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pMaxwell RCWA 0.6版新增可視化功能和折射率監(jiān)視器

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發(fā)表于 2024-9-11 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
引言. d0 E8 a, P- e. e* @0 I* e
pMaxwell RCWA 在其最新的0.6版本中引入了令人興奮的新功能,包括強(qiáng)大的可視化工具和折射率監(jiān)視器。這次更新大大提升了軟件顯示和分析仿真數(shù)據(jù)的能力。本文介紹這些新特性,包括一維和二維繪圖功能,以及獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的方法。
9 v6 c5 \7 `! Z; }( S5 m9 h, {. j
* F3 L; k+ C' `pMaxwell是PIC Studio光電設(shè)計與仿真方案的重要組成部分,在整個流程圖中位于右下角的元件部分。突顯了pMaxwell RCWA在光電子集成芯片設(shè)計和仿真過程中的關(guān)鍵角色。
8 q0 w- `+ M+ l) H' Z: B
; H# x# J( F: I) r. s; S
8 u( d- r2 Q* m. [
# }: Q- ^" q* \; I+ f& t1 Q0.6版本更新亮點:
# O4 Y5 g' O9 |1 E4 W* E1. 新增可視化功能:包括1D和2D數(shù)據(jù)的繪圖能力
& ^$ N2 s: b( _8 q& ?$ \2. 折射率監(jiān)視器:允許用戶獲取指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率
5 ~- `! q) u9 d3. 增強(qiáng)的數(shù)據(jù)分析能力:使用戶能更深入地理解復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)1 M7 ]1 {  N2 D9 P! X

/ m+ o8 s) s! e5 w; }3 w這些新功能不僅提高了pMaxwell RCWA的實用性,還為用戶提供了更直觀、更全面的數(shù)據(jù)分析工具。接下來,我們將探討這些新功能的使用方法和應(yīng)用實例。
% x' Y$ T8 g/ I- E
. j# k- r& C3 j) f可視化功能
6 i  P. v/ v. H) L$ n一維繪圖 plot_1D 函數(shù)是0.6版本中新增的功能,允許用戶輕松可視化一維數(shù)據(jù)。其語法如下:* y3 P# |' ~( b5 u4 @- l: I8 G
' D2 y9 ]6 L1 d7 |8 m( k
plot_1D(x, y, data_type, **kwargs)* P! k' M) J* [: m3 H
參數(shù):
1 Z- s4 x; o. I6 D2 e% o2 Z  b( ?
  • x:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)
  • y:需要可視化的數(shù)據(jù)(列表、元組或一維數(shù)組)
  • data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")
  • **kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)2 {! M+ o. J) {# l1 t0 B+ H, H+ I
    ! b) |: {  g. T+ z

    7 ?  b  q( [6 H5 h7 V" u' A$ d$ q , ]) f( g# b' f# u$ w7 H9 p
    圖1展示了0.6版本中新增的plot_1D()函數(shù),用于可視化菲涅爾方程數(shù)據(jù)的例子,顯示了導(dǎo)入必要模塊和設(shè)置繪圖的代碼片段。
    ' L! l3 t5 G, D" ^  B* W8 c* ?$ X$ ]/ ?/ X% I8 U& ]* _
    二維繪圖 plot_2D 函數(shù)能夠可視化二維數(shù)據(jù):
    8 t# g# o, I  ~6 A3 i  A- N+ _- A+ X; G
    plot_2D(x, y, data, data_type, **kwargs)
    ; c# q$ V; [9 y' {; Y$ E9 y參數(shù):3 W2 J+ U2 ]0 t7 O% w8 K
  • x:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)
  • y:y軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)
  • data:需要可視化的二維數(shù)組數(shù)據(jù)
  • data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")
  • **kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)
    $ {( ]: X4 w1 {" N5 H, k

