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PCB電路板的儲(chǔ)存條件有哪些要求?

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發(fā)表于 2024-11-29 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
. a/ K- H2 ~3 Z7 N
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6 Q2 `# X" Q/ ?! h- U" ^3 pPCB儲(chǔ)存需要綜合考慮溫濕度、包裝方式、表面處理、存儲(chǔ)時(shí)間及環(huán)境污染等因素。4 U9 P# Y6 L7 y2 y) T4 |9 |

  S. s3 Q8 C) M7 G- t* ^6 O, {妥善儲(chǔ)存不僅能延長(zhǎng)PCB的使用壽命,還能有效保證生產(chǎn)和使用過程中的可靠性。
7 u, W7 D; v% _) P. q8 R* x' ?9 {/ d' c9 g
. m7 G/ M$ M7 w9 v: X- `
儲(chǔ)存方案應(yīng)根據(jù)具體PCB類型(單面、多層、高頻、柔性等)及其表面處理工藝靈活調(diào)整。+ X# l  }" y" n( ^) _+ X1 M
1
4 v7 ?+ m% j7 H, K儲(chǔ)存環(huán)境的基本要求
9 h& U; P. C$ Z1.1 溫度
3 x+ i9 |1 _% X0 `9 i" ?3 H推薦范圍:儲(chǔ)存環(huán)境溫度應(yīng)控制在 15°C ~ 30°C 之間。
  G( j0 V# C1 A( N, T# ^" Z/ r, v; L6 t  c, T
原因:過高的溫度可能導(dǎo)致PCB的基材(如FR-4、CEM-3等)老化或性能退化,而過低的溫度可能會(huì)使板材變脆,增加加工或使用時(shí)的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
' L! O2 G4 Z( W9 A% M% W( h" X7 p
. @, q0 X) y- ~1 z4 k' P4 E+ t1.2 濕度( B# c$ h3 k% T* r9 g8 B4 S
推薦范圍:相對(duì)濕度應(yīng)保持在 30% ~ 70% RH 之間,最好控制在 50%以下。+ ^% X6 B$ B' {8 X0 p

7 r' E9 S  W' ~! S4 v/ g6 t原因:高濕度環(huán)境易導(dǎo)致PCB吸濕,影響介電性能,增加層間分離或分層的風(fēng)險(xiǎn);低濕度環(huán)境可能導(dǎo)致靜電累積,損害敏感元器件。
% A" x( x+ d4 O+ H/ g$ }' M( i2
: d3 b3 Y: c1 W# H  F. ?包裝和密封要求+ ?$ F- d( X- Z8 B
2.1 防潮包裝
1 b8 i+ F. E  g. X. Z* h4 T0 i9 i防潮袋:儲(chǔ)存前,應(yīng)使用真空防潮袋密封PCB,并加入適量干燥劑(如硅膠)。
$ a' d5 `3 n. a* C+ Y$ R9 D5 O
2 _. u: L# {0 g% C, M$ f原因:避免吸濕,尤其是對(duì)多層板(Multilayer PCB)和高頻PCB而言,吸濕會(huì)顯著降低介電性能。0 u! j$ F2 g8 s6 C/ Z) f
$ I3 e* m1 p! ~
2.2 防靜電包裝
  t5 O% N& {9 k$ ]  R防靜電袋:靜電可能損害PCB上的敏感電路和焊盤表面,因此必須使用防靜電袋保護(hù)。4 ?1 S1 m9 J+ T2 h$ G) \! g8 I

