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基于薄膜鈮酸鋰和光子線鍵合的高功率窄線寬激光器

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發(fā)表于 2024-9-12 08:03:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言近年來,光電子集成芯片在通信、計算和傳感等領(lǐng)域的低成本、節(jié)能和可擴展解決方案開發(fā)中展現(xiàn)出巨大潛力。在眾多可用平臺中, 薄膜鈮酸鋰(TFLN)因其獨特的材料特性,成為硅絕緣體的有力替代方案,適用于多種光電子技術(shù)應用。
8 |0 \# {1 d$ W0 J  R, y. F+ _" {3 R8 X/ C: K4 S/ L) Q# o
本文探討利用光子線鍵合技術(shù)實現(xiàn)的基于薄膜鈮酸鋰的高功率窄線寬激光器。通過集成可調(diào)諧、高功率和窄線寬的片上激光器,解決了TFLN平臺面臨的重要挑戰(zhàn)[1]。" T7 @( j; @) z9 H1 ~

# R$ C4 ]# j5 B5 H% r+ M
/ ?/ b4 I5 q# E" f3 o- ^- J% c8 T, }: I; o! n" F

  k, a! ]* R9 d* s6 A# z, b薄膜薄膜鈮酸鋰的重要性0 ]# Z5 e# _7 E* [
薄膜鈮酸鋰(TFLN)具有多項優(yōu)勢,使其成為集成光子學的優(yōu)秀平臺:
& P* {# F. S: q
  • 大電光系數(shù):適用于高效的高速寬帶調(diào)制器
  • 強二階非線性:能夠?qū)崿F(xiàn)高效的非線性三波混頻過程
  • 寬透明窗口:允許在寬波長范圍內(nèi)實現(xiàn)低損耗傳輸; L1 L4 u# i8 l! E( p$ x
    這些特性促進了TFLN平臺上各種高性能組件的開發(fā),包括電光調(diào)制器、超連續(xù)譜生成、克爾梳生成和非線性頻率轉(zhuǎn)換。
    + C# l) m1 M. T( B7 s4 }7 [5 M$ W, V$ v- k$ i3 m. E
    挑戰(zhàn):TFLN的片上激光器
    0 ~5 ?8 `- D4 Z0 [& F( tTFLN技術(shù)取得了眾多進展,但一個重要挑戰(zhàn)依然存在:開發(fā)可調(diào)諧、窄線寬和高功率的片上激光器。這個組件對于驅(qū)動TFLN上的完全集成系統(tǒng)重要,可以避免依賴芯片外的體光源。
    $ ^9 ^0 \5 @( p
    - t' d( W; q7 u# U# P. j5 R) a解決方案:光子線鍵合
    0 N1 Z9 U' r  d$ s為解決這一挑戰(zhàn),研究人員開發(fā)了新方法,使用光子線鍵合(PWB)將光放大器與薄膜鈮酸鋰反饋電路集成。這種方法能夠創(chuàng)建具有出色性能特征的擴展腔二極管激光器。5 N- U( |3 Z4 ^
    & F1 d: [. k, m2 o/ b
    4 Y! [) M3 q( M) X$ t0 ?, {6 A

    - [- x. e: Y& S2 i4 Z# Z. G圖1:基于光子線鍵合的TFLN擴展腔激光器示意圖。
    5 n5 ?' v, J2 o2 `; X6 @& Q$ i* C' Z# w  ?) H: o: m4 Q

    2 c8 V& U$ u, Q5 M集成激光器的關(guān)鍵組件
    % A1 X" `' n# h+ @% e7 H. D, p3 J- G該集成激光器由幾個關(guān)鍵組件組成:' P+ a' h, V. M4 x/ W8 a
    a)InP放大器:兩個磷化銦(InP)放大器波導提供激光的增益介質(zhì)。
    * X) `0 K1 }7 h4 }: k" ]% Sb)TFLN反饋電路。該電路包括:2 m& H# X, `: K* u7 L
    維尼爾濾波器:兩個耦合的微環(huán)諧振器,用于頻率選擇性反饋
    . t( h) N0 x4 L8 I  h' ^# _5 g% |相位移動器:用于微調(diào)有效腔長& H  r: J( Y8 Y0 f5 V
    可調(diào)輸出耦合器:用于優(yōu)化輸出耦合, f5 I/ o1 R; J0 k- `& J
    c) 光子線鍵合:這些3D聚合物波導將InP放大器連接到TFLN電路和輸出光纖陣列。) D; d6 P: M1 P  O) k4 G

