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這個(gè)電路該怎么設(shè)計(jì)?點(diǎn)評(píng)幾位兄弟的電路圖,第四個(gè)有點(diǎn)意思

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發(fā)表于 2024-9-11 07:37:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |正序?yàn)g覽 |閱讀模式

' X, n2 S/ W. h點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多
% M' R- T) {& k9 _) h# V' c9 s8 a1 @
& v: X$ R$ d8 [" `, \0 [0 O
大家好,我是王工。
0 b# Y' \: \" b$ v- x在講電路之前,我想先說幾句。
/ o  u; w% P* V  u2 k1、首先感謝大家的評(píng)論,朋友圈差不多40來個(gè)兄弟在評(píng)論區(qū)給出意見,有幾個(gè)群里也在討論,還有幾個(gè)兄弟把圖發(fā)給我,一起琢磨。不管有沒有實(shí)現(xiàn)功能,這種自我思考的過程是挺有意思的。/ b. V- u: K$ a) Z, }
2、做硬件電路,真的是要靠積累,沒有成千上萬個(gè)細(xì)節(jié)是做不好硬件的,所以都說硬件靠經(jīng)驗(yàn),不是沒有道理的。* B- \0 H% Q% e3 h' ^
3、本文的總結(jié)是好幾個(gè)兄弟提出來的,希望能夠收集大家的意見,看看別人是怎么想的,也希望能從中學(xué)到一點(diǎn)東西,一起學(xué)習(xí),共同進(jìn)步。: [5 W+ ?8 K2 T5 }
以下進(jìn)入正題# u9 }3 h) D1 W8 Y# e. t
需求回顧:客戶在使用產(chǎn)品時(shí),需要考慮DC12V和DC5V兩種電壓,可同時(shí)使用,也可單獨(dú)使用。那么可能出現(xiàn)三種情況:# i2 T1 J% m( C
  k# C7 J& [7 X

$ M6 C8 k, G& a& k% Z% x# J! E1、只有DC12V輸入時(shí),電路正常工作;2 }# T: s" b! O! ~4 j
2、只有DC5V輸入時(shí),電路正常工作;
# f( o( y3 `6 h' P2 X" ]9 ?% r3、當(dāng)同時(shí)輸入DC12V和DC5V時(shí),電路正常工作,且5V電壓不能影響12V電壓源,12V電壓也不能影響5V電壓源。
2 B$ r* C  _1 Z! o4 g( E
. G. L+ X& N1 L) t; `; K& A8 ~1 N! Z
很多兄弟就會(huì)想:這個(gè)簡(jiǎn)單,其實(shí)就是防反接,不是二極管就是MOS管,像上圖那樣最簡(jiǎn)單。因?yàn)榭蛻粜枨箅娏鞅容^大(max=8A),所以最好不要串二極管,不然二極管的功耗會(huì)很大,也可以選一個(gè)功率大些的二極管,但體積肯定很大,受限于功耗和板框大小,所以二極管不考慮。! F- Q2 F' v9 v3 L/ ]
總之,要設(shè)計(jì)一個(gè)最簡(jiǎn)單的電路,但是要實(shí)現(xiàn)功能,用的元件最少,最可靠,這樣的產(chǎn)品才有競(jìng)爭(zhēng)力。
3 m8 Q( U* E  S1 |" ]4 l' S1 s, S% M. i6 h6 z5 L) u- b' ^
* V! q0 D; @. l5 x* y' t/ I8 v
電路點(diǎn)評(píng):
8 x- O) A* k$ b* x; T5 z電路1
0 r0 h5 t1 d8 y
4 ]% N% U. O- h, i3 e這位兄弟應(yīng)該是想通過控制三極管的通斷,進(jìn)而控制PMOS的通斷。圖中三極管畫錯(cuò)了,NPN畫成了PNP,且發(fā)射極應(yīng)該連接在GND。2 Y; ^, V% L) n; P$ k0 o
當(dāng)DC12V輸入時(shí),NPN三極管導(dǎo)通,引起PMOS導(dǎo)通,12V輸出。因?yàn)镈C12V輸入,所以5V串聯(lián)的PMOS不通,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無電壓流入。7 S+ B/ A  d$ W8 o5 P& |4 ?- N: p
當(dāng)5V輸入時(shí),通過PMOS體二極管輸出,PMOS本身是無法導(dǎo)通的,所以全部電流流過體二極管,要知道體二極管流過的電流是有限的,這個(gè)是有點(diǎn)問題的。% v0 C4 v. w- ?* k; V2 b5 J6 z3 Q
當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓串聯(lián)的PMOS也是無法開通的。; N' ~4 K9 R  n: S+ x
總之,電路看起來簡(jiǎn)單,但是沒有達(dá)到想要的效果。8 }# K7 Z2 U" O3 [3 L7 I0 v9 P) h
電路2
& H8 R$ x1 J6 j+ V8 [, S . r7 c1 P6 B- Q7 ?* v: H% L7 d

