北京郵電大學電子工程學院(信息光子學與光通信全國重點實驗室)研究團隊[1] 提出了MUTC-PD的自動化智能設(shè)計方案,并結(jié)合電荷控制原理計算帶寬,如圖1所示。同時采用基于變速攀升粒子群優(yōu)化算法(VVCPSO),能夠快速高效地計算出相應的層結(jié)構(gòu),實現(xiàn)最大帶寬,最大限度地發(fā)揮器件的性能潛力。
2 m) I! `6 |7 Q1 r2 Z& `
& P  C+ X$ B; _6 {' P圖1 光探測器自動化智能設(shè)計過程
4 a% q+ ~' {( t, g8 P
$ w) k/ O9 K* @' q% ?6 S& d電荷控制原理2 E; T: s# _7 B
如圖2所示,以混合吸收區(qū)中有兩種摻雜濃度為例,MUTC-PD中的電流主要有三個來源:厚度為Wan的p型吸收區(qū)產(chǎn)生的電子電流Je1 (ω, x);厚度為Wad的耗盡吸收區(qū)中產(chǎn)生的電子電流和空穴電流Je2(ω, x)和Jh (ω, x)。只要Je1(ω, x)和Je2(ω, x)之和的響應快于Jh (ω, x),則加入p型吸收體可以改善總響應。這是因為最終的傳輸時間是由緩慢的載體決定的,所以添加p型吸收區(qū)保證在不增加傳輸時間的情況下提高響應性。
, k  A9 c+ E0 m2 d; h9 C ' C4 u6 H7 n5 _7 d2 t- M
圖2 MUTC-PD的能帶結(jié)構(gòu)示意圖
: u" B- A4 ?+ H6 N) h' K$ c. U% X
. B6 T- B! {& v. \將上述三個電流分量Je1(ω, x)、Je2(ω, x)和Jh(ω, x)在耗盡層上積分,得到各部分的電流響應如下:! C& N5 x! B+ p3 ?  T1 w: k
2 y2 C7 y% m' t3 @  G( L
式中Ran(ω)為p型吸收區(qū)的電子注入電流響應,ve和vh分別為電子和空穴飽和速度,Wdep為總耗盡厚度。假設(shè)ve和vh是常數(shù)。我們考慮具有擴散運動的少數(shù)電子的Ran(ω):' [# {4 X' ^& z+ u9 D+ h
3 b% O0 @* c  L* c. U
對于恒定摻雜和均勻載流子產(chǎn)生率的情況,延遲時間τan是擴散率De和熱離子發(fā)射速度vth的函數(shù),近似為:
$ x* `- P# B5 L2 c" A
9 \( ?$ D/ b& C) f總的電流響應為以上四部分之和:
7 k, S. n  g7 X ( g* U& L: z( I

, u7 ]" \" G9 f# t( R- E8 KMUTC-PD的自動化智能設(shè)計結(jié)果
3 s  s! u+ K# U6 h  ^" X  s& a在整個自動化設(shè)計的過程中,我們采用VVCPSO算法,我們將算法的FOM設(shè)置為帶寬,其表達式為:+ Z5 {/ n4 b" P1 w) O2 {
. W/ I/ L8 w$ m$ S
其中I為上述電荷控制原理求解的電流。
3 @/ I6 o0 `, f9 Q; m8 D
; V  g. f- ]+ Y& j0 u* w/ y采用VVCPSO算法優(yōu)化的MUTC-PD有8層。優(yōu)化前后各層的材料、厚度和摻雜濃度如表1所示。PD工作于反向偏置(Vbias = - 3 V),并由1310 nm連續(xù)波激光照射,其直徑為16 μm。8 E6 z. e) Y- ~" k  W; c
1 k4 k, \7 f9 M2 q
表1 優(yōu)化前后層結(jié)構(gòu)對比
8 F  w7 s: _$ s5 F6 ]. Y( A; P( H: B, `6 ?; U  Q, X; u
為了驗證該方法的有效性和準確性,研究了優(yōu)化前后MUTC-PD的帶寬性能。) D& }5 f2 D) B; \! L  l8 {
( @' F2 S' ~- T
如圖3(a)所示,我們可以看到優(yōu)化前器件的帶寬約為20 GHz,經(jīng)過1500次計算,我們將相同材料分布的器件的總帶寬提高到60 GHz,從而使帶寬性能提高了三倍。圖3(b)顯示了MUTC-PD的響應特性。由于優(yōu)化前后的混合吸收器總寬度為0.4μm,因此響應率保持不變?梢钥闯,器件的響應度約為0.52 A/W。通過以上研究,證明了該方法在優(yōu)化設(shè)備帶寬方面的應用價值。該結(jié)構(gòu)可以作為800G系統(tǒng)的關(guān)鍵接收器件。
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" B& Z  s2 f" F6 O圖3 (a)優(yōu)化前后器件帶寬(b) MUTC-PD的響應特性
+ Q0 p! C, z/ }  N9 y  F. c9 q( ?
  m, ^) i) `0 I4 ~3 [4 L3 s, M* b總結(jié)
/ C* a  k9 V! I* s本文提出了一種基于電荷控制原理的MUTC-PD自動化智能設(shè)計方法。通過數(shù)值結(jié)果與仿真結(jié)果的比較,表明該方法可以近似并快速估計出MUTC-PD的最大帶寬。通過自動化設(shè)計,我們將MUTC-PD的帶寬提高了三倍。此外,該方法的計算速度比仿真軟件快1800倍左右,因此可以進行廣泛的參數(shù)研究以優(yōu)化器件性能。這種方法能夠極大提高設(shè)計效率,探索器件的極限性能,對光電探測器的研究起著重要的作用。
; Z' B2 s( H2 n
  H& G/ O. ?# i- N* w. \! f參考文獻
1 v8 T- R3 ^( V2 ^6 A- a[1] Junjing Huang, Xiaofeng Duan, Kai Liu, Yongqing Huang, and Xiaomin Ren, "Automated intelligent design of modified uni-traveling carrier photodectors," Optics Express 32, 18843-18857 (2024).
# H, t, ~; n9 d$ P4 G& p" Z  I! F# y: I/ ?4 t3 [& s  ]( V  v
END
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