    ' j" Q2 A) q' U9 g  C' ^光子線鍵合過程7 [' r4 z% P. m  @) |
    光子線鍵合過程是集成激光器設(shè)計的關(guān)鍵方面。以下是步驟概述:
  • 在共同安裝基座上粗略放置和對準組件
  • 使用共焦顯微鏡和機器視覺檢測組件位置
  • 使用雙光子聚合寫入PWB結(jié)構(gòu)
  • 顯影光刻膠并包覆PWB界面以提高穩(wěn)定性
    ' n- F$ r- h" Q% M% O( h[/ol]! ?8 B; J. c5 W/ ?; o

    + F8 R6 h& [* k$ F$ U7 {- K- Y+ k 1 H. K/ m  f9 E7 W6 L0 c
    圖2:連接到TFLN波導的光子線鍵合的掃描電子顯微鏡圖像。" c. r& e. y# t) H% X

    4 m9 j; M0 f  Y) I3 J4 D4 ?- B, W性能特征; X; P% E; S. m# m. Z; k
    該集成激光器展現(xiàn)出令人印象深刻的性能特征:
  • 高片上功率:高達78 mW
  • 寬波長可調(diào)范圍:43.7 nm
  • 超窄本征線寬:550 Hz
  • 優(yōu)秀的被動穩(wěn)定性:58小時無模式跳變運行$ X) v4 g  J0 P" ~" G2 \
    [/ol]9 U, ^, i; Y9 f! `- f* P
    讓我們更詳細地研究這些特征:
    0 S: N7 u; f+ D2 a( v! t1.輸出功率和可調(diào)諧性( J! Y  S& }- s1 ~, s0 f( X# I
    ' w5 f( a; K9 {6 l& V# R

    , }4 C1 e/ s7 P( }. W+ n1 E  {8 l / L5 v) i0 s9 T% O
    圖3:激光器輸出功率隨電流的變化和波長可調(diào)范圍。
    0 n9 [/ j) P: f7 Z, }1 ?: k' I, ?- D7 ~, |9 p9 U  d! H
    該激光器展示了輸出功率隨電流的線性增加,達到最大片上功率78 mW。波長可在43.7 nm的寬范圍內(nèi)調(diào)諧,超過了兩個放大器的3 dB增益帶寬。0 s; o& ]+ }- w7 W6 d* _

