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濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程,該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓,也稱為基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料層,以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ);最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造,微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程,需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài),這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻,因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物,其中許多是高酸性和多步過程。" p4 C2 h7 Y5 _% G9 i! h
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