    7 m, w$ E0 k& [! s2 i% r. O
    2 T+ _- v  T; F0 i$ ^3 F   F# x7 I) f, Z! G, E- J8 a
    圖2展示了使用plot_2D()可視化超透鏡單元結(jié)構(gòu)xz平面電磁場Ex分量實部的例子。! F! H$ s) B0 f  P# E: @
    折射率監(jiān)視器
    , j. A& X, k) e  D8 {8 i+ G( i: upMaxwell RCWA 現(xiàn)在包含了獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的函數(shù):
    8 f+ d! ~8 s6 W  s4 A0 Y1. GetEpsMu_xy(mesh, layer_number)4 c& P, g- U8 y9 ?7 W1 @
    2. GetEpsMu_xz(mesh, z_info, y_position)
    ! r% H* g; N% K& w4 X- s3. GetEpsMu_yz(mesh, z_info, x_position)
    ( z% i  |5 t7 M0 y0 X$ n' ]. A7 _& t8 ~( q9 g' {" b$ T  S3 `( b; {
    參數(shù):# M0 i, N- C/ c( a, R9 d
    mesh:仿真網(wǎng)格對象
      \" l9 ~' s) c5 @; t$ |9 N) y$ N; Zlayer_number:層標(biāo)記(-1表示入射層,0到N表示結(jié)構(gòu)層,N表示出射層)/ v7 Q' R+ T* D' Q! h8 K* {
    z_info:z軸范圍和分辨率(start, stop, grid_number)9 h/ z* a0 S8 [, j
    x_position:yz平面的x軸位置
    1 z: v$ ]+ W) N  W" V8 py_position:xz平面的y軸位置
    * f9 U1 b& t4 a- D+ C
    / X! F; \/ J% g
    ' e* L) q- C2 b, x* ?

    , ~7 }. V+ l( b. j9 h+ M  `% J; O圖3提供了使用GetEpsMu函數(shù)獲取xy、xz和yz平面介電常數(shù)的代碼片段示例。' I1 O6 ^9 E  }1 [

    2 z1 I; k( p- a/ F9 N0 u
    , `* L* w: l& Z圖4顯示了一維矩形光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部。
    4 b: t% ]$ D2 x( L# U$ f+ \6 N" D6 m  |9 p& S
    結(jié)構(gòu)參數(shù):
    & J1 Y3 {2 Z7 l: R9 y9 U; v周期:300 nm
    + z, t& p) L1 d! V  P寬度:200 nm
    ! R- u, c3 A, e高度:300 nm# D6 o: H4 M1 C
    硅折射率:4.22706 + 0.0599998j6 {4 t% ?% [, E' {( M6 n
    二氧化硅折射率:1.4616(入射層)
    9 r0 k1 n6 M5 H! B; f* d3 ~
    : y0 |7 O. I: [1 r4 c
    % q2 O, r5 H7 y; m
    圖5顯示了一維傾斜光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部,其中坐標(biāo)原點已調(diào)整以提供更好的可視化效果。
    # G2 x, m* u& U
    6 L# n1 ~, s  F" k/ {結(jié)構(gòu)參數(shù):) U0 m7 @. ?/ M) g8 H$ W
  • 周期:393 nm
  • 填充系數(shù):0.5
  • 寬度:196.5 nm
  • 高度:300 nm
  • 傾斜角:60°
  • 空氣折射率:1.0
  • 光柵折射率:1.8
  • 分層數(shù):30# [2 e. ?% e6 ~4 u9 `. q! K

      c+ O, f7 Q0 t7 x; k1 S2 h% N  \9 j1 T7 @) @: C$ C, y
    - e" |: V3 ~' d* }: g4 M/ x
    圖6顯示了二維金屬超表面結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部。
    " l% `6 k  t1 L% x, x' n+ r
    2 ]- A, F$ q& O3 m結(jié)構(gòu)參數(shù):; ?8 l) m0 o8 ?; c, F, `: D
  • 周期:0.4 μm
  • 高度h1:0.5 μm
  • 高度h2:0.04 μm
  • 長度L:0.2 μm
  • 寬度w:0.05 μm
  • 柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)
  • 基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)
  • 入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)
  • 出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)5 j; y, y/ Q6 E7 Q3 C

