|
引言
/ ^) G( h" c' s" v# u人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)的需求正以驚人的速度增長,遠(yuǎn)超摩爾定律的預(yù)測。自2012年以來,AI計(jì)算需求以每年4.1倍的速度指數(shù)增長,為半導(dǎo)體制程縮放和集成帶來重大挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)這些需求,業(yè)界采用了基于Chiplet的設(shè)計(jì)方法,將較大系統(tǒng)分解為更小、更易于管理的組件,這些組件可以分別制造并通過先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行集成[1]。
) R3 z$ f& h F
zpvzymmtzgm64041002431.png (54.43 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
zpvzymmtzgm64041002431.png
2024-11-30 01:50 上傳
8 B& x* U& m+ U2 o" T$ z4 o
/ S& @# h# S# Q f先進(jìn)封裝技術(shù)9 h! ^' w# G- c1 x& g
先進(jìn)封裝技術(shù)可以大致分為2D、2.5D和3D方法。2.5D集成技術(shù),包括晶圓級(jí)芯片堆疊(CoWoS)和集成扇出型封裝(InFO),在高性能計(jì)算應(yīng)用中獲得了顯著發(fā)展。0 i" k; b' p$ A; h
gpndvhno4ya64041002531.png (214.4 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
gpndvhno4ya64041002531.png
2024-11-30 01:50 上傳
l7 l" g/ h, P; P2 H4 j0 B圖1:臺(tái)積電3D Fabric技術(shù)組合,展示了包括CoWoS、SoIC和InFO平臺(tái)在內(nèi)的各種封裝選項(xiàng),滿足不同集成需求。
) ]8 P2 j! U) @7 F. k
( T* x9 }) e& s3 I3 |CoWoS技術(shù)提供三種主要變體:
8 F3 @' Z- u7 Z% n+ z1. CoWoS-S:采用硅中介層實(shí)現(xiàn)密集金屬布線
% U% ]6 ?, J4 ]" T% y; ?2 T2. CoWoS-R:在有機(jī)中介層中使用重布線層; g" {6 P( |8 w* z# L. ^
3. CoWoS-L:結(jié)合-R和-S兩種方案的優(yōu)勢
# b! F; @9 q* e4 f% G/ [$ {4 h; N& Z1 G% @2 |; E2 Z4 X* W+ j
InFO平臺(tái)已從移動(dòng)應(yīng)用發(fā)展到高性能計(jì)算,提供多種選項(xiàng),包括局部硅橋接和嵌入式去耦電容,以實(shí)現(xiàn)更好的供電性能。
6 R$ a% r; C5 B3 g. p! T
7 y7 w2 D/ X$ _1 u. i( u; i1 }4 g芯片間互連應(yīng)用' i! \ B* W2 Y" U) Q: D( y
芯片封裝的演進(jìn)帶來了各種凸點(diǎn)間距縮放選項(xiàng),從傳統(tǒng)MCM封裝(110-130μm間距)到先進(jìn)的2.5D封裝(40μm間距)和3D集成(9μm或更小間距)。% O b6 K* Y; }) |) b5 |/ Y
vz5jxvz1wt164041002631.png (170.84 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
vz5jxvz1wt164041002631.png
2024-11-30 01:50 上傳
& e T) `4 O+ X. u6 U
圖2:凸點(diǎn)間距縮放視角,展示了從MCM到先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn),隨著間距減小帶寬密度不斷提高。
& @% y, Y1 ]) a$ a- D2 E- m) q: w: w/ ^7 M) T0 l- |2 v- o- x
現(xiàn)代Chiplet系統(tǒng)中使用不同的互連技術(shù)服務(wù)于不同目的:
2 _2 v# Y% {, e8 X+ ?3 J計(jì)算到計(jì)算及IO連接使用UCIe PHY計(jì)算到內(nèi)存連接使用HBM PHY計(jì)算到SRAM連接通過3D堆疊實(shí)現(xiàn)IO chiplet到外部IO使用XSR-SerDes
- c6 u" \0 J' i6 O: m7 b2 o# U9 v- u9 p" @4 I" R# f$ ^+ m
xv5ktgohqyh64041002731.png (68.25 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
xv5ktgohqyh64041002731.png
2024-11-30 01:50 上傳
7 G0 C: z7 L. V- i. S$ `' ]
圖3:芯片間互連應(yīng)用,展示了計(jì)算芯片、內(nèi)存和IO組件之間的不同類型連接。
0 Y& i. e: Q$ a! [1 y; N* {1 h9 D) E+ I4 W N2 p2 H2 }$ r( m: M
設(shè)計(jì)考慮和挑戰(zhàn)
. _. V" A% i# p+ A" v通道優(yōu)化在實(shí)現(xiàn)最佳信號(hào)完整性和可布線性方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。設(shè)計(jì)人員必須平衡各種因素,包括介電層厚度、金屬間距、層厚度和過孔封裝規(guī)則。
' G1 _$ Y8 i! _: f; P
qwr54npknf164041002831.png (210.1 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
qwr54npknf164041002831.png
2024-11-30 01:50 上傳
, A1 I( d! ]5 }9 u* Q1 u! I8 b
圖4:通道可布線性和信號(hào)完整性優(yōu)化,展示了中介層子部分設(shè)計(jì)和相應(yīng)的信號(hào)完整性測量。7 z% ~; {( j% w
! r' h' @2 w# c$ E) m3 N6 G& O% b供電代表另一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn),尤其是在電流密度不斷增加的情況下,F(xiàn)代解決方案包含多級(jí)去耦電容: k; R! _% ~8 S. v6 x. B! L* l! M' N! z
qjmbz1fpe0f64041002932.png (306.19 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
qjmbz1fpe0f64041002932.png
2024-11-30 01:50 上傳
3 m6 [& Z( F, D圖5:供電網(wǎng)絡(luò)的去耦電容策略,展示了不同類型電容及其在系統(tǒng)中的布置。
& |; D- e6 j: h, E; q7 L0 K+ M; n4 ?$ U4 q
未來趨勢和發(fā)展1 I0 |, L3 o a$ j9 W) b4 M4 @( E
業(yè)界持續(xù)追求更高的帶寬密度和能源效率。技術(shù)制程縮放在實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)方面發(fā)揮核心作用。6 {( U) \, K! }+ A) Z6 r
0hz2sfif20t64041003032.png (266.07 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
0hz2sfif20t64041003032.png
2024-11-30 01:50 上傳
' v$ L& x2 L' C4 n7 h5 V- f圖6:技術(shù)和帶寬縮放趨勢,展示了數(shù)據(jù)速率、凸點(diǎn)間距和制程節(jié)點(diǎn)之間的關(guān)系。
% I4 S% G) x/ g r. X; |, ]5 Z1 E0 p5 ]# @& ?
