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網(wǎng)傳華為校招通用硬件題,挺難的

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發(fā)表于 2024-9-22 11:40:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |正序?yàn)g覽 |閱讀模式

$ J- }3 d: w$ u! D/ \點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多
) M  P0 z( R" ^
4 R5 ^9 }! K7 r( ~# M8 R; u& t2 `: }' L; t9 ~
華為通用硬件:30道單項(xiàng)選擇,每題2分;10道不定項(xiàng)選擇,每題4分,少選不得分;總分100,60及格。5 S/ F0 j1 m; z  Q" m4 v3 K
考核內(nèi)容:數(shù)電 模電 電力電子 微機(jī)原理 計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò) 磁技術(shù) 材料 通信原理等% X! F/ L  S% V4 n
考核難度:個(gè)人覺(jué)得對(duì)于一個(gè)本科生還是比較難的,很多東西學(xué)校里接觸不到- D9 M0 r7 G7 \
0 t, y3 ^! e3 W  x3 }7 K
例題
. D. k3 e/ Y* J: f1. 三角波通過(guò)什么運(yùn)算電路可以轉(zhuǎn)換為正弦波(低通濾波器)
3 f# f8 c- E3 q; T2 G2. 下列哪個(gè)邏輯運(yùn)算式錯(cuò)誤:A+1=A A*A=A, [  o1 u8 |6 I5 }- R8 t; L
3. 在Vgs可用電壓范圍內(nèi),Vgs越大,MOSFET漏源導(dǎo)通電阻的變化是變小。
* ^& r8 d% m! O4 c$ X+ L3 Y7 K4 g4. 下面哪個(gè)電路屬于組合邏輯電路:計(jì)數(shù)器 移位寄存器 譯碼器 觸發(fā)器
# E5 T4 X/ u2 h1 M& p6 B5. 相嚙合的標(biāo)準(zhǔn)齒輪,小輪的齒根厚度與大輪的齒根厚度相比(大齒輪的齒根厚度大)% g$ M6 @# U, s7 x3 u% Y2 ~- |. P/ i
【解析】一對(duì)相嚙合的標(biāo)準(zhǔn)齒輪中,小齒輪的齒根厚度小于大齒輪的齒根厚度,而小齒輪的工作條件往往比大齒輪惡劣,故容易損壞。關(guān)注公眾號(hào):硬件筆記本
' H1 Z4 O) a( U, i6. 下列不能用帶使能端的二進(jìn)制譯碼器實(shí)現(xiàn)的有:多路數(shù)據(jù)分配器 地址譯碼器 七段數(shù)字顯示譯碼驅(qū)動(dòng) 計(jì)數(shù)器" B" b( C( [. C
7. 基于IA 64架構(gòu)的軟件可以運(yùn)行在 IA32位數(shù)的處理器上(錯(cuò))* l, G3 I* K4 d0 t8 I7 t
8. N形的半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電荷(錯(cuò))
4 s% |( ], f# u! b! U/ z2 s! D- A9. 對(duì)板料進(jìn)行多次拉伸時(shí),為了消除形變強(qiáng)化,中途應(yīng)進(jìn)行:完全退火 再結(jié)晶退火 正火
' O4 S- Z4 R" i10. Cache的寫策略一般包括 write back和write through 兩種前者減少了對(duì)內(nèi)存的訪問(wèn),所以性能更高(對(duì))
8 j8 U, t( F8 `  P( B【解析】Write back 是只是寫到Cache中,并不會(huì)馬上寫到memory中,只有當(dāng)Cache被替換掉的時(shí)候,才會(huì)進(jìn)行寫到memory中,效率高,但是結(jié)構(gòu)復(fù)雜。Write through 就干脆的多,直接寫到memory中。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但是效率低。# v0 }5 g8 f% H1 c$ _+ j
11. 模擬鎖相環(huán)電路中,與鑒相器參考信號(hào) R相連 并且與運(yùn)放正輸入相連的是:up信號(hào) vco壓控信號(hào) down信號(hào)。關(guān)注公眾號(hào):硬件筆記本
3 h% h% q3 ?7 o$ q12. 動(dòng)態(tài)心電圖使用的ECG帶寬是0.05-40HZ 0.05-50HZ 0.05-150HZ 0.5-40Hz7 N) J1 B/ g% F7 R* j, l8 V
13.計(jì)算機(jī)的字長(zhǎng)是指 數(shù)據(jù)長(zhǎng)度 CPU的數(shù)據(jù)總線的寬度 cpu內(nèi)部一次可以處理的二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)! d/ N6 o4 O- F5 G( p4 Q; L; `9 n# t