    8 D% o8 w* M5 S
    5 E4 L0 }+ F5 p圖7顯示了不規(guī)則結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部,其中xz平面可視化經(jīng)過縮放以強(qiáng)調(diào)結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。
    ) `0 P5 M( o4 [. {3 I9 p
    ! H, T0 [. P9 L7 F; b結(jié)構(gòu)參數(shù):( i" H0 ?/ k' u/ P) I
  • 周期:0.35 μm
  • 高度:1.3 μm
  • 柱介電常數(shù):4.1616
  • 基底介電常數(shù):2.12074
  • 入射介質(zhì)介電常數(shù):2.12074
  • 出射介質(zhì)介電常數(shù):1.0
    - {: }: d. E& b$ g* g
    ! r; H1 S' P* m" F) T/ ~" G' J: m
    3 Z' F$ y: @) O' L4 s1 ]# R$ B9 k

    & b! Z. O5 p# t% v; C* j圖8顯示了由長方體和圓柱組成的雙層結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實部。+ X/ r( a/ G3 ]+ `; F
    3 U5 l( T# I$ J, S0 V
    結(jié)構(gòu)參數(shù):: z8 ^$ n5 J1 I9 a  ~+ C- a3 i" t6 ]
  • 周期:0.4 μm
  • 高度h1:0.5 μm
  • 高度h2:0.04 μm
  • 長度L:0.2 μm
  • 寬度w:0.05 μm
  • 柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)
  • 基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)
  • 入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)
  • 出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)
    * L- _/ d4 f8 U% }2 z8 z1 m
    結(jié)論
    2 h9 a; V+ e' X+ }5 b" ]/ Y# LpMaxwell RCWA 的新增可視化功能和折射率監(jiān)視器為分析和可視化復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)提供了強(qiáng)大的工具。通過利用這些特性,研究人員和工程師可以對仿真結(jié)果有更深入的理解,從而更有效地設(shè)計和優(yōu)化光學(xué)器件。輕松可視化一維和二維數(shù)據(jù)的能力,以及檢查不同平面上介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的功能,提升了pMaxwell RCWA軟件的整體功能和用戶體驗。這些新功能將幫助用戶更好地理解和分析復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng),為光電子技術(shù)、硅基光電子和光電共封裝等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。
    , V7 K: {* G, ~# D" U! ^; I9 T+ j7 U6 v9 \
    - END -
    ! s' i* W$ G! e7 w8 l9 d5 c
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    2 I) N3 h: d' ?7 W  I! n% N! n點擊左下角"閱讀原文"馬上申請
      n$ n! n7 j& j: u7 p  x8 m0 B6 h( e5 H2 s
    歡迎轉(zhuǎn)載" e- z- h" i% N' u6 k
    " {9 g% y. h# W  Y
    轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!
    1 w5 A6 }1 Q; V! l9 `7 ~7 D( S% k& S, b3 H& u7 {; E% A/ `3 W

    # h* n/ ]0 y1 p& N& v
    $ c/ s) }$ R( j6 f, P4 J8 m

    , Z5 V0 v4 v# a+ C) O7 S  |, A6 b+ X7 C: t( ~( W- s( B' O2 }
    關(guān)注我們" X. s7 I4 J9 P6 U
    $ G2 }8 `  `4 X7 ~8 V# ^5 T

    ! Q1 X9 P" s/ L3 { % ]: N% J" u- x3 ~

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    . U: d! A+ O1 I2 R+ T% N1 C

    ) c( r: w! p' f/ a* j1 B- Z 9 `8 g9 P6 [6 D2 m3 w8 D
                          1 O) ~- A3 U% |) {1 G) b

      s% N) w  B9 X- K- h
    & L  R7 C: A% z  Y

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    深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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