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濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程,該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓,也稱為基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料層,以用作電子和微流體設備的基礎;最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕是半導體制造,微機械和微流控設備中的重要過程,需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài),這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻,因此常用于分層應用。缺點包括許多化學廢物,其中許多是高酸性和多步過程。+ j$ `/ C: c$ ]7 S/ |! h
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