|
引言
( [/ ]" l& D' W. IpMaxwell RCWA 在其最新的0.6版本中引入了令人興奮的新功能,包括強(qiáng)大的可視化工具和折射率監(jiān)視器。這次更新大大提升了軟件顯示和分析仿真數(shù)據(jù)的能力。本文介紹這些新特性,包括一維和二維繪圖功能,以及獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的方法。3 S" P* x' \% \
1 `, a: A+ t1 s# e& Z' ~
pMaxwell是PIC Studio光電設(shè)計(jì)與仿真方案的重要組成部分,在整個(gè)流程圖中位于右下角的元件部分。突顯了pMaxwell RCWA在光電子集成芯片設(shè)計(jì)和仿真過(guò)程中的關(guān)鍵角色。 C; I/ t2 a/ J+ z
o7 L) }: d2 K) M: F+ X0 G3 _
ewzw4t3p0gr64010892536.png (242.58 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
ewzw4t3p0gr64010892536.png
2024-9-17 13:34 上傳
! A5 }& ^; O5 N& k4 S
G" }) L0 Q& S# x, i$ }
0.6版本更新亮點(diǎn):" t' g2 Y2 | K) Z1 v
1. 新增可視化功能:包括1D和2D數(shù)據(jù)的繪圖能力
1 @3 `1 Q+ B' Y0 ^2. 折射率監(jiān)視器:允許用戶獲取指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率4 S4 ?: A* F0 I m- I
3. 增強(qiáng)的數(shù)據(jù)分析能力:使用戶能更深入地理解復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu) C& h4 U) e; E
2 s2 k3 S0 o& D/ X1 B
這些新功能不僅提高了pMaxwell RCWA的實(shí)用性,還為用戶提供了更直觀、更全面的數(shù)據(jù)分析工具。接下來(lái),我們將探討這些新功能的使用方法和應(yīng)用實(shí)例。
/ p0 C( B7 [* _& Q3 Z% p* s
. ?9 ^# S' R3 [7 i! b s( d可視化功能. F6 _9 t0 c0 e: G
一維繪圖 plot_1D 函數(shù)是0.6版本中新增的功能,允許用戶輕松可視化一維數(shù)據(jù)。其語(yǔ)法如下:* F4 o3 B; l7 s
( [( B/ F: D) G9 \7 e6 pplot_1D(x, y, data_type, **kwargs)
3 k' Q v) B7 K0 ~參數(shù):/ ^& `6 H* z3 F- X, q0 K' l
x:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)y:需要可視化的數(shù)據(jù)(列表、元組或一維數(shù)組)data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")**kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)
3 z: |' `" f0 m6 a
1 L- n3 u' N' D3 [$ J' {" R1 P: x
& h! W) v5 w2 Q: ]- V
wa4vw13mhim64010892636.png (188.93 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
wa4vw13mhim64010892636.png
2024-9-17 13:34 上傳
7 k D1 J5 v! {4 N6 t
圖1展示了0.6版本中新增的plot_1D()函數(shù),用于可視化菲涅爾方程數(shù)據(jù)的例子,顯示了導(dǎo)入必要模塊和設(shè)置繪圖的代碼片段。
6 V) ~! q! \" {0 A( \
; y0 u- x9 H' F; @/ b, ^5 T% P1 ?; t二維繪圖 plot_2D 函數(shù)能夠可視化二維數(shù)據(jù):! P. r. v2 H( t" n
2 p9 v9 j T- m) qplot_2D(x, y, data, data_type, **kwargs)- @* |5 x; I9 \9 ~' `
參數(shù):
, i- n/ z; I- o/ M* o/ F Ex:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)y:y軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)data:需要可視化的二維數(shù)組數(shù)據(jù)data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")**kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)
V1 L s( v7 U* U* v# i; {: N% D# q6 f
# Q* m7 a* x+ N2 z
s5or3vwnmgy64010892736.png (214.86 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
s5or3vwnmgy64010892736.png
2024-9-17 13:34 上傳
$ U k6 c& E/ n+ O7 l& v# k圖2展示了使用plot_2D()可視化超透鏡單元結(jié)構(gòu)xz平面電磁場(chǎng)Ex分量實(shí)部的例子。
0 b5 b' g( X" ?- V折射率監(jiān)視器6 U4 F( h9 s% |- q! M" i# {
pMaxwell RCWA 現(xiàn)在包含了獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的函數(shù):! V- K# ^. @; l6 ]
1. GetEpsMu_xy(mesh, layer_number)
7 ^) L) Z) j5 h2. GetEpsMu_xz(mesh, z_info, y_position)
