SDRAM--菊花鏈 & T--AD--冉彬彬--V1.PcbDoc

15255156356 · 發(fā)表于 2019-6-17 18:11:01

一點(diǎn)心得：
   1. 理解 T點(diǎn) & 菊花鏈概念
   2.BGA出線（同組同層，遠(yuǎn)離2行焊盤(pán)扇出，電源孔都先保留后期再合并）       a.我是先從SDRAM 往BGA走，發(fā)現(xiàn)走不通
      b.我又從BGA往SDRAM走，發(fā)現(xiàn)有些繞，還比較丑。
      c.最后  最后  最后  我把SDRAM的孔，帶網(wǎng)絡(luò)復(fù)制到 BGA邊上，大致理順BGA的出線，把線路走通，再優(yōu)化線路。

   3.間距滿足3W原則；數(shù)據(jù)線誤差范圍控制在±50mil；地址線誤差范圍控制在±100mil
      等長(zhǎng)部分：先找出組中最長(zhǎng)的線（不能再短了），其他線以此長(zhǎng)度繞等長(zhǎng)，如果發(fā)現(xiàn)空間不夠了，別慌，在不改變其他走線長(zhǎng)度的情況下，上下平移or左右平移，推擠出空間在繼續(xù)。
                        注意一組線中中間的那根（先為其盡量預(yù)留繞等長(zhǎng)空間）。
   4.等長(zhǎng)走線盡量咬合（類(lèi)似兩只手交叉握�。┮簿褪� 有兩條兩條線是并行的,
   5.理解并會(huì)模仿疊層（幾層  各層介質(zhì)  厚度計(jì)算）

另此圖已自查！
@鄭振宇_Kivy 描述不足之處，還請(qǐng)多多指正謝謝！