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量子點(diǎn)激光器在硅基集成推進(jìn)新一代通信技術(shù)的光電子集成

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發(fā)表于 2024-12-5 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言; w3 E; b7 E( Q9 [, Q* I
自1962年半導(dǎo)體激光器發(fā)明以來(lái),這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)在光通信和消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的變化。隨著全球互聯(lián)網(wǎng)流量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)——2022年達(dá)到4.8澤字節(jié)(ZB),年增長(zhǎng)率25%——開(kāi)發(fā)更高能效的光通信系統(tǒng)變得極為迫切。這對(duì)數(shù)據(jù)中心尤其重要,因?yàn)閿?shù)據(jù)中心目前消耗了全球約2%的電力。將量子點(diǎn)激光器與硅基光電子技術(shù)相結(jié)合,為解決這些挑戰(zhàn)提供了有效方案,同時(shí)為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等新興應(yīng)用創(chuàng)造了新機(jī)遇[1]。
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硅基優(yōu)勢(shì)9 Q6 ~. q8 n5 B! b
硅長(zhǎng)期以來(lái)作為微電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料,在光電子集成方面具有多項(xiàng)顯著優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)二十多年發(fā)展的成熟硅基光電子平臺(tái),充分利用了現(xiàn)有的CMOS制造基礎(chǔ)設(shè)施,同時(shí)提供了優(yōu)異的光學(xué)特性。這些特性包括高折射率對(duì)比度,可實(shí)現(xiàn)低損耗波導(dǎo)和高效光柵耦合器。硅與摻雜技術(shù)的兼容性使高速調(diào)制器成為現(xiàn)實(shí),而與鍺的結(jié)合則實(shí)現(xiàn)了高效光電探測(cè)器。更重要的是,硅基光電子技術(shù)通過(guò)300毫米晶圓加工提供了大規(guī)模制造能力。8 s6 z) S3 I5 h) A* X, t
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圖1:量子點(diǎn)激光器在硅基上的詳細(xì)制造工藝流程,展示了從初始襯底準(zhǔn)備到最終器件完成的關(guān)鍵步驟。
" f" z" o- ^. y
& j$ T. S9 [" l8 y& K% H量子點(diǎn)技術(shù)突破( i+ I1 P; |2 f" D! @% |
半導(dǎo)體激光器的發(fā)展經(jīng)歷了多次重大進(jìn)步,從基本的同質(zhì)結(jié)器件發(fā)展到復(fù)雜的量子阱結(jié)構(gòu)。量子點(diǎn)代表了這一進(jìn)程中的最新突破。這些納米尺度結(jié)構(gòu)(通常為數(shù)十納米)在三個(gè)維度上限制載流子,形成所謂的"零維"結(jié)構(gòu)。通過(guò)在GaAs襯底上外延生長(zhǎng)InAs的自組裝過(guò)程可以形成這些結(jié)構(gòu)。! u5 K+ G) ?$ _" L

8 f: I4 K3 {* D  l' s4 a1982年,東京大學(xué)的荒川泰彥首次提出量子點(diǎn)概念,預(yù)言與量子阱激光器相比,量子點(diǎn)激光器具有更低的閾值電流和更好的溫度穩(wěn)定性。量子點(diǎn)中的離散能態(tài)創(chuàng)造了近乎對(duì)稱(chēng)的增益譜和較小的線寬增強(qiáng)因子,實(shí)現(xiàn)了無(wú)需光隔離器的窄線寬運(yùn)行。這些特性使量子點(diǎn)特別適合與硅基光電子技術(shù)集成。4 t: j$ @/ F' J! G5 W! L

6 @1 }+ v" O8 W圖2:量子點(diǎn)激光器性能的綜合表征,顯示了(a)封裝器件,(b)不同腔長(zhǎng)的頻率噪聲譜,(c)耦合腔設(shè)計(jì),以及(d,e)展示超窄線寬運(yùn)行的噪聲測(cè)量結(jié)果。2 q3 K5 o- O' `- l; x8 M# E

% b6 {, c- A8 s. T4 A/ S7 I! O集成工藝與結(jié)果
5 g  |& `( g( e  G+ i# q% j4 N量子點(diǎn)激光器在硅基上的異質(zhì)集成涉及精確的工藝優(yōu)化。我們?cè)诎⒉范爬瓏?guó)王科技大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種使用500納米厚硅層的硅絕緣體(SOI)襯底的方法,與標(biāo)準(zhǔn)220納米平臺(tái)相比,提供了硅和量子點(diǎn)區(qū)域之間更好的模式重疊。9 D% u+ F! W/ h