對(duì)于更大規(guī)模集成,晶圓級(jí)封裝變得越來越重要。這種方法允許超越傳統(tǒng)光罩尺寸限制的集成。
8 X1 P" G6 b) q, q0 W
knjajbhjydf64041003132.png (141.51 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
knjajbhjydf64041003132.png
2024-11-30 01:50 上傳
' A5 L: `- `' i1 l* U$ s$ g圖7:晶圓級(jí)系統(tǒng)擴(kuò)展示意圖,展示了多個(gè)Chiplet和HBM內(nèi)存在晶圓級(jí)系統(tǒng)中的集成。* ~7 P7 `6 |' o# e5 O
! B4 Q0 l1 X2 T1 ]$ o6 S) [結(jié)論5 h( t) s; r- U, y9 \
高帶寬Chiplet互連是下一代計(jì)算系統(tǒng)的核心技術(shù)。通過仔細(xì)考慮封裝技術(shù)、互連架構(gòu)和設(shè)計(jì)優(yōu)化,這些系統(tǒng)能夠?yàn)橐髧?yán)格的AI和ML應(yīng)用提供所需的性能。隨著行業(yè)不斷發(fā)展,供電、散熱和系統(tǒng)集成方面的新挑戰(zhàn)將推動(dòng)該領(lǐng)域的進(jìn)一步創(chuàng)新。# z5 C j+ G. X9 d
' Q! A5 s) W( k) ]0 X% o" _參考文獻(xiàn)
' o4 ]7 l6 c, S[1] S. Li, M. Lin, W. Chen and C. Tsai, "High-bandwidth Chiplet Interconnects for Advanced Packaging Technologies in AI/ML Applications: Challenges and Solutions," IEEE Open Journal of the Solid-State Circuits Society, 2024, doi: 10.1109/OJSSCS.2024.3506694
$ r' P8 F* L8 h
" ^, a C- i( B( m& g% {END
8 c- J2 u8 z$ `& N) w5 W, T; k) t5 J% Q" R8 p3 }
! l& O _3 F* f% b( ? K/ z( U1 Q( N軟件申請(qǐng)我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請(qǐng)?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。0 n$ _( |4 J9 T: \- M: D# j% j
點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請(qǐng)
H0 {, J6 r- ~$ H: S6 \- f) \" ~" ?8 V# g$ |# d h; W% q1 _
歡迎轉(zhuǎn)載
# M1 I; K/ w7 S: i/ Z
5 D( i8 d2 F; O) I/ L* O( o1 G轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!0 E! z1 q* O$ b. V+ i6 Q
/ m" F+ g* J" s: z6 V! R0 g: `
/ v& ~$ e" o8 d& N2 q
3 r! C6 f+ n! L" \8 s" W. a2 o( K
2yrmuj4zfl164041003232.gif (16.04 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
2yrmuj4zfl164041003232.gif
2024-11-30 01:50 上傳
* K% y" G/ P6 I( {# |% Z: |: X$ x5 J- G( r
關(guān)注我們
2 Z' i+ q$ Y5 S% P, i0 q4 e7 R) k7 X( r
/ L, e) @: h% r8 O& N
gq2l3ow2j0u64041003332.png (31.33 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
gq2l3ow2j0u64041003332.png
2024-11-30 01:50 上傳
1 a, G5 l( X. V |
8 {1 m/ Y6 k: q3 J4 b+ t4 @/ e4 S
3slwgzhnyf364041003432.png (82.79 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
3slwgzhnyf364041003432.png
2024-11-30 01:50 上傳
9 Z3 P5 b- \; n9 K1 n$ J7 m6 @
|
+ I* {3 W$ h/ J7 J% W6 e( v7 y
2ltyoetxumr64041003532.png (21.52 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊(cè)
2ltyoetxumr64041003532.png
2024-11-30 01:50 上傳
* |/ f$ w7 ]2 b |
: h# b. J' [" G, s8 n$ e2 o3 n+ G
( l9 G3 k; t. ^1 {( p! ?1 i3 C* u7 j; b4 ~9 M# ~9 D3 |- E3 N
! P# d. Q) E6 X# a) b) E
關(guān)于我們:
( a/ t# @( C) y! Q7 Z/ Y" y深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
) z3 e2 O9 ?3 Z5 a" Z8 [4 H: H# L p. w" R2 Y; p
http://www.latitudeda.com/
1 }5 F) t4 d; E$ |(點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容) |
|