|
引言
5 V# C1 r$ O5 H/ P7 p本文通過Ideal Semiconductor公司的發(fā)展歷程,探討美國半導體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)和機遇,同時分析CHIPS科學法案對行業(yè)發(fā)展的重要影響[1]。
* h) z* v# R# y. f9 ?' x; ?# _% F5 o {3 R" X; } n: f5 ?9 x
功率晶體管的技術創(chuàng)新8 s! ~5 {: Q8 w! j
功率晶體管是現代電子產品的基礎組件。這類器件在2022年的市場規(guī)模達到340億美元,預計到2030年將增長到500億美元。從調光開關到人形機器人,功率晶體管在各類電子設備中負責電壓轉換。功率晶體管架構的演進始于International Rectifier公司開發(fā)的HEXFET,將晶體管設計從平面結構轉變?yōu)榇怪苯Y構。
; d. A( l. ~, Z& G& \, j
* f6 E6 U- F* L5 U& a$ `HEXFET的垂直架構由多個層次組成:
9 e. m0 O6 ~/ u# @5 n6 T底部是重摻雜的n型硅基底(漏極)中間是較厚的低摻雜電子區(qū)域頂部是包含源極和溝道的復雜層
5 D- ^7 S. a. O- L; X- u' S0 N4 d% E Q/ F
雖然這種設計帶來顯著進步,但在高壓應用中存在局限性。增加阻斷電壓能力會導致導通時的電阻呈指數級增加。8 P( a% d( X. E C6 s. Q2 G3 i. ~% h- f
7 C B& V6 ?# @
為應對這一挑戰(zhàn),業(yè)界開發(fā)了RESURF超結構架構,通過在中間n型層中引入p型材料來實現更高的電壓阻斷能力。然而,這種方案使器件的導電面積減半,為性能改進帶來新的挑戰(zhàn)。
, |: s% o( s$ P, z8 B( F. {0 N' ~9 M+ H3 w7 l# r" z
SuperQ技術創(chuàng)新- F! @6 M& t2 e: }1 Q* D" M4 C1 N
ecsefaed43a64041012426.png (186.03 KB, 下載次數: 1)
下載附件
保存到相冊
ecsefaed43a64041012426.png
2024-11-30 01:51 上傳
% I5 [+ [, @, @
圖1:Ideal Semiconductor的SuperQ功率晶體管,在高壓能力和低電阻方面實現突破性進展。
9 [5 p& c1 J' J5 p: ^( P7 A3 Q0 }7 h5 I, C( s
Ideal Semiconductor的SuperQ技術提供了新穎的解決方案。不同于使用大體積p型硅進行電荷平衡,SuperQ采用納米級薄膜置于窄深溝槽中。這項創(chuàng)新保持了HEXFET的寬導電結構,同時具備高壓處理能力。$ \/ m* _- P7 n1 R" z, h9 W
2 I. x" a- L6 H1 k3 uSuperQ的開發(fā)需要兩種在功率器件制造中較為少見的先進制造技術:
0 w' L+ d1 G1 M: v% \6 t高深寬比溝槽刻蝕原子層沉積(ALD)實現精確的材料層控制+ R; a& Z( e6 T) C0 T* e
: G* u( _ p# R% o/ b5 x F" O
從實驗室到制造的歷程
2 d6 X, m: l5 \, N( m/ B9 D
e4drguqkppu64041012528.png (3.19 MB, 下載次數: 1)
下載附件
保存到相冊
e4drguqkppu64041012528.png
2024-11-30 01:51 上傳
! }7 ^+ P, c; c# a7 W圖2:Ideal Semiconductor的應用工程師Orion Kress-Sanfilippo在電源設備中測試SuperQ器件的性能。
' _9 ]: Y8 t! U, M: K( i/ `3 L8 _3 A* @8 n
從概念到商業(yè)產品的過程展現了美國半導體初創(chuàng)企業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。2014年,當Granahan開始開發(fā)SuperQ概念時,美國缺乏適合制造先進功率器件的工廠。這個問題迫使公司在早期開發(fā)階段做出妥協,與非最優(yōu)的制造合作伙伴合作,并投資額外設備。
2 y7 A" b) {4 q2 Z6 E$ y7 p1 c$ R4 U% z6 K0 }, b: B! G% S
CHIPS法案的影響
* p2 ]8 M0 X; d$ L2022年通過的CHIPS科學法案撥款520億美元用于振興美國半導體制造和創(chuàng)新。該法案的影響主要體現在三個方面:
( T/ q7 _: s0 ]8 K; |3 R- ?6 v
: E% b: ?# }- O2 G( `. H1. 制造支持:) u+ v6 ]* j: v+ u8 I
390億美元用于新建制造設施支持先進和專用半導體的本土生產能力
! R! p! p$ w/ Q/ b4 \" e. q4 q& w" b& d% q
2. 研發(fā)投資:
* U. m7 U) A4 X110億美元用于研究和開發(fā)包括建立國家半導體技術中心(NSTC)* L- E0 s" w F
1 F( g" } e4 B2 t& @5 o: [( V3. 國防應用:
- a8 h- q& i8 _6 z2 n20億美元專門用于國防領域半導體% t7 O9 S$ I9 b" w+ U
! z4 Q( _, `9 H/ H6 INSTC作為初創(chuàng)企業(yè)的重要支持平臺,將提供:
