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采用分段電極馬赫-曾德爾調(diào)制器的PAM-4發(fā)射器

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發(fā)表于 2024-12-9 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
2 |. o( F* B- y  r5 T6 D. L在現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心通信中,在保持能源效率的同時提高數(shù)據(jù)傳輸速率的需求推動了光電子技術(shù)的重大創(chuàng)新。PAM-4(4級脈沖幅度調(diào)制)信號技術(shù)逐漸取代了傳統(tǒng)的非歸零(NRZ)信號技術(shù)。本文探討了使用分段電極馬赫-曾德爾調(diào)制器(SE-MZM)的先進實現(xiàn)方法,重點關(guān)注設(shè)計考慮因素和制造挑戰(zhàn)[1]。) p2 A; p% `( k2 w! l- {
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PAM-4信號技術(shù)的優(yōu)勢9 b$ v. z9 I6 \4 m$ g8 [
PAM-4信號技術(shù)在光通信領(lǐng)域代表著重要進展,將兩個比特編碼為四個強度級別。與傳統(tǒng)的NRZ信號相比,這種方法有效地將數(shù)據(jù)承載能力提高了一倍,同時只需要一半的帶寬。例如,使用PAM-4傳輸40G信號只需要20 GHz帶寬的器件,對應(yīng)的符號速率為20 GBaud。
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圖1:使用SE-MZM的PAM-4發(fā)射器示意圖,顯示了關(guān)鍵組件及其互連。3 u8 U2 A$ ~7 Z7 x. n- p

5 ]! z0 k0 L: z1 ?5 C, U" f傳統(tǒng)的PAM-4發(fā)射器實現(xiàn)方法通常使用由電數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)驅(qū)動的馬赫-曾德爾調(diào)制器和電驅(qū)動器。然而,這種傳統(tǒng)方法面臨著一些挑戰(zhàn),包括能源效率低和占用面積大。這些限制促使了更具創(chuàng)新性解決方案的發(fā)展。
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0 }+ D7 V1 z8 x2 S& h) r3 |8 u分段電極設(shè)計實現(xiàn)
+ q& [% \* |" z更高效的方法采用分段相移器,利用其固有的DAC功能。這種設(shè)計消除了對獨立DAC組件的需求,提高了能源效率并降低了復(fù)雜性。% x* e# ~$ ~! n- p7 {$ z

6 ~) b. F' D& l/ _圖2:SE-MZM PAM-4發(fā)射器輸出信號(左)和頻譜(右),展示了清晰的四級信號生成和頻譜特性。9 e+ v" d2 p  V9 d

0 d/ m9 m1 ?/ w與傳統(tǒng)的行波馬赫-曾德爾調(diào)制器(TW-MZM)相比,分段方法具有多個主要優(yōu)勢。雖然傳統(tǒng)TW-MZM可以通過較長的相互作用長度來降低驅(qū)動電壓,但會導(dǎo)致射頻損耗增加以及射頻信號與光信號之間的速度不匹配。分段設(shè)計通過將速度匹配轉(zhuǎn)移到電子定時線路來克服這些限制,這些線路控制電信號的施加時序以匹配段間的光延遲。( S% D- f! v$ r8 F: i0 ?7 @- v

4 {; x, O1 U! n) u圖3:發(fā)射器輸出的光眼圖,顯示了PAM-4四個級別之間的清晰分離。( d8 Y0 G$ s8 D+ ^7 g/ _/ d

# b8 p9 g8 |, X1 {7 }制造考慮因素和挑戰(zhàn)
6 v! @# o; H7 V  M, I5 [, j$ j3 p基于SE-MZM的PAM-4發(fā)射器的實現(xiàn)需要注意幾個可能影響性能的制造變量:
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圖4:使用SE-MZM的PAM-2發(fā)射器示意圖及相應(yīng)的光眼圖,顯示了段長偏差變化的影響。
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5 I) f0 ]) Y9 r4 _# n5 {0 d, T6 P段間距離偏差:制造過程中的變化可能導(dǎo)致電極段之間間距的偏差。這些變化直接影響調(diào)制器的偏置和帶寬特性。仿真結(jié)果表明,較大的偏差會導(dǎo)致眼圖開口變差和信號質(zhì)量下降。/ n$ |' j. M  T

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圖5:驅(qū)動器時延影響的示意圖和隨時延增加而導(dǎo)致性能下降的眼圖。" D+ F6 K: g' I; U6 o* m

$ t8 l3 O2 d6 B3 G5 D& D( F- ?' W8 @驅(qū)動器時延效應(yīng):驅(qū)動不同段的電信號的時序?qū)φ_\行極為關(guān)鍵。芯片放置和銅走線長度的制造變化可能導(dǎo)致時序不匹配,影響射頻信號與光信號之間的同步。+ ~% s4 f# n( t0 o: A
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圖6:顯示驅(qū)動時延與誤碼率關(guān)系的BER分析結(jié)果,以及測試配置的示意圖。5 d- `* W  s2 {4 F0 L: y

6 _9 E1 h: t- P& v! }電容充電考慮:相移器電極的R-C響應(yīng)時間顯著影響發(fā)射器的帶寬。結(jié)區(qū)電容和封裝寄生效應(yīng)都會影響總體電容充電和R-C時間限制。
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圖7:電響應(yīng)模型配置界面和顯示不同R-C響應(yīng)時間影響的眼圖。
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性能評估和優(yōu)化
, y1 y+ P: _+ M6 U& X( x& \: Q為確保最佳性能,在設(shè)計和制造過程中需要監(jiān)控和優(yōu)化幾個關(guān)鍵指標(biāo)。TDECQ(發(fā)射器和色散眼圖閉合四進制)算法提供了對發(fā)射器性能的全面評估。這種測量考慮了符號誤碼率(SER)和噪聲特性等因素,幫助設(shè)計人員評估和優(yōu)化其實現(xiàn)方案。
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- F( _8 L  _/ R* c; G盡管在制造和實現(xiàn)方面存在挑戰(zhàn),基于SE-MZM的PAM-4發(fā)射器在能源效率和占用面積方面具有顯著優(yōu)勢。成功實現(xiàn)這些器件需要仔細關(guān)注制造公差和設(shè)計參數(shù),并輔以全面的仿真和測試方法。
2 C. K; z3 |. B, N, Y
. D) F6 c% \! q使用分段電極設(shè)計的PAM-4技術(shù)的進步在光通信領(lǐng)域具有重要意義,特別是對于要求能源效率和高數(shù)據(jù)速率的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。隨著制造工藝的不斷改進和設(shè)計工具變得更加先進,這些創(chuàng)新解決方案將獲得更廣泛的應(yīng)用。* m% v3 m" d" |9 Y! h6 ?4 T

3 x9 w$ r: K: k6 C參考文獻
) o9 [4 U: }) C& P) x[1] J. Patel and P. Mena, "Designing for manufacture: PAM-4 transmitters using segmented-electrode Mach-Zehnder modulators," PIC Magazine, vol. III, pp. 36-42, 2024.
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