14.若y(t)=f(t)*h(t) 那么 f(2t)*h(2t)等于 Y(2T)/2
* c! ?! G) I  j5 [2 T5 a15.關(guān)于 PCB的設(shè)置,以下描述錯(cuò)誤的是 器件面下面(第二層)優(yōu)先設(shè)置地面層 優(yōu)先采用對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 盡量避免兩個(gè)信號(hào)層直接相鄰 電源層離底層越遠(yuǎn)越好! e! a$ _6 c3 c; Q1 T3 l
16.考慮單板12V總線最低電壓不超過(guò)8v。如果12V輸入上跌落最長(zhǎng)400us,負(fù)載最大電流10A,則12v總線上的電容最小為:1000UF 2500UF 500UF 1500UF
# C, l- r  T# G% J# A# a/ g0 s17.電源紋波噪聲哪種測(cè)量方式最準(zhǔn)確?無(wú)源探頭+示波器設(shè)置為50ohm DC模式 無(wú)源探頭+示波器設(shè)置為 1Mohm AC模式 同軸線覽 + 10uf電容隔直+ 示波器設(shè)置為50ohm +DC模式 有源探頭 +示波器設(shè)置為50ohm DC模式
" F! N% B7 z8 p% P5 O% u& W18.對(duì)于二進(jìn)制信號(hào)傳輸來(lái)說(shuō),波特率在數(shù)值上等于比特率(正確)
) e- E6 o* {& z, N+ k! ]19.數(shù)字電路設(shè)計(jì)中經(jīng)常采用地址的高位譯碼器來(lái)產(chǎn)生芯片的片選(正確)
0 J0 G* J% ~* s" G+ J20.溫度升高,熔體的表面張力一般將(減少)! p: \8 ]8 v3 a7 l
21.正常情況下,脈沖的下降沿Tf的時(shí)間值應(yīng)該在下述的那個(gè)條件下測(cè)量 在脈沖峰峰值的10%到90% 在脈沖峰峰值的0到90% 在脈沖的峰峰值的10%到100% 在脈沖的峰峰值的0到100%+ v3 R6 ]8 G" l+ l$ B

. U% u0 s2 l: d* N& G. o( _22.疲勞破壞是由于裂紋擴(kuò)展引起的(正確)( i; C, G0 h9 x3 y) |% ^: P4 C
23.在數(shù)字邏輯電路的設(shè)置中,要避免引起”競(jìng)爭(zhēng)”,可以采用以下的那些方式()
- C2 [7 ~1 y2 ~' RA 在電路中增加延時(shí)邏輯
/ \" {9 s* Z( e4 A- i' PB 采用同步時(shí)序電路
& P  c# T. `. O; |C 采用異步時(shí)序電路
* f2 z2 h3 J# H( aD 修改狀態(tài)轉(zhuǎn)換表
* S" b9 v; X( ^  ~/ I24.計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的物理層具有那些功能。關(guān)注公眾號(hào):硬件筆記本
! _  t/ D9 d$ j8 [A 定義報(bào)文的差錯(cuò)控制特性7 m0 ]) W6 v6 x( N, i5 L% }" ~' D
B 定義接口的信號(hào)電氣特性
9 [0 W, `) {+ W8 y3 p7 Q1 |! ^C 定義連接器的機(jī)械特性: y7 N+ |* E/ T0 M2 V
D 定義報(bào)文的路由特性
1 g$ |* u2 [5 i+ K" I5 w8 p25.下面關(guān)于DMA傳輸方式,正確的有
% u$ [( Z" x0 c$ _A 需要DMA控制器參與傳輸$ T6 k) \; O4 e
B 具有傳輸速度快,降低CPU的負(fù)載的優(yōu)點(diǎn)/ m9 V9 [" E2 l( r8 l  O
C 傳輸前后不需要有CPU的參與
7 h- i, P, B. _+ i) @+ X8 b7 K3 D0 s5 hD 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的地址總線,數(shù)據(jù)總線,控制總線在CPU和DMA 控制器之間復(fù)用。( m* t$ g" s( f0 v
26.DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。(錯(cuò)誤)# W/ b' A1 t$ _- b* e! Q
27.眼圖可以用來(lái)分析高速信號(hào)的碼間干擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。(正確)5 l9 {+ M& k) B- o! j' G
28.以太網(wǎng)交換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口,提高了網(wǎng)絡(luò)性能。(正確)8 f0 }6 w$ h4 T9 D& c3 _' q  m
