2片SDRAM的OCB布局作業(yè)---馮凱

FKAI

SDRAM模塊布局時(shí)采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)布局模式，盡量靠近BGA擺放，當(dāng)兩個(gè)器件中間無(wú)排阻是，擺放間距在600-800mil，有排阻時(shí)間距在800-1000mil，濾波電容靠近IC管腳擺放，走線(xiàn)阻抗控制在50om，數(shù)據(jù)線(xiàn)每9根盡量走在同一層D0-D7,LDQM;D8-D15,HDQM。信號(hào)線(xiàn)之間滿(mǎn)足3W規(guī)則，數(shù)據(jù)線(xiàn)和時(shí)鐘線(xiàn)、地址線(xiàn)之間滿(mǎn)足20mil以上，空間足夠情況下，用地線(xiàn)隔離開(kāi)，加過(guò)地孔。高低8位數(shù)據(jù)線(xiàn)保持等長(zhǎng)，誤差在100mil，控制線(xiàn)，時(shí)鐘線(xiàn)和地址線(xiàn)誤差在200mil，如果原理圖有特殊標(biāo)注，走線(xiàn)應(yīng)滿(mǎn)足要求。走線(xiàn)后在走線(xiàn)中間空余處打上過(guò)地孔減少干擾。