    7 }& r& v  `) f: E5 \( F# X9 p$ T2.頻率穩(wěn)定性
    6 v: y/ ?6 `  z! F該激光器在短時間和長時間尺度上都表現(xiàn)出優(yōu)異的頻率穩(wěn)定性。
    ; \3 B! i  _- l2 ?; `# z1 I) O$ p# S0 e5 \' R9 m
    0 Q# F! R) o8 u7 ?4 G" T. Y
    圖4:激光器在短時間和長時間尺度上的頻率穩(wěn)定性。
    ! L8 U; v2 B+ U/ \" ]: w
    7 d  ]- y, O6 ^( @短期穩(wěn)定性:激光器表現(xiàn)出550 Hz的超窄本征線寬。
    : ]8 h" Y1 J# o" N7 H長期穩(wěn)定性:激光器保持58小時無模式跳變運行,頻率漂移趨勢僅為4.4 MHz/h。
    , y# Q) g" y$ \% v$ @% u
    + U0 s) \! O/ S$ \
    光子線鍵合方法的優(yōu)勢
    : A* ?8 ?: B2 _在這種集成激光器設(shè)計中使用光子線鍵合提供了幾個優(yōu)勢:+ M) I; e* R% ^- u
    可擴展性:PWB允許集成多個組件,實現(xiàn)功率擴展和系統(tǒng)級集成。) v% i5 }: d/ ]" z. F/ }
    靈活性:該技術(shù)可以適應不同的光學模式剖面,克服組件之間的錯位。
      q- d& n5 l! f/ {! M! F, v性能:這種方法產(chǎn)生高片上功率和優(yōu)異的頻率穩(wěn)定性。! z' ~$ U* M9 \; [9 H) T
    兼容性:PWB可用于各種光電子工藝平臺,包括TFLN、硅和氮化硅。) x" x8 r" u6 ~9 C1 y$ z
    [/ol]
    * d; W0 m3 F7 k# U1 y未來方向和應用
    / T! W; c7 D0 g, m; Z1 u這種基于TFLN的高功率窄線寬激光器的成功演示為未來的發(fā)展和應用開辟了眾多機遇:
    3 [, n7 ~9 T" k& h& f9 {進一步功率擴展$ s3 m" V0 l8 T' n1 L7 @7 ]" R- F
    與錐形放大器集成可能導致瓦級輸出功率。
    , u- P6 @* o, ?! ?9 H提高穩(wěn)定性: ?5 j) o3 m) U+ q2 `9 w
    與光學隔離器集成可以提供完全保護的激光腔。) `6 f* o  g4 O+ p+ L0 b
    增強功能
    : j1 t2 a6 ~1 F5 h% g與其他TFLN組件結(jié)合,如高性能電光調(diào)制器和頻率梳源。
    ; K+ l7 n9 Z( Z+ Z特定應用集成! i0 H+ w9 Y( b% V
    針對通信、傳感和微波光子學等特定應用定制激光器設(shè)計。  Y) Y0 y0 M3 B8 W- x1 [
    [/ol]
    + ?, G' N  W0 V' B$ g8 u結(jié)論. O" Q5 H# x9 R4 h( e. I; w
    利用光子線鍵合技術(shù)在薄膜鈮酸鋰上開發(fā)高功率窄線寬激光器代表了集成光電子技術(shù)的重大進展。通過提供可調(diào)諧、高性能的片上激光源,解決了薄膜鈮酸鋰平臺面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。/ z2 c# C3 a) L6 F4 k
    3 u/ f. ?: a+ K) i. Z. Z$ x% j
    該演示激光器具有高輸出功率、寬可調(diào)范圍、超窄線寬和優(yōu)異的被動穩(wěn)定性,為完全集成的光電子系統(tǒng)開辟了新的機遇。隨著研究人員繼續(xù)完善和擴展這項技術(shù),可以期待看到更令人印象深刻的性能特征和新穎的應用。* |- F9 r+ ?0 c  o! s7 t9 x/ _

    : {. R' \/ s- \) M; H& Z, K( ^本文概述了創(chuàng)新激光器設(shè)計的關(guān)鍵概念、組件和性能特征。通過利用薄膜鈮酸鋰的獨特特性和光子線鍵合的靈活性,研究人員創(chuàng)造了一個強大的工具,無有助于推動集成光電子系統(tǒng)在廣泛應用領(lǐng)域的發(fā)展。
    ' m# N9 r( }; g" ^. t8 j
    6 M  K9 V$ a! t/ v0 T9 ]8 O8 d參考文獻( J/ K9 u$ A. S+ V* Y  r2 w% n+ J
    [1]C. A. A. Franken et al., "High-power and narrow-linewidth laser on thin-film lithium niobate enabled by photonic wire bonding," arXiv:2407.00269v2 [physics.optics], Jul. 5, 2024.
    0 y( V# X3 C5 v  S" E9 p5 d7 b! ]# V$ Q7 T: ?

      l$ C4 h* }5 x
    : C5 n8 d' a$ R6 o0 ~- END -- @' M& {) a2 l. o! r. i7 b' K% O

    8 o$ d$ z$ }3 l9 U軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請體驗免費版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應用,PIC Studio都可提升您的工作效能。8 D1 U% M# r' e' Z0 [
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    歡迎轉(zhuǎn)載4 C. Q+ [+ _$ c( b8 C& }
    . u% @% t0 g) f5 V5 y+ _: g' g, n0 ]% l
    轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!6 d1 F  q5 S6 o& `; H
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    關(guān)注我們: P: B1 M2 l4 Z5 O4 U' O2 q  l; a& V

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    0 Q' d. }+ g1 I) Z1 Z* r4 ~2 P深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務。: P7 b+ Z2 N( ]0 I% u; x. N

    ; y. n- r  F# M/ t1 j6 w7 O1 l8 s  Ohttp://www.latitudeda.com/
    ) T% p* H, ?) P0 _3 A$ a2 h  }(點擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容)
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