, P6 g- Z2 ]$ m先進設計工具和設備使用權原型制作和封裝設施設計支持資源多項目晶圓機會以降低開發(fā)成本
: n' j3 A9 p( G- ^) z l0 I; I! K5 N; j" L% Z8 [! f/ |
對于Ideal Semiconductor等公司,CHIPS法案的實施可能將開發(fā)時間縮短50%,成本降低40%。本土制造能力和支持基礎設施的建立解決了此前迫使美國初創(chuàng)企業(yè)尋求海外合作伙伴或在開發(fā)過程中做出妥協的關鍵問題。
# A2 s8 L4 l% R% M, K: _
2 M+ y a Q, w0 y2 `展望未來* i, }) N8 Z) k+ ^
CHIPS法案不僅增強制造能力,還創(chuàng)建了支持從概念到商業(yè)化全過程的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。隨著NSTC設施陸續(xù)投入運營(設計設施將于2025年、極紫外光刻中心將于2026年、原型制作設施將于2028年投入使用),下一代半導體初創(chuàng)企業(yè)將獲得以前在國內無法獲得的資源。
1 k, I( ~ _8 x: k. p! V) b8 i' D/ L4 R6 R8 s; T
積極成果已經顯現——Ideal的制造合作伙伴Polar Semiconductor獲得了CHIPS法案首筆1.23億美元資金,用于擴建設施和提升能力。這項投資顯示法案已開始加強國內半導體制造基礎,為創(chuàng)新企業(yè)更高效地將創(chuàng)意投入市場創(chuàng)造新機會。
$ O7 m0 C) n4 l/ r
1 P: b1 m) J6 _+ t. R參考文獻
: l ?+ P3 s+ |& B[1] S. K. Moore, "This Startup Shows Why the U.S. CHIPS Act Is Needed,"IEEESpectrum,Oct.21,2024[Online].Available:https://spectrum.ieee.org/power-electronics-26694019977 U( C2 T. z- f ]
( R7 P, L, f. @, E5 g$ I
END# I- O: J- \# v3 E6 d" l9 q* l
! m1 G* Q5 K5 {. ^6 i, j& L8 q6 Z4 E& }" Z" G8 e9 ?$ K, Z
軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請體驗免費版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應用,PIC Studio都可提升您的工作效能。9 v6 ~7 g) S. ~! H* J; E
點擊左下角"閱讀原文"馬上申請
* D' V7 U9 e9 O
* M* ?1 n2 F. m0 |) K3 q' k4 n: @1 `! I歡迎轉載6 K; g" V* t% [- c
: P- _0 j% Q# h/ w. D
轉載請注明出處,請勿修改內容和刪除作者信息!
& H; N# u5 k+ u* q$ D! x7 M# s7 K+ k$ z W3 O3 Q- @
7 k( E9 J$ ^+ m! u
5 |2 @- G6 g7 [: j6 \* P
nmnt5akd5eh64041012628.gif (16.04 KB, 下載次數: 1)
下載附件
保存到相冊
nmnt5akd5eh64041012628.gif
2024-11-30 01:51 上傳
5 H# r6 ^8 ^! _+ Q' P' b) o
3 ]4 c7 H" W7 \9 H/ g% C: U
關注我們
7 X$ x" ?0 h% g3 u' L: q7 ^
% p, g: K- s& [; ?* t/ l3 O0 i _# p! h/ [
iknzpzcxa1364041012728.png (31.33 KB, 下載次數: 1)
下載附件
保存到相冊
iknzpzcxa1364041012728.png
2024-11-30 01:51 上傳
: L, C$ C9 W& w5 G |
" z/ d& g4 p% N/ g. o
gibu4gfvjjz64041012828.png (82.79 KB, 下載次數: 1)
下載附件
保存到相冊
gibu4gfvjjz64041012828.png
2024-11-30 01:51 上傳
1 i$ B$ A% u2 b- }
| 9 A$ A& a5 I9 n) L5 H
qztitalmnp464041012929.png (21.52 KB, 下載次數: 1)
下載附件
保存到相冊
qztitalmnp464041012929.png
2024-11-30 01:51 上傳
* t' ^6 K" ^: [! t |
! V' _% ^, T3 o, z8 T, I' B7 V1 [
5 M) W, b# r+ z1 t* w2 g8 G2 a8 W
. Q# y9 u( [$ G( r3 L
關于我們: G9 _$ S1 H8 }# t& ~3 E
深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術與服務。
- U7 g) g/ g0 c' f1 c/ m- h' g) D! T7 c! ?8 x8 Z: |
http://www.latitudeda.com/
0 r, ?5 ~3 X3 n1 _' r# S' \(點擊上方名片關注我們,發(fā)現更多精彩內容) |
|