DDR布線要求：①特性阻抗:單端50歐,差分100歐②數(shù)據(jù)線每組盡量走在同一層(D0~D7,LDM,LDQS),(D8~D15,UDM,UDQS )*信號(hào)線的間距滿足3W原則，數(shù)據(jù)線、地址（控制）線、時(shí)鐘線之間的距離保持20mil以上或至少3W④空間允許的情況下,應(yīng)該在它們走線之間加一根地線進(jìn)行隔離。地線寬度推薦為15-30mil*VREF電源走線先經(jīng)過(guò)電容再進(jìn)入管腳，Vref電源走線線寬推薦不小于20mil，與同層其他信號(hào)線間距最好20mil以上。⑥所有信號(hào)線都不得跨分割，且有完整的參考平面，換層時(shí)，如果改變了參考層，要注意考慮增加回流地過(guò)孔或退藕電容。⑦兩片以上的DDR布線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)優(yōu)選遠(yuǎn)端分支，T點(diǎn)的過(guò)孔打在兩片DDR中間；*菊花鏈需得到仿真驗(yàn)證或芯片layout Guide要求。*所有DDR信號(hào)距離相應(yīng)參考平面邊沿至少30-40mil。任何非DDR部分的信號(hào)不得以DDR電源為參考。
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