; u& p- z5 F1 P! ~ P3. GetEpsMu_yz(mesh, z_info, x_position)
5 v8 L1 Y3 A3 U1 x/ ?, ?, p8 y n) F. r3 W I
參數(shù):* \ [% N$ h1 h7 s
mesh:仿真網(wǎng)格對(duì)象 F1 s8 r F! `6 W1 ^( K
layer_number:層標(biāo)記(-1表示入射層,0到N表示結(jié)構(gòu)層,N表示出射層)
! B* R% A3 e5 H7 v rz_info:z軸范圍和分辨率(start, stop, grid_number)7 @1 O% j# m" M" `' q
x_position:yz平面的x軸位置, u& e: l9 t4 ?8 q
y_position:xz平面的y軸位置( D; \7 y/ f: a* z; z* j4 U6 j
q& D! m' y2 _3 Y2 f7 G9 W2 Q
2 H" B4 o. {4 }7 [
krfqp4keobw64010892837.png (188.33 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
krfqp4keobw64010892837.png
2024-9-17 13:34 上傳
' I) }5 A9 Z& \: N圖3提供了使用GetEpsMu函數(shù)獲取xy、xz和yz平面介電常數(shù)的代碼片段示例。" f9 V$ s" I7 Y# Y: E
0 l- C9 G+ s- F5 y$ ~" X4 I9 P
wya5vn0l52h64010892937.png (129.11 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
wya5vn0l52h64010892937.png
2024-9-17 13:34 上傳
% q7 T) a/ X- b. R; m/ S; i
圖4顯示了一維矩形光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。+ Z# k& V- W" W6 q9 @
, [+ J. w! Y6 J/ \. G( N( I結(jié)構(gòu)參數(shù):4 u+ `9 }6 [* o2 ~8 p+ ?* \
周期:300 nm& ?5 V6 e, d( I/ h
寬度:200 nm$ ?) L1 T) w8 ?* x
高度:300 nm& z5 N o3 V( q% z, R
硅折射率:4.22706 + 0.0599998j" ?* K# H8 G" X3 o6 ~: P/ X
二氧化硅折射率:1.4616(入射層)5 |* z% N+ i7 l
( D6 k+ o! k* g
rzkke40ha3n64010893037.png (206.55 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
rzkke40ha3n64010893037.png
2024-9-17 13:34 上傳
& M# V$ \4 U T4 G) o7 {
圖5顯示了一維傾斜光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部,其中坐標(biāo)原點(diǎn)已調(diào)整以提供更好的可視化效果。, v5 V6 N, M; ~3 }3 {
5 x0 B x9 V" w* U( g結(jié)構(gòu)參數(shù):
1 Q2 r+ ?2 F3 m1 b周期:393 nm填充系數(shù):0.5寬度:196.5 nm高度:300 nm傾斜角:60°空氣折射率:1.0光柵折射率:1.8分層數(shù):30
' u! C, y' u5 Y3 U
; V7 I' Q7 {' d
2 V0 d7 \5 w/ G* G2 ]" A3 V
km40ko4vgfn64010893137.png (135.98 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
km40ko4vgfn64010893137.png
2024-9-17 13:34 上傳
/ I# ~& U+ L9 w7 x9 T8 Y7 R+ i圖6顯示了二維金屬超表面結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。
( a, O' Y1 V6 L) t" T3 k$ A( Q- y
2 x% ]4 W/ T1 p4 p結(jié)構(gòu)參數(shù):
$ h5 f$ s$ b2 b1 _. _7 t# `周期:0.4 μm高度h1:0.5 μm高度h2:0.04 μm長(zhǎng)度L:0.2 μm寬度w:0.05 μm柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)5 M, V0 s) `8 Z
\9 y, I4 O1 Y' b
ms5hmzsznkf64010893237.png (161.27 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
ms5hmzsznkf64010893237.png
2024-9-17 13:34 上傳
/ o- e" d$ J* | s
圖7顯示了不規(guī)則結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部,其中xz平面可視化經(jīng)過(guò)縮放以強(qiáng)調(diào)結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。
" l6 a* w, E7 n, ^+ s4 ^5 J2 I7 u1 A* p: I6 c$ X% r5 f! O
結(jié)構(gòu)參數(shù):
- _3 B, j% T' Q周期:0.35 μm高度:1.3 μm柱介電常數(shù):4.1616基底介電常數(shù):2.12074入射介質(zhì)介電常數(shù):2.12074出射介質(zhì)介電常數(shù):1.0
, Z b# |. n$ F- c) c5 L E! u/ M5 t Y7 n* W
' V" M- D, G# o& _: U