29.放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。(正確)! f# w) \3 L* b7 \" ?0 l# m
30.1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001,-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是 1111_1111。(正確)
0 k& a( L) j* g' v31.洗衣機(jī),電冰箱等家用電器都使用三孔插座,是因?yàn)槿绻唤拥,家用電器是不能工作的?strong>(錯(cuò)誤)
! y( }4 b( r' ~* Y4 B( H" G32.十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為:0x00。(正確)
; @4 H7 l, `) E" Z33.硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大 (正確)
1 A7 X8 A: m1 r+ Z* [34.一空氣平行板電容器,兩級(jí)間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開(kāi),在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)?U/3& B: K- {8 A4 O4 p* j
35.8086CPU內(nèi)部包括哪些單元 EU,BIU( |; R' h* O+ \5 c" K: n& \
36.為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應(yīng)該用哪種濾波器:帶阻濾波器! Y/ G, c6 [. G1 N* @
37.關(guān)于SRAM和DRAM,下面說(shuō)話正確的是:DRAM使用內(nèi)部電容來(lái)保存信息 SRAM需要定時(shí)刷新,否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失 SRAM的集成度高于DRAM 只要不掉電,DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失( R7 V, i- s% R: @  [* v' p- |. ~
【解析】SRAM和DRAM都是隨機(jī)存儲(chǔ)器,機(jī)器掉電后,兩者的信息都將丟失。它們的最大區(qū)別就是:DRAM是用電容有無(wú)電荷來(lái)表示信息0和1,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給電容充電,即刷新;而SRAM是利用觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)來(lái)表示信息0和1,所以不需要刷新。另外,SRAM的存取速度比DRAM更高,常用作高速緩沖存儲(chǔ)器Cache。DRAM的集成度要高。因?yàn)镾RAM需要更大的體積。關(guān)注公眾號(hào):硬件筆記本
; g5 S; `+ ~6 Y- ^, N% ]7 }: p6 b38.在RS232串口中,采用哪一種校驗(yàn)方式:奇偶校驗(yàn)
% X$ p4 o3 X. O% P# M39.對(duì)于D觸發(fā)器來(lái)說(shuō),為了保證可靠的采樣,數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來(lái)之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為: 保持時(shí)間 恢復(fù)時(shí)間 穩(wěn)定時(shí)間 建立時(shí)間
; t" |) T, J) [& s9 t) ?【解析】setup/hold time 是測(cè)試芯片對(duì)輸入信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)之間的時(shí)間要求.建立時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號(hào)上升沿到來(lái)以前數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間輸入信號(hào)應(yīng)提前時(shí)鐘上升沿 (如上升沿有效)T時(shí)間到達(dá)芯片這個(gè)T就是建立時(shí)間-Setup time.如不滿足setup time,這個(gè)數(shù)據(jù)就不能被這一時(shí)鐘打入觸發(fā)器只有在下一個(gè)時(shí)鐘上升沿?cái)?shù)據(jù)才能被打入觸發(fā)器
9 m4 _, t: W8 r保持時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號(hào)上升沿到來(lái)以后數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間如果hold time 不夠數(shù)據(jù)同樣不能被打入觸發(fā)器
