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MIT | 異構(gòu)Chiplet集成構(gòu)建下一代計(jì)算的"超級芯片"

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發(fā)表于 2024-9-24 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |正序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言2 i# S. C( E6 N7 W
數(shù)字計(jì)算、移動性和連接性需求的不斷增長正推動微電子行業(yè)向高度集成、微型化、高性能和低功耗的技術(shù)方向發(fā)展。隨著傳統(tǒng)摩爾定律縮放面臨挑戰(zhàn),業(yè)界正轉(zhuǎn)向替代性的先進(jìn)封裝架構(gòu)和異構(gòu)集成技術(shù)。有前景的方法是創(chuàng)建極大面積集成電路(ELAICs),也稱為"超級芯片",將多個Chiplet組合到單個封裝中,共享一個互連平臺[1]。
. y6 ]" j4 @& O! z; U 8 R7 [. }7 M# F# q1 N8 m

( J* e2 h- D  \6 d4 b超級芯片概念
% e0 N, ^. V* U超級芯片方法有助于重新構(gòu)建異構(gòu)芯片拼接,開發(fā)具有所需電路密度和性能的高度復(fù)雜系統(tǒng)。這種方法允許集成多個處理器和加速器芯片,實(shí)現(xiàn)最小的芯片間距離、片上存儲、更高帶寬連接和改進(jìn)的熱管理。1 q, }  _7 H7 }

/ _) ?( q4 Z$ U3 i1 I- p+ j: d  x% o圖1:說明了超級芯片概念,比較了常規(guī)封裝(左側(cè),單個芯片附著在基板上)和超級芯片(右側(cè),所有芯片組合在單一平面上,每個芯片至少有兩個最近鄰芯片用于互連)。) C1 q$ t- w# m7 h/ W

( o1 Q2 Q3 L+ A超級芯片方法的主要優(yōu)勢包括:
  • 將已知良好的芯片組合,創(chuàng)建表現(xiàn)如同極大單一異構(gòu)芯片的系統(tǒng)
  • 提供激進(jìn)的互連間距縮放,實(shí)現(xiàn)真正的工藝節(jié)點(diǎn)互換性
  • 實(shí)現(xiàn)類似芯片的電路內(nèi)容,具有良好的芯片間平面度
  • 提供內(nèi)置散熱器,實(shí)現(xiàn)更好的熱解決方案
  • 支持混合材料構(gòu)造,具有高硅密度
  • 允許有源對有源鍵合,實(shí)現(xiàn)Chiplet的混搭
  • 通過熱效率高的硅布局處理更高的功率密度
    * V8 Q6 `' E( i' Z5 j[/ol]
      D, T  |8 o% o# N! s! Y" EELAIC制造工藝
    * F) {% X/ \* l1 V+ _% vELAIC制造工藝涉及幾個關(guān)鍵步驟:
  • 在處理晶圓上組裝已知良好的裸片
  • 沉積介電層
  • 形成重分布層(RDLs)
  • 通孔蝕刻和金屬沉積
  • 微凸點(diǎn)制造,用于倒裝芯片連接
    ! N4 G3 w% z: _2 j  T, u[/ol]3 ^% \8 ~" ?% |9 B

    ; A: J  R, T9 @ 7 I! A6 ~4 x/ h0 F
    圖2:展示了ELAIC構(gòu)建的工藝流程,包括裸片放置、介電層沉積、RDL形成和微凸點(diǎn)制造。0 ?4 U( j. x7 }6 {# B- c, G

    $ A0 ?6 w: e, O3 w; z; |6 dELAIC工藝的主要目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)芯片之間的窄間隙(5-20μm),使芯片間互連長度短(50-500μm)。這種方法允許更多的物理線路用于I/O連接,從而實(shí)現(xiàn)低延遲、低功耗和高帶寬的芯片間通信。2 J( {% Q& ?# I& w9 L5 ?5 A  k, v