okwmdotfrrr64010893337.png (140.65 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
okwmdotfrrr64010893337.png
2024-9-17 13:34 上傳
) @% [, _2 p3 s# P' o C! Z# b圖8顯示了由長(zhǎng)方體和圓柱組成的雙層結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。
" D1 x8 |& N0 {* B: q, S2 D6 @5 p( V4 _8 n
結(jié)構(gòu)參數(shù):
/ o- ^/ N, L) L' f3 h1 V$ p( ? \周期:0.4 μm高度h1:0.5 μm高度h2:0.04 μm長(zhǎng)度L:0.2 μm寬度w:0.05 μm柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)
5 s( ^& h" k0 |( K結(jié)論
' I4 J. v' o) m5 d1 H |& DpMaxwell RCWA 的新增可視化功能和折射率監(jiān)視器為分析和可視化復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)提供了強(qiáng)大的工具。通過(guò)利用這些特性,研究人員和工程師可以對(duì)仿真結(jié)果有更深入的理解,從而更有效地設(shè)計(jì)和優(yōu)化光學(xué)器件。輕松可視化一維和二維數(shù)據(jù)的能力,以及檢查不同平面上介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的功能,提升了pMaxwell RCWA軟件的整體功能和用戶體驗(yàn)。這些新功能將幫助用戶更好地理解和分析復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng),為光電子技術(shù)、硅基光電子和光電共封裝等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。6 e9 w, _" x S$ ^; n6 `' [
- G4 h; \$ {6 U" q Y2 {- z# X2 @
- END -" v1 g; t: _4 n! R8 d3 [
- E @$ l" ~3 d$ o# [軟件申請(qǐng)我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請(qǐng)?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無(wú)論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
8 F" j( D: p7 o9 F+ J/ T8 W點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請(qǐng)
" Y i+ F3 S R8 c- [ C+ _ Z' q0 P2 n. b# B( E( h/ _
歡迎轉(zhuǎn)載
3 s6 ~ L1 k$ g! a9 G( V( F5 Z% S! J* ]3 n: {8 S. W1 r" Q& m
轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!2 x- D) j5 }) z7 c
M" X) T7 X. S' y, C: Z) n0 q) i( F/ E6 K6 r, h* A {" X* F
5 e; F [2 q. X" i! x/ [# ?+ t
xoohuyztod364010893437.gif (16.04 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
xoohuyztod364010893437.gif
2024-9-17 13:34 上傳
. r& k4 Q. x* \, l& O( o8 z: b/ A$ N* J+ C5 C* H3 c( I; |2 m
關(guān)注我們: G% a9 M f! x
# ?4 n' V( O9 T( ?2 D( \+ U
# p! P c8 X: ]3 d `* \. H- a
qdsfqafda1c64010893537.png (31.33 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
qdsfqafda1c64010893537.png
2024-9-17 13:34 上傳
+ J" E" A9 |! o4 q2 Q8 Y. s |
; @$ a4 ^* k$ a( q1 C
2mr0umhgoey64010893638.png (82.79 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
2mr0umhgoey64010893638.png
2024-9-17 13:34 上傳
4 _# |/ I8 }: C$ V; e/ S
|
3 d; h* c6 y4 e" o+ b/ l& l! X0 d
cz3sr2iv1lu64010893738.png (21.52 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊(cè)
cz3sr2iv1lu64010893738.png
2024-9-17 13:34 上傳
7 A7 K8 V' q1 S0 g0 H8 h& V% T | + A C2 o* \# h' _1 Q2 k
9 Z7 G. D7 L( n6 N$ n9 {! i( k3 K! r6 Y$ G# E0 `( W
M1 c. G0 Y# d& V5 m* P關(guān)于我們:
8 J( @# N, ? d8 _' U深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國(guó)內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。$ Q4 ?' d/ N, C$ Z1 ~
p" j; B$ i9 j" R) ihttp://www.latitudeda.com/" |5 J" E T* `" N7 K) ~
(點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容) |
|