. p2 Z' p: e! E0 I6 M2 k" ^當(dāng)DC12V輸入時(shí),順著二極管直接就輸出。且12V連接到PMOS柵極,柵極被拉高,PMOS關(guān)斷,體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無電壓流入。
- w* ]9 v# X! ^) ~; {; `6 U( I" `6 C當(dāng)DC5V輸入時(shí),PMOS開通,5V電壓輸出,由于D1的存在不會(huì)倒灌進(jìn)去DC12V接口。7 R+ P: G" G& y# Y. ]/ i/ t9 f0 w
當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓關(guān)斷,PMOS的體二極管擋住12V過不來。
8 {8 ^, D" w5 k圖中二極管D3,我覺得是多余的,而且會(huì)將PMOS的GS電壓鉗位在0.7V,導(dǎo)致管子無法開通。
0 z% E, B# D8 `. T& S
! @  q& c% v6 x4 Q6 K8 z電路3% x0 g3 u9 g) J6 c' N" t$ y) [
! U6 l" X: A& n& }

! V5 e5 D6 S; S5 C* R乍一看,這個(gè)電路感覺有點(diǎn)復(fù)雜,用了5個(gè)MOS管。三種情況供電,兩組電壓各自回路上的PMOS都會(huì)自動(dòng)打開,因?yàn)闁艠O直接到地,都會(huì)形成倒灌,所以這個(gè)功能沒有實(shí)現(xiàn)。- a- p" H6 j$ e% M- L% I
3 D: p& W' H+ t/ H( s9 ^: g
電路4
4 o$ ?4 F% S1 `* p ; N/ q, a- C. O/ U, b
這個(gè)兄弟設(shè)計(jì)的電路挺好玩的,巧妙的用了一個(gè)6V的穩(wěn)壓二極管,這個(gè)二極管的作用很大,給人一種不一樣的感覺,很有意思。- z( o5 F/ B" }5 W
當(dāng)DC12V和5V同時(shí)輸入時(shí),穩(wěn)壓二極管D9導(dǎo)通,三極管Q4基極就有了電壓(>0.7V),Q4導(dǎo)通,這時(shí)三極管Q3的基極電壓就會(huì)拉低,Q3截止,進(jìn)而Q1,Q2截止,5V斷開,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V的倒灌。. \. o" V& D- r" i) l2 y
簡(jiǎn)單說,就是兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),會(huì)斷開5V,自動(dòng)選擇高端電壓DC12V供電。, I# c) _& S% B
但是該電路有一個(gè)弊端和一個(gè)不確定性。) I( y4 K4 R7 g$ B3 [
弊端:只有5V供電時(shí),12V接口也會(huì)有5V電壓。
6 y3 _( [( K* u& i" H6 ^8 x/ \6 ?不確定性:當(dāng)先插上5V后,再插入12V時(shí),12V可能會(huì)直接倒灌入5V電壓。怎么講?12V上電后,路徑12V→D9→Q4,這個(gè)回路會(huì)把5V拉低從而使兩個(gè)MOS截止。如果在截止前12V過來,就會(huì)直接倒灌入5V電壓源。
5 X4 Y- `  U7 R- W5 J/ {" {1 B: R! n6 b9 s3 L0 ^' d, G* E
電路5
8 @5 R; m- |0 \- Z2 o# _ & A$ u9 m1 z# g$ J5 I
這位兄弟設(shè)計(jì)的電路,按理說應(yīng)該可以達(dá)到要求,電路簡(jiǎn)單。3 R1 b- E; z* C7 g9 l3 Q
+ x  p9 N5 B! K1 S6 o3 P) H