, B# c) ]& A7 `4 N' z- m6 p" ?7 S, ]特別注意:裸露的銅箔、鍍金或鍍銀表面,尤其容易因靜電或空氣氧化造成性能劣化。% u3 v, f! `, l, p3 L
3
9 N' p: q6 ?% e' Z) `- T儲(chǔ)存時(shí)間限制
9 K9 p/ P9 B3 ]  y2 C4 k4 z3.1 表面處理方式與儲(chǔ)存期限' ~+ |! p+ [4 m: _2 Y6 U
不同表面處理工藝的PCB,其儲(chǔ)存時(shí)間有所差異:; o+ `2 _: C3 b& I
  • 噴錫(HASL):一般存儲(chǔ)期限為 6個(gè)月,超過期限易出現(xiàn)表面氧化或錫層失效。
  • 化學(xué)鍍金/沉金(ENIG):相對(duì)穩(wěn)定,存儲(chǔ)期限通常可達(dá) 12個(gè)月。
  • 沉銀:易氧化,推薦存儲(chǔ)期限不超過 3個(gè)月,需嚴(yán)格控制濕度。
  • OSP(有機(jī)保焊膜):存儲(chǔ)期限短,僅為 3~6個(gè)月,需密封保存。) o9 k) }+ E+ T3 \8 z
    % f# J( `9 ?! S1 `/ P( @
    3.2 儲(chǔ)存過期的處理8 u+ y% g! ?4 B$ x
    再處理:如PCB表面輕微氧化,可通過清洗或再鍍處理恢復(fù)其可焊性。
    $ F5 F+ R1 E" D! i  T# A
    & C3 N& G1 `+ [, p7 A9 ~& Z2 o) y# Y注意:若多層板或關(guān)鍵工藝受損,建議報(bào)廢處理,避免使用引發(fā)潛在可靠性問題。( k$ Y8 I; w: y8 ?! ]- O- }
    4
      k) d* B8 v; o- \3 ]3 {5 \1 f/ |儲(chǔ)存位置及堆疊方式% n! ^, P- k9 E' `
    4.1 防塵與防污染! J$ C9 p% k" B) \8 r/ U+ I
    要求:存放在清潔、無塵、無腐蝕性氣體的環(huán)境中,避免與酸堿性物質(zhì)接觸。
    : A. g9 x; _( X. P$ V
    * u2 T$ X; E$ ^原因:灰塵和化學(xué)污染可能導(dǎo)致焊接不良或短路。6 r+ ?1 S! T. @6 q( R
    0 i7 ?( m: @- _4 e9 W$ ~2 X3 y3 I
    4.2 垂直存放或平放' E4 f* |8 `; b* D3 N
    垂直存放:推薦將PCB垂直懸掛于防靜電架上,避免因重力造成的變形。
    * |/ P; V1 I' _7 ]+ M
    9 c" \) F3 `$ F1 |3 L4 f. Q5 @. O4 r平放存儲(chǔ):如需平放,應(yīng)使用防靜電墊片,均勻堆疊,避免壓力過大導(dǎo)致翹曲或損傷。
    / k5 g5 r' U) o( V0 u$ T% n54 `! q" U; P  e
    特殊場(chǎng)景的儲(chǔ)存要求
    2 W# Z7 D) m( R: ]/ L8 ^5.1 高頻/高密度PCB
    ! f/ s  a/ ~2 L  n高頻PCB的介質(zhì)材料(如PTFE、陶瓷基材)對(duì)濕度尤為敏感,應(yīng)使用更嚴(yán)格的防潮密封和低濕環(huán)境。
    + l# S. ~: g+ ^% H4 l" s! q
    / X' P1 A; A+ S; a. ?7 a, [5.2 已裝元器件的PCB(PCBA)' G2 z8 y2 X. A7 e
    靜電防護(hù):確保PCB組件表面無靜電積累。
    0 `1 P* f4 o. e
    ' R- x0 B# }9 ]* I3 n  c. V環(huán)境要求:儲(chǔ)存環(huán)境的濕度控制在 30%~60% 之間,并避免直接陽光照射。8 y) ?* C! @0 }  c! T2 P: }
    6+ k% H+ ?; x4 Z9 `5 l( b
    PCB儲(chǔ)存中的常見問題與解決方法
    * G& |3 v; r% U6 ~$ E6.1 表面氧化! U5 \9 V6 ^0 x4 p7 [
    問題:氧化會(huì)導(dǎo)致焊接性能下降甚至焊接失敗。+ k) p( w% B/ w$ j( L8 e
    * K% y% I+ j( H' g* O
    解決:氧化嚴(yán)重的板可報(bào)廢處理,輕微氧化可通過化學(xué)清洗恢復(fù)。
    % w) d4 |& }# J2 V  T4 N4 s% t  a
    ! v, F& {" I/ H" \0 T4 M4 X6.2 濕氣吸附2 B$ M7 G% x' L- V- I2 H( p
    問題:吸濕會(huì)導(dǎo)致分層、氣泡和焊接缺陷。
    ! u3 o- }9 T3 p8 Z) b$ W: d/ ?
    : b) l) U/ b( t; q. R1 Q0 A解決:可在使用前對(duì)PCB進(jìn)行低溫烘烤(如120°C下烘烤8~12小時(shí))以去除濕氣。
    " E. _4 ?9 A& b! w% j3 q7: D+ j1 g' u) H5 n: D: o1 {
    行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)參考
    ; Z2 G6 k6 i' e; v* FIPC-1601(印刷電路板材料的處理和存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)):提供了PCB儲(chǔ)存、運(yùn)輸及管理的全面指導(dǎo)。
    # I' [5 y+ q5 |  [8 n$ h
    8 J) C$ J8 C, ?8 iJ-STD-033:適用于濕敏元器件的存儲(chǔ),也可為PCB存儲(chǔ)提供部分參考。; ^3 o  H. X  W3 I. o4 e9 ^, H

    . N' u( B% J2 o$ \% S& D 6 F0 a1 p& g/ n, J3 ]% l& S
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