    2 W6 i2 H8 D  C! H$ q$ cELAIC物理特性表征  \, _" u  V5 Y0 K8 N8 r$ a" K
    使用多種無損分析技術(shù)來表征ELAIC器件,包括掃描電子顯微鏡(SEM)、共焦顯微鏡、X射線成像和光學(xué)顯微鏡。這些技術(shù)有助于評估關(guān)鍵制造步驟,如芯片間距離、芯片間平面度、介電層沉積、通孔形成、特征尺寸和微凸點(diǎn)制造。) `1 |5 H3 {( U0 ~) w7 P9 ]

    ( ^, u$ U' L2 ?$ T- t! p& H2 o圖3:顯示了16芯片ELAIC assembly的SEM圖像,展示了填充有介電材料的窄5-20μm芯片間距離。6 Y5 n+ T, X- C% u1 k) A
    ; H5 W. `# ]2 Q* Y  r2 B5 S0 D

    & }& j- Q3 v0 d1 E7 v% D7 \圖4:呈現(xiàn)了4芯片ELAIC assembly的共焦顯微鏡數(shù)據(jù),展示了制造工藝實(shí)現(xiàn)的芯片間平面度。$ {; V5 f" U/ L  L$ m! R

    & x0 ?& J" r8 ^電氣互連演示
    5 Q- B  T5 S2 O, P. v$ h; m2 K為了展示ELAIC方法的電氣互連能力,在多芯片assembly上制造了無源和有源線路。
    ( x" [% T4 s5 i9 p0 U5 k! v- e( z6 @+ H2 S$ i0 z/ k
    無源線路8 z* E8 u; G, O
    在16芯片ELAIC assembly上使用單層和雙層金屬實(shí)現(xiàn)無源電氣互連。這些互連具有1-10μm寬和5-20mm長的線路跡線,連接多個芯片。
    9 @3 z2 W+ @$ L) g* L/ o9 n. T * l- P4 y) H' U5 D
    圖5:展示了16芯片ELAIC assembly上各種無源線路演示,包括單金屬層RDL、雙金屬層RDL和菊花鏈線路。4 M  K9 C& j5 n

    . K( Y1 s+ U* U/ s; `
    0 l4 @# `% o+ B+ d6 h0 Q圖6:說明了16芯片assembly上的無源互連線路演示,顯示了連接芯片的線路的光學(xué)和SEM圖像,以及測量的室溫電阻數(shù)據(jù)。
    7 E" X; t! v/ s2 e9 _& M  o2 u4 r1 K# }* n& i1 n
    有源線路
    6 R. [1 }! E0 O8 x6 _; i為了評估ELAIC結(jié)構(gòu)對有源元件的適用性,將含有三層約瑟夫森結(jié)(JJs)的超導(dǎo)芯片集成到該平臺中。制造并在4.2K下測試了多個4芯片ELAIC器件,以測量JJs的I-V特性。: [( T, P* O! N( n

    3 {- a- e" n4 C3 Q0 t圖7:顯示了三個10mm x 10mm ELAIC樣品連接到電路卡進(jìn)行低溫測試,以及通過Nb和金線連接芯片間JJ串聯(lián)陣列的I-V特性。- m! e5 v# C0 n

      K# ?) x! o2 x# k/ F% G& V1 D與單芯片解決方案的比較" |0 Y( q' C' K( \7 m1 W
    ELAIC方法相比傳統(tǒng)單芯片解決方案具有幾個優(yōu)勢:
    , K. V& v) w. x2 E9 x: X大面積線路的更高良率和成本效益
    $ p1 Q8 ^, w( t7 I0 W# v能夠混搭不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)和功能& u( ~# a  X: L
    由于內(nèi)置散熱器效應(yīng),改善了熱管理, j# Z1 y9 l  a6 s0 ~2 f
    系統(tǒng)設(shè)計(jì)和優(yōu)化的靈活性更大
    . t: |) ?! R4 @# _8 c8 k5 {! e[/ol]. E; [' B, ~" U$ d2 r5 ~6 p9 N