' U$ O' y$ B  o- A; g/ x  S建立時(shí)間 (Setup Time)和保持時(shí)間 (Hold time).建立時(shí)間是指在時(shí)鐘邊沿前數(shù)據(jù)信號(hào)需要保持不變的時(shí)間保持時(shí)間是指時(shí)鐘跳變邊沿后數(shù)據(jù)
; ^' L( u! `( A. g40.本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體 五價(jià)
: Y" f) q  C" s% k% V8 V【解析】摻雜3價(jià)的原子形成P性,摻雜5價(jià)格的形成N形半導(dǎo)體
) |+ n' m6 [. E5 e3 k8 r. o41.在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是 采用多項(xiàng)并聯(lián)的模式 開(kāi)關(guān)管內(nèi)置,提高電源的開(kāi)關(guān)頻率 輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容 增大輸出濾波電感量
+ s- c# `+ `" V. f- Z0 M# F9 ^42.關(guān)于PCI總線的描述,錯(cuò)誤的是: PCI總線是一個(gè)16位寬的總線 PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的 PCI是一種獨(dú)立于處理器的總線標(biāo)準(zhǔn),可以支持多種處理器 PCI支持即插即用功能$ w  C1 u5 z9 T' L. H, p4 z1 J
【解析】總線寬度為32/64位
! D' \& k4 h; M2 u; m4 `43.中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上:物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層
- L# S# a2 o9 X7 @7 z6 T; }% Q【解析】7 M! d# a: C& |) @
物理層: 將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為可通過(guò)物理介質(zhì)傳送的電子信號(hào) 相當(dāng)于郵局中的搬運(yùn)工人
. s( \/ w& J' G9 }; O數(shù)據(jù)鏈路層: 決定訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)介質(zhì)的方式 在此層將數(shù)據(jù)分幀,并處理流控制。本層指定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提供硬件尋 址。相當(dāng)于郵局中的裝拆箱工人
5 z& \! Q8 ~* b& m$ [! |& g- w* G2 v8 t1 M網(wǎng)絡(luò)層: 使用權(quán)數(shù)據(jù)路由經(jīng)過(guò)大型網(wǎng)絡(luò) 相當(dāng)于郵局中的排序工人% r  }% E& [# M5 `4 Q
傳輸層: 提供終端到終端的可靠連接 相當(dāng)于公司中跑郵局的送信職員
5 d+ d, R# y( e& f0 c( a會(huì)話層: 允許用戶使用簡(jiǎn)單易記的名稱建立連接 相當(dāng)于公司中收寄信、寫信封與拆信封的秘書(shū)。關(guān)注公眾號(hào):硬件筆記本
! j: I2 s# O9 g4 W' Y5 e& e表示層: 協(xié)商數(shù)據(jù)交換格式 相當(dāng)公司中簡(jiǎn)報(bào)老板、替老板寫信的助理) x- S/ m# c& H9 ?  E- |7 l3 ?
44.模擬信號(hào)數(shù)字化的過(guò)程是 采樣->量化->編碼
6 f' V9 I, T4 J, E% A投稿/招聘/推廣/宣傳/技術(shù)咨詢 請(qǐng)加微信:woniu26a  J& q9 m- M& G+ Q- N5 G8 ?
- Q) S9 N) R" R0 q0 j4 l4 o

' Z$ C0 L- @/ D) \5 F0 V# U聲明:
( L# z. b, P! K& J聲明:本號(hào)對(duì)所有原創(chuàng)、轉(zhuǎn)載文章的陳述與觀點(diǎn)均保持中立,推送文章僅供讀者學(xué)習(xí)和交流。文章、圖片等版權(quán)歸原作者享有,如有侵權(quán),聯(lián)系刪除。推薦閱讀▼
/ W; Z0 B1 n3 ]2 t1 x. Y4 j電路設(shè)計(jì)-電路分析
# z8 [6 M: ?% K' v! Y" A+ b2 oemc相關(guān)文章! A) a: X; \: N
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