電路6以下這個(gè)圖就是我設(shè)計(jì)的,跟上面兄弟的電路差不多。經(jīng)過上面的分析后,相信大家應(yīng)該也明白怎么回事了,大家嘗試自己分析一下。主要思路就是想達(dá)到一個(gè)自鎖的功能,即:當(dāng)兩路電源同時(shí)供電時(shí),關(guān)掉其中一路電源,且MOS內(nèi)部的寄生二極管阻斷另一路電源過來(圖中阻值可忽略,可調(diào))。我跟一個(gè)朋友討論過這個(gè)電路,應(yīng)該沒有什么問題,但是不確認(rèn)實(shí)際使用時(shí)會(huì)不會(huì)出現(xiàn)沒有考慮到的地方,如果有疑問,歡迎一起討論。
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7 l; U4 O/ q/ M' G$ _! m& A  U3 T; h+ Y) \% l
電路7
3 Q  x% u/ C0 p4 i
7 h( N( y+ P7 D% I這位兄弟的電路據(jù)說已經(jīng)量產(chǎn)了千萬次以上,完全沒問題,稍加修改,幾乎跟我的電路一樣。
9 s' M  N5 |5 a$ |+ q! x9 J& J3 F: B  r+ `+ i
電路8' s* M9 s" n7 t$ Y" L& X  m. @
+ g2 K9 y1 P! \  w2 i1 d
這是我那天在地鐵上,無意想到的另一個(gè)電路,思路跟上一個(gè)電路差不多,大家可自行分析,如果有疑問,歡迎一起討論。
& V- q7 q3 x3 ]$ ~
; D" e* T6 q3 n電路9還有位兄弟推薦了一款芯片LM74610-Q1,這個(gè)芯片主要就是用來驅(qū)動(dòng)外部MOS管,串聯(lián)電源時(shí)可模擬理想二極管,也就是說串聯(lián)回路基本可以看成零壓降,這一點(diǎn)特別友好。
9 N6 z! ], \5 M! r7 S$ H
- ?! n3 _$ W2 j- K1 p" z! I# e! e/ P
如果大家要用的話,具體的大家去看一下手冊(cè),里面的原理,參數(shù),包括參考電路,layout都有講。這里主要提一點(diǎn):外部MOS選型的時(shí)候,體二極管壓降最小電壓為0.48V。為什么會(huì)有這個(gè)要求呢?那是因?yàn)殡妷簭?V到0.45V上升的這期間,會(huì)給電容Vcap充電,然后這個(gè)芯片才會(huì)正常工作,從而驅(qū)動(dòng)NMOS打開。如果外部體二極管壓降太小,芯片可能就無法正常工作。+ A- x6 @) G) P; x5 c% O" V+ U

3 K# o" [) T0 {! P: l2 X% N0 B+ u+ k: k$ E4 d, a) H
這個(gè)芯片雖好,但有兩個(gè)弊端:- g' u2 T3 |6 H( ~6 t
1、價(jià)格太高,對(duì)于成本有要求的,可能不太適用。7 U$ G  c3 X; i5 B& {; |3 o7 [1 w

/ U  _& c1 S+ K, H$ o; i5 @, Y; p, W0 b7 e$ {8 L
2、應(yīng)用場(chǎng)景比較狹窄,只用在這種特殊場(chǎng)合。如果你用的項(xiàng)目不多,且量不大,基本上沒什么優(yōu)勢(shì)。: T, x2 Q6 r* g' W- r& `' Q

6 K& Q# J1 {& }以上都只是對(duì)電路進(jìn)行一個(gè)粗略的分析,也可能有我沒有考慮到的地方,實(shí)際使用還有待驗(yàn)證,請(qǐng)勿直接使用,畢竟沒有量產(chǎn)過,硬件出錯(cuò)成本可是很高,本文旨在拋磚引玉。
/ w; b3 w! ^" m# l2 }$ p" u0 h# H% E如果你對(duì)以上電路有疑問,或還有更好的想法,請(qǐng)留言評(píng)論或加我微信私聊,謝謝!
3 I+ K+ O* W# e9 b  {
' Q$ L  B9 }: ]5 l
  ]! P3 C0 L8 L1 o5 M% g& S  D5 c聲明:. F* r3 n. b8 l/ y- b
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