    4 s5 ~& G8 c& A2 r, F
    0 l. h& g8 p: G4 t) x圖8:比較了單個20mm x 20mm芯片與等效的ELAIC assembly(由16個5mm x 5mm Chiplet重新組合而成),顯示了兩種配置的光學(xué)和X射線圖像。
    # h% d% i8 L& A
    3 Y9 |& Z) w1 h* b0 _$ f! s; y$ A7 K倒裝芯片ELAIC; |& H: t' K; I+ G
    ELAIC概念可以擴(kuò)展到倒裝芯片鍵合,提供額外優(yōu)勢:
  • 各種成像應(yīng)用的低成本多芯片讀出IC assembly
  • 引入倒裝芯片無硅有源/無源橋接,用于芯片間連接
  • 熱優(yōu)化的硅布局
  • 良率和節(jié)點(diǎn)優(yōu)化帶來的成本效益
    ( H- Q( h8 u. t# x: W- e8 n[/ol]/ s' P' [' s& z/ k

    $ q! @$ J2 v6 G6 L0 _5 F) Q
    3 v' B6 k( H' |4 P" p2 y4 Y5 s5 d圖9:演示了倒裝芯片ELAIC概念,顯示了20mm x 20mm 16芯片ELAIC、倒裝芯片鍵合版本,以及從倒裝芯片裸片刻蝕掉硅的無硅倒裝芯片ELAIC。! A& r& `1 O# K9 w0 q

    ' a5 B2 H! x; x( C( ] 9 M# ]9 ~4 Z+ Y3 ^, w
    圖10:展示了由十六個20mm x 20mm芯片組成的80mm x 80mm超級芯片,以及倒裝芯片鍵合版本和說明通過倒裝芯片裸片進(jìn)行芯片間連接選項(xiàng)的示意圖。# m7 @: Z- U0 X9 ^" ^3 @9 k. u
    0 K' _8 }( j6 f1 j, ]' \9 e4 e
    應(yīng)用和未來展望1 ^. A' X$ @. o1 r" C5 {  @" {
    ELAIC方法適用于多種應(yīng)用,包括:
  • 用于人工智能和深度學(xué)習(xí)的高性能計(jì)算(HPC)系統(tǒng)
  • 超導(dǎo)經(jīng)典和量子計(jì)算
  • 大格式數(shù)字像素焦平面陣列
  • 光電子集成芯片拼接
  • 毫米波相控陣?yán)走_(dá)陣列
    ) M. p( U* d& C$ q" e6 r$ N[/ol]* e2 U8 O# ?. A
    隨著對更復(fù)雜和強(qiáng)大計(jì)算系統(tǒng)需求的持續(xù)增長,超級芯片概念為克服傳統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)的限制提供了有希望的解決方案。通過實(shí)現(xiàn)具有高密度互連和改進(jìn)熱管理的異構(gòu)Chiplet集成,ELAICs為下一代計(jì)算架構(gòu)鋪設(shè)了基礎(chǔ),可以滿足人工智能、量子計(jì)算等新興應(yīng)用的挑戰(zhàn)。9 ?! C/ f! |9 N( h) f# s
    : s' _3 J3 W. n- b" L& C% V' `$ F
    ELAIC技術(shù)的持續(xù)發(fā)展可能會集中在進(jìn)一步減小芯片間距離、提高互連密度和優(yōu)化熱管理策略上。隨著這種方法的成熟,有潛力徹底改變復(fù)雜電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和制造,為未來的計(jì)算平臺提供高水平的集成和性能。! J8 Q& k  f$ ?: z  P% h& q+ r
    ' M8 S' A$ d: A
    參考文獻(xiàn)
    # w0 e, m, T4 K8 Z, f[1] R. N. Das et al., "Heterogeneous chiplet integration to make megachips," in Chip Scale Review, vol. 28, no. 1, pp. 11-19, Jan.-Feb. 2024.6 }* P# V/ a& K# C' N

    5 e- f! U, V# N9 z$ B+ m) u6 I" t- END -
    1 r: h4 G, y$ [) T+ ]) U
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    點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請! N" c$ K) F$ f8 B' K' m5 c8 M

    * g# T; ~2 d1 O1 ~& s歡迎轉(zhuǎn)載5 V# r9 m2 y+ C

    8 [4 h3 A& b% ?" |8 T轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!: e+ T% C9 C# }- a3 h' t
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    3 M+ r' |. u6 P  V7 r; `7 F
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    深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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