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點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多, q! o4 R0 i/ N( ]4 F+ H
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大家好,我是王工。最近有個(gè)項(xiàng)目,板子回來調(diào)試時(shí),電路供電異常,排查問題后才發(fā)現(xiàn)有個(gè)不該被打開的MOS管突然打開了。因?yàn)檫@個(gè)電路功能做了兼容,全部講可能有點(diǎn)麻煩,也不是本文的重點(diǎn),所以為了看起來更直觀,我簡(jiǎn)化了電路圖。
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請(qǐng)看下圖,問大家一個(gè)問題,大家覺得圖中的MOS管能打開嗎?
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我相信很多人都會(huì)回答,這管子肯定無法打開,因?yàn)槎䴓O管具有單向?qū)щ娦,可?shí)際上MOS管是打開的了,那它是怎么開的呢?- @: q# R5 q5 X
A5 Q) ]1 ~: l. F8 ]5 W
我們先來看MOS管的規(guī)格書,可知MOS管的Vgs(th)=0.5V(min),也就是柵極提供0.5V的電壓時(shí),MOS管就會(huì)導(dǎo)通。
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實(shí)測(cè)VGS電壓有0.7V左右的樣子,大于Vgs(th),所以管子確認(rèn)是打開了的,跟設(shè)計(jì)需求沖突了,電路異常了。
* c) Q' ?& E$ s# P9 y, S& x; V' z+ z5 l" j" q$ o o' e6 V4 p$ H
那么MOS管是怎么開啟的呢?電流只能通過A點(diǎn)進(jìn)去,也就是電流通過二極管反向漏過去了。
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再看二極管漏電流參數(shù),A點(diǎn)我們提供的是12V電壓,圖中VR=10V時(shí),漏電流范圍為20~80uA。二極管的漏電流在電阻R2上產(chǎn)生了0.7V左右的電壓。所以這個(gè)問題就出在了二極管的漏電流上,在設(shè)計(jì)時(shí)忽略了二極管的漏電流?赏ㄟ^更換閾值電壓更高的MOS管,或者更換漏電流更小的二極管,確保漏電流不足以開啟該MOS管來解決。大家可能會(huì)注意到二極管規(guī)格書左上角備注有25℃,也就是列表中的參數(shù)都是在環(huán)境溫度為25℃的條件下測(cè)試的,如果環(huán)境溫度升高,MOS管的漏電流將會(huì)變的更大。
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6 ~, x) u+ e# H8 d尤其是肖特基二極管更要注意,雖然它的反向恢復(fù)時(shí)間更快,但漏電流比普通二極管都更大。因?yàn)樾ぬ鼗䴓O管是基于金屬與半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘,這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其漏電流相對(duì)較高,這是由于其金屬-半導(dǎo)體結(jié)的特性決定的?。在一些精密測(cè)量的場(chǎng)合需要格外注意,不能忽視。: c9 I6 T, c, q! d1 j
( _0 `$ U2 p# B寫在最后) |& w& Z; t% s* ~. i: N
都說硬件工程師越老越吃香,這句話也證明硬件也是需要積累的,王工從事硬件多年,也會(huì)不定期分享技術(shù)好文,感興趣的同學(xué)可以加微信,或后臺(tái)回復(fù)“加群”,管理員拉你加入同行技術(shù)交流群。& l5 O6 p/ i/ O5 Y; S/ o! m
3 j6 q4 H8 y% P0 ?. v6 F- t; y以下兩個(gè)電路,是之前技術(shù)交流群群友發(fā)的,王工做了一個(gè)簡(jiǎn)單的分析,旨在幫助入門或轉(zhuǎn)行的同學(xué)理解學(xué)習(xí)(點(diǎn)擊圖片直接進(jìn)入)2 i* W4 z9 @: u; J& t& P1 `
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