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美國半導體創(chuàng)新的發(fā)展:以Ideal Semiconductor為例的研究

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發(fā)表于 2024-11-28 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
5 V# C1 r$ O5 H/ P7 p本文通過Ideal Semiconductor公司的發(fā)展歷程,探討美國半導體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)和機遇,同時分析CHIPS科學法案對行業(yè)發(fā)展的重要影響[1]。
* h) z* v# R# y. f9 ?' x; ?# _% F5 o  {3 R" X; }  n: f5 ?9 x
功率晶體管的技術創(chuàng)新8 s! ~5 {: Q8 w! j
功率晶體管是現代電子產品的基礎組件。這類器件在2022年的市場規(guī)模達到340億美元,預計到2030年將增長到500億美元。從調光開關到人形機器人,功率晶體管在各類電子設備中負責電壓轉換。功率晶體管架構的演進始于International Rectifier公司開發(fā)的HEXFET,將晶體管設計從平面結構轉變?yōu)榇怪苯Y構。
; d. A( l. ~, Z& G& \, j
* f6 E6 U- F* L5 U& a$ `HEXFET的垂直架構由多個層次組成:
9 e. m0 O6 ~/ u# @5 n6 T
  • 底部是重摻雜的n型硅基底(漏極)
  • 中間是較厚的低摻雜電子區(qū)域
  • 頂部是包含源極和溝道的復雜層
    5 D- ^7 S. a. O- L; X
    - u' S0 N4 d% E  Q/ F
    雖然這種設計帶來顯著進步,但在高壓應用中存在局限性。增加阻斷電壓能力會導致導通時的電阻呈指數級增加。8 P( a% d( X. E  C6 s. Q2 G3 i. ~% h- f
    7 C  B& V6 ?# @
    為應對這一挑戰(zhàn),業(yè)界開發(fā)了RESURF超結構架構,通過在中間n型層中引入p型材料來實現更高的電壓阻斷能力。然而,這種方案使器件的導電面積減半,為性能改進帶來新的挑戰(zhàn)。
    , |: s% o( s$ P, z8 B( F. {0 N' ~9 M+ H3 w7 l# r" z
    SuperQ技術創(chuàng)新- F! @6 M& t2 e: }1 Q* D" M4 C1 N
    % I5 [+ [, @, @
    圖1:Ideal Semiconductor的SuperQ功率晶體管,在高壓能力和低電阻方面實現突破性進展。
    9 [5 p& c1 J' J5 p: ^( P7 A3 Q0 }7 h5 I, C( s
    Ideal Semiconductor的SuperQ技術提供了新穎的解決方案。不同于使用大體積p型硅進行電荷平衡,SuperQ采用納米級薄膜置于窄深溝槽中。這項創(chuàng)新保持了HEXFET的寬導電結構,同時具備高壓處理能力。$ \/ m* _- P7 n1 R" z, h9 W

    2 I. x" a- L6 H1 k3 uSuperQ的開發(fā)需要兩種在功率器件制造中較為少見的先進制造技術:
    0 w' L+ d1 G1 M: v% \6 t
  • 高深寬比溝槽刻蝕
  • 原子層沉積(ALD)實現精確的材料層控制+ R; a& Z( e6 T) C0 T* e
    : G* u( _  p# R% o/ b5 x  F" O
    從實驗室到制造的歷程
    2 d6 X, m: l5 \, N( m/ B9 D
    ! }7 ^+ P, c; c# a7 W圖2:Ideal Semiconductor的應用工程師Orion Kress-Sanfilippo在電源設備中測試SuperQ器件的性能。
    ' _9 ]: Y8 t! U, M: K( i/ `3 L8 _3 A* @8 n
    從概念到商業(yè)產品的過程展現了美國半導體初創(chuàng)企業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。2014年,當Granahan開始開發(fā)SuperQ概念時,美國缺乏適合制造先進功率器件的工廠。這個問題迫使公司在早期開發(fā)階段做出妥協,與非最優(yōu)的制造合作伙伴合作,并投資額外設備。
    2 y7 A" b) {4 q2 Z6 E$ y7 p1 c$ R4 U% z6 K0 }, b: B! G% S
    CHIPS法案的影響
    * p2 ]8 M0 X; d$ L2022年通過的CHIPS科學法案撥款520億美元用于振興美國半導體制造和創(chuàng)新。該法案的影響主要體現在三個方面:
    ( T/ q7 _: s0 ]8 K; |3 R- ?6 v
    : E% b: ?# }- O2 G( `. H1. 制造支持:) u+ v6 ]* j: v+ u8 I
  • 390億美元用于新建制造設施
  • 支持先進和專用半導體的本土生產能力
    ! R! p! p$ w/ Q/ b4 \
    " e. q4 q& w" b& d% q
    2. 研發(fā)投資:
    * U. m7 U) A4 X
  • 110億美元用于研究和開發(fā)
  • 包括建立國家半導體技術中心(NSTC)* L- E0 s" w  F

    1 F( g" }  e4 B2 t& @5 o: [( V3. 國防應用:
    - a8 h- q& i8 _6 z2 n
  • 20億美元專門用于國防領域半導體% t7 O9 S$ I9 b" w+ U

    ! z4 Q( _, `9 H/ H6 INSTC作為初創(chuàng)企業(yè)的重要支持平臺,將提供:
    , P6 g- Z2 ]$ m
  • 先進設計工具和設備使用權
  • 原型制作和封裝設施
  • 設計支持資源
  • 多項目晶圓機會以降低開發(fā)成本
    : n' j3 A9 p( G- ^) z  l0 I
    ; I! K5 N; j" L% Z8 [! f/ |
    對于Ideal Semiconductor等公司,CHIPS法案的實施可能將開發(fā)時間縮短50%,成本降低40%。本土制造能力和支持基礎設施的建立解決了此前迫使美國初創(chuàng)企業(yè)尋求海外合作伙伴或在開發(fā)過程中做出妥協的關鍵問題。
    # A2 s8 L4 l% R% M, K: _
    2 M+ y  a  Q, w0 y2 `展望未來* i, }) N8 Z) k+ ^
    CHIPS法案不僅增強制造能力,還創(chuàng)建了支持從概念到商業(yè)化全過程的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。隨著NSTC設施陸續(xù)投入運營(設計設施將于2025年、極紫外光刻中心將于2026年、原型制作設施將于2028年投入使用),下一代半導體初創(chuàng)企業(yè)將獲得以前在國內無法獲得的資源。
    1 k, I( ~  _8 x: k. p! V) b8 i' D/ L4 R6 R8 s; T
    積極成果已經顯現——Ideal的制造合作伙伴Polar Semiconductor獲得了CHIPS法案首筆1.23億美元資金,用于擴建設施和提升能力。這項投資顯示法案已開始加強國內半導體制造基礎,為創(chuàng)新企業(yè)更高效地將創(chuàng)意投入市場創(chuàng)造新機會。
    $ O7 m0 C) n4 l/ r
    1 P: b1 m) J6 _+ t. R參考文獻
    : l  ?+ P3 s+ |& B[1] S. K. Moore, "This Startup Shows Why the U.S. CHIPS Act Is Needed,"IEEESpectrum,Oct.21,2024[Online].Available:https://spectrum.ieee.org/power-electronics-26694019977 U( C2 T. z- f  ]
    ( R7 P, L, f. @, E5 g$ I
    END# I- O: J- \# v3 E6 d" l9 q* l

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    * M* ?1 n2 F. m0 |) K3 q' k4 n: @1 `! I歡迎轉載6 K; g" V* t% [- c
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    轉載請注明出處,請勿修改內容和刪除作者信息!
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