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引言
2 w$ s) Q A" J) t2 k3 U氮化鎵(GaN)技術(shù)正在改變多個行業(yè)的電力電子領(lǐng)域,應(yīng)用范圍涵蓋消費電子、數(shù)據(jù)中心和可再生能源。本文將探討GaN優(yōu)越的特性如何實現(xiàn)更高效率、更大功率密度和更優(yōu)性能[1]。+ g9 i0 C% p# ^2 p( [! y) y
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電力轉(zhuǎn)換架構(gòu)的演進
$ @8 s8 E" L# w( p9 G/ O# f電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的發(fā)展主要由高效率和高功率密度的需求推動。傳統(tǒng)硅基設(shè)計在高功率應(yīng)用中已達到技術(shù)極限。GaN技術(shù)憑借其寬禁帶特性和優(yōu)異的開關(guān)特性,提供了顯著的技術(shù)優(yōu)勢。- T) l" X8 n2 |6 Y. }, g
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圖1展示了240W充電器的效率與功率密度的關(guān)系,顯示GaN如何在保持良好散熱性能的同時實現(xiàn)更高的功率密度。# {1 i, B- B4 T' F. _
& w. x/ N) z6 Y5 e KGaN在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
& b; k$ d3 `9 @. T K數(shù)據(jù)中心的功率需求正迅速增長,特別是在人工智能和機器學習工作負載的推動下,F(xiàn)代服務(wù)器機架的功率需求已超過100千瓦,對傳統(tǒng)電源設(shè)計提出了巨大挑戰(zhàn)。) M* A# d! U4 L- Q& V" ~6 X
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圖2展示了人工智能計算功率需求的指數(shù)增長,突顯了數(shù)據(jù)中心不斷增長的能源需求。
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+ q( m. J7 ]2 _ K圖3展示了GaN技術(shù)如何實現(xiàn)鈦金級效率標準和緊湊的電源尺寸。2 Z7 W7 I. t( c0 ?# W' w
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先進電源架構(gòu)
" s( e+ w% M2 B6 [# M現(xiàn)代電源設(shè)計通過創(chuàng)新拓撲結(jié)構(gòu)(如托特姆極PFC和諧振變換器)充分利用GaN的性能優(yōu)勢,實現(xiàn)更高效率的同時減少元器件數(shù)量和尺寸。
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7 h2 i- {; D( J, | q% k圖4展示了現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心電源中使用的CCM托特姆極PFC和半橋諧振LLC級的原理圖。( Q9 A/ A& B( T: K8 {& X
6 i t H1 K; i8 M" c散熱管理與效率 r, C0 {/ L6 x) d1 u
GaN的高效率特性減少了熱量產(chǎn)生,使更緊湊的設(shè)計和簡化的散熱解決方案成為現(xiàn)實。$ U5 U8 N0 g6 w6 I# Q
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# z* j2 t( V1 Q/ B7 s9 Y3 V5 [圖5展示了12V輸出服務(wù)器電源中GaN和硅基解決方案的優(yōu)化結(jié)果比較,顯示了效率與功率密度的權(quán)衡關(guān)系。
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圖6展示了48V輸出服務(wù)器電源的優(yōu)化結(jié)果,證明了GaN相比硅解決方案在效率-密度性能方面的優(yōu)勢。
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& z9 m0 v9 Y% g3 M6 i實際應(yīng)用
5 x, W% N: ?# t9 |, W3 G+ X+ C$ V現(xiàn)代電源設(shè)計采用模塊化方法來優(yōu)化布局和散熱管理,同時保持可維護性。1 E3 S: J5 S) a6 n
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; I+ R' U/ v% @# W' Z1 z/ B2 j圖7展示了采用子卡設(shè)計技術(shù)實現(xiàn)最佳散熱管理的現(xiàn)代強制風冷服務(wù)器電源示例。
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6 ?/ [ d2 X0 {( J* X集成和封裝解決方案6 ^5 Z* W/ n8 L+ y
GaN技術(shù)實現(xiàn)了更高水平的集成,減少了元器件數(shù)量,提升了整體系統(tǒng)性能。, x0 C2 p8 {" j% @- [5 z+ A2 r
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圖8比較了Buck和LLC變換器的分立與集成設(shè)計,以及使用集成GaN解決方案的三相BLDC和全橋太陽能逆變器示意圖。( f7 v1 f5 H6 C0 c9 K% @6 Z
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圖9展示了通過GaN集成實現(xiàn)的尺寸縮減,展示了單封裝中的半橋和驅(qū)動器解決方案。$ ]7 Y5 R& J3 f# r; ~; }
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未來趨勢和應(yīng)用! J9 i0 A8 h4 k
GaN技術(shù)持續(xù)發(fā)展,在可再生能源、電動汽車和高功率工業(yè)系統(tǒng)等領(lǐng)域開拓新的應(yīng)用。技術(shù)發(fā)展路線圖顯示了功率密度和效率方面的重大進展。
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圖10展示了混合GaN和碳化硅方案,包括下一代電源解決方案的示意圖、器件和外形尺寸。
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1 ^/ Z7 X# t( K" wGaN技術(shù)在多個行業(yè)的應(yīng)用正在加速發(fā)展,這主要由高效率和高功率密度的需求推動。隨著制造工藝的成熟和成本的降低,GaN將在高性能電力電子應(yīng)用中占據(jù)主導地位。5 u- g# L% m: V; v" }
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GaN的固有材料優(yōu)勢結(jié)合創(chuàng)新的電路拓撲和封裝解決方案,使現(xiàn)代電源系統(tǒng)達到了新的性能水平。這種技術(shù)變革對滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心和可再生能源系統(tǒng)不斷增長的功率需求具有重要意義,同時保持了高效率和可靠性標準。* c/ [8 j8 V0 h! i
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參考文獻; T# j6 b; x5 n1 U- C" ?6 X
[1] M. Di Paolo Emilio (ed.), "GaN Technology Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion," in Case Studies, Springer Nature Switzerland AG, 2024, pp. 185-287.6 {2 f! b/ G$ ^( m
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0 [" O% ]) A) K- R0 u8 K轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!) l3 z2 m3 T' \
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: A) C3 A0 H; D9 p: P關(guān)于我們:
' V" U8 J# `8 w% O3 p8 W深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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