1 H# f* C" d7 g, x制造工藝始于對(duì)SOI晶圓進(jìn)行三種不同深度的刻蝕:條形波導(dǎo)500納米,肋形波導(dǎo)231納米,光柵結(jié)構(gòu)20納米。然后將含有量子點(diǎn)有源區(qū)的GaAs晶圓鍵合到這個(gè)圖形化表面上,隨后進(jìn)行襯底移除和后續(xù)加工步驟,最終形成激光器結(jié)構(gòu)。
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量子點(diǎn)有源區(qū)與硅波導(dǎo)之間的光耦合通過(guò)近場(chǎng)耦合實(shí)現(xiàn),精心設(shè)計(jì)的錐形結(jié)構(gòu)優(yōu)化了III-V族材料和硅之間的過(guò)渡。最終器件展示了令人印象深刻的性能指標(biāo),包括:; Y* F. A# D* \# G' O6 O* Q/ q
  • 邊模抑制比大于60dB的單模運(yùn)行
  • 低閾值電流密度31安培/平方厘米
  • 13千兆赫茲的高調(diào)制帶寬
  • 自由運(yùn)行狀態(tài)下41千赫茲的窄線寬
  • 通過(guò)先進(jìn)腔體設(shè)計(jì)可能實(shí)現(xiàn)亞赫茲線寬
    7 d; b/ S! S# _# G9 J

    ( E& X7 l. O3 D未來(lái)發(fā)展與挑戰(zhàn)
    6 a$ u! I- j6 Z; l% `2 W3 x雖然硅基量子點(diǎn)激光器在提高光通信能效方面顯示出巨大潛力,但要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)仍存在多個(gè)挑戰(zhàn)。需要進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域包括:' T( r, t4 k! s! W% Y
  • 擴(kuò)展到300毫米晶圓的集成
  • 將量子點(diǎn)激光器與高速硅調(diào)制器和光電探測(cè)器組合
  • 在數(shù)據(jù)中心工作條件下進(jìn)行全面的可靠性測(cè)試
  • 在保持高良率的同時(shí)優(yōu)化生產(chǎn)成本
    3 Y' ^0 l2 d+ }7 q% |8 k, {4 w1 }

    $ s9 |8 [! I, V: ?8 I6 g2 h這項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用范圍超越了數(shù)據(jù)中心,延伸到光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、生物化學(xué)傳感和量子計(jì)算等新興領(lǐng)域。在硅芯片上直接集成高效激光源的能力,可以通過(guò)改善性能和可靠性來(lái)推動(dòng)這些領(lǐng)域的發(fā)展。9 I( j* K/ @9 ]( Y; B. F+ G4 p
    , r3 v, |' z% Y/ e
    量子點(diǎn)與硅基光電子技術(shù)的融合標(biāo)志著一個(gè)重要進(jìn)展,不僅滿足了全球通信日益增長(zhǎng)的能源需求,還通過(guò)降低功耗實(shí)現(xiàn)了環(huán)境效益,同時(shí)為計(jì)算和傳感領(lǐng)域開(kāi)創(chuàng)了新應(yīng)用。隨著技術(shù)不斷成熟,性能提升和環(huán)境效益將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。. y3 J9 H$ g0 y. e

      G1 ~* N+ w: Z% ?# z& S參考文獻(xiàn)
    # i, b- q  q- [& ]& P( \[1] Prokoshin and Y. Wan, "Quantum-dot lasers on silicon: Integrating quantum-dot lasers on silicon photonic chips promises to create high-speed devices for datacom and other applications," PIC Magazine, vol. III, pp. 50-53, 2024.6 e8 B5 z1 u. r2 u  ^1 E

    * l% T$ \6 X8 T. e! @0 g3 _5 o9 R1 }END7 r$ a' d- x" q- P1 A) I
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    + q! O; h' N( r0 X# G9 j軟件申請(qǐng)我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請(qǐng)?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無(wú)論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。! V/ `8 F: o! o0 t
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    . a/ ^( ^0 T2 _. x- ]# ~轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!
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    深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開(kāi)發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶(hù)。逍遙科技與國(guó